FCH47N60F-F133
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原裝現(xiàn)貨,可開專票,提供賬期服務(wù)
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電壓;右上方和左下方的開關(guān)導(dǎo)通,則在左右終端之間加載一個負(fù)電壓。 對于這種應(yīng)用,在某一時段只有一個開關(guān)導(dǎo)通。一個開關(guān)可被切換到pwm高頻下,另一開關(guān)則在50hz低頻下。由于自舉電路依賴于低端器件的轉(zhuǎn)換,故低端器件被切換到pwm高頻下,而高端器件被切換到50hz低頻下。 圖2:mosfet全橋 這應(yīng)用采用了600v的功率開關(guān),故600v超結(jié)mosfet非常適合這個高速的開關(guān)器件。由于這些開關(guān)器件在開關(guān)導(dǎo)通時會承受其它器件的全部反向恢復(fù)電流,因此快速恢復(fù)超結(jié)器件如600v fch47n60f是十分理想的選擇。它的rds(on) 為73毫歐,相比其它同類的快速恢復(fù)器件其導(dǎo)通損耗很低。當(dāng)這種器件在50hz下進(jìn)行轉(zhuǎn)換時,無需使用快速恢復(fù)特性。這些器件具有出色的dv/dt和di/dt特性,比較標(biāo)準(zhǔn)超結(jié)mosfet可提高系統(tǒng)的可靠性。 另一個值得探討的選擇是采用fgh30n60lsd器件。它是一顆飽和電壓vce(sat) 只有1.1v的30a/600v igbt。其關(guān)斷損耗 eoff非常高,達(dá)10mj ,故只適合于低頻轉(zhuǎn)換。一個50毫歐的mosfet在工作溫度下導(dǎo)通阻抗rds(on)
FCP11N60 FCP16N60N FCP22N60N FCPF11N60F FCPF16N60NT FCPF22N60NT FCW301Z fd100 FD110 FD501
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