三相逆變器中IGBT的幾種驅(qū)動(dòng)電路的分析

內(nèi) 置 的 光 耦 可 隔 離 高 達(dá) 2 500 v/min的 電 壓 。 3） 單 電 源 的 供 電 電 壓 使 其 應(yīng) 用 起 來(lái) 更 為 方 便 。 4） 內(nèi) 置 的 過(guò) 流 保 護(hù) 功 能 使 得 igbt能 夠 更 加 安全 地 工 作 。 5） 具 有 過(guò) 流 檢 測(cè) 輸 出 信 號(hào) 。 6） 單 列 直 插 式 封 裝 使 得 其 具 有 高 密 度 的 安 裝 方 式 。 常 用 的 exb8..series 主 要 有 ： 標(biāo) 準(zhǔn) 系 列 的 exb850和 exb851， 高 速 系 列 的 exb840和 exb841。 其 主 要 應(yīng) 用 場(chǎng) 合 如 表 4所 示 。 注 ：1） 標(biāo) 準(zhǔn) 系 列 ： 驅(qū) 動(dòng) 電 路 中 的 信 號(hào) 延 遲 ≤ 4 μ s 2） 高 速 系 列 ： 驅(qū) 動(dòng) 電 路 中 的 信 號(hào) 延 遲 ≤ 1.5 μ s 圖 6給 出 了 exb8..series的 功 能 方 框 圖 。 表 5給 出 了 exb8..series的 電 氣 特 性 。 表 6給 出 了

HL402B可彌補(bǔ)EXB841及M57962AL缺陷的IGBT驅(qū)動(dòng)器

睞，在國(guó)內(nèi)外獲得了極為廣泛的應(yīng)用，igbt應(yīng)用的關(guān)鍵問(wèn)題是其驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)電路的合理設(shè)計(jì)，igbt對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求可參文獻(xiàn)1，驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)不好，常會(huì)造成igbt工作中，要么在放大區(qū)而短時(shí)承受很大的功耗而二次擊穿，要么使igbt關(guān)斷不迅速，而與其他igbt換流時(shí)產(chǎn)生換流失敗，造成直流側(cè)電源短路而嚴(yán)重?fù)p壞。為解決igbt的可靠驅(qū)動(dòng)問(wèn)題，世界上各igbt生產(chǎn)廠家或從事igbt應(yīng)用的企業(yè)都開(kāi)發(fā)出了擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的配套igbt驅(qū)動(dòng)集成電路或模塊，如日本富士公司的exb841、exb840、exb851、exb850；日本三菱電機(jī)公司生產(chǎn)的m57962al與m57959、m57958、m57957；日本三社電機(jī)公司生產(chǎn)的gh038、gh039；德國(guó)ixys公司生產(chǎn)的skhi21、skhi22；美國(guó)ir公司生產(chǎn)的ir2110、ir2130、ir2121……；日本英達(dá)公司生產(chǎn)的hr065；國(guó)產(chǎn)(國(guó)家“八.五”攻關(guān)成果)的hl401、hl402b、hl403b等。由于ir公司的ir21××系列igbt驅(qū)動(dòng)器僅適用于小功率igbt驅(qū)動(dòng)；而exb8××系列驅(qū)動(dòng)器是較早進(jìn)入中國(guó)使用的igbt驅(qū)動(dòng)器。在50a以上的igb

EXB850的應(yīng)用電路

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測(cè)試EXB850輸入、輸出波形的電路

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變頻調(diào)速應(yīng)用技術(shù)(二)

生)狀態(tài)下，電流與電壓之間的相位差角超過(guò)了π/2，從而，通過(guò)反向二極管流向直流回路的電流大于通過(guò)igbt管流向電動(dòng)機(jī)的電流，從整體效果上看，電動(dòng)機(jī)是在“發(fā)電”。l 為電路的寄生電感在逆變管交替導(dǎo)通過(guò)程中釋放能量提供通路。(2) 逆變管的驅(qū)動(dòng)l igbt對(duì)驅(qū)動(dòng)信號(hào)的要求 從截止轉(zhuǎn)為導(dǎo)通時(shí)，應(yīng)適當(dāng)提高柵極電壓ug1的上升率，以縮短開(kāi)通時(shí)間;從導(dǎo)通轉(zhuǎn)為截止時(shí)，應(yīng)適當(dāng)加入負(fù)偏壓ug2，以加快關(guān)斷過(guò)程。l 驅(qū)動(dòng)模塊舉例 圖1-37 igbt的驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)電路基本上都已經(jīng)模塊化。今以exb850模塊為例，其內(nèi)部電路及管腳安排如圖1-37(a)所示，外接電路如圖1-37(b)所示。其工作過(guò)程如下:當(dāng)晶體管v3的基極得到驅(qū)動(dòng)信號(hào)時(shí)，v3導(dǎo)通，管腳(15)與(14)之間的光耦合管導(dǎo)通，放大器amp的輸出為“＋”，晶體管v1導(dǎo)通，控制電源的“＋”極從管腳⑵進(jìn)入，經(jīng)v1、管腳⑶接至igbt的柵極。同時(shí)，igbt的發(fā)射極經(jīng)管腳⑴、穩(wěn)壓管vs、管腳⑼接至控制電源的“0v”端。igbt因g、e間得到正電壓而導(dǎo)通。這時(shí)，電容器c2上的充電電壓是上“＋”下“－”，電壓大小取決于穩(wěn)壓管vs。當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)撤消后

EXB850的應(yīng)用電路

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