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單片機(jī)外部接口分析與存儲器擴(kuò)展
，從而正確地對外設(shè)讀寫。 2 擴(kuò)展存儲器硬件設(shè)計(jì) 2.1 外部存儲器與tms320f2812的接口電路設(shè)計(jì) tms320f2812內(nèi)置18 kb ram。為了使用方便，本系統(tǒng)又?jǐn)U展了256 kb saram，芯片選用is61lv25616(256k×16位)，其數(shù)據(jù)訪問時(shí)間為10 ns。由于tms320f2812采用統(tǒng)一尋址方式，因此擴(kuò)展的saram既可以作程序存儲器也可以作數(shù)據(jù)存儲器。同時(shí)，為了保存掉電不丟失的數(shù)據(jù)，擴(kuò)展了32 kbeeprom，選用at28lv256，32k×8位，用2片組成32k×16位。外擴(kuò)存儲器與tms320f2812的接口電路如圖3所示，將saram分配在zone2，地址范圍為0x80000～0xbffff，片選信號與tms320f2812的xzcs2相連。eeprom分配在zone6，地址范圍為0x10000～0x107fff，片選信號xzcs6and7。來源:小草

AT28LV256
快速讀取時(shí)間：200ns；自動(dòng)頁寫周期：內(nèi)部地址和數(shù)據(jù)鎖存，內(nèi)部控制計(jì)時(shí)器；快速字節(jié)寫時(shí)間：頁寫周期時(shí)間：10ms（最大值），1～64字節(jié)頁寫操作；低功耗：正常工作時(shí)電流：15mA，CMOS待機(jī)電流：20μA；硬件和軟件寫保護(hù)；高可靠性CMOS技術(shù)：10000次循環(huán)擦寫周期，10年數(shù)據(jù)保留時(shí)間；單電源供應(yīng)電壓：3.3V±10%；商業(yè)級和工業(yè)級溫度范圍

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