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柒號芯城,離原廠的距離只有0.07公分
v或1.8v單電源供電。saifun提出的quad nrom新技術,使傳統(tǒng)存儲單元上存儲的數(shù)據(jù)信息擴大了一倍,同時也大大提高了讀/寫訪問速度。該項技術應用于e2prom產(chǎn)生了很多大密度、高速度、小體積存儲器件。 常用e2prom器件有8位并行的e.prom和spi、i2c、1-wire等串行e2prom.器件命名常帶"c",如"25c".并行e2prom容量在2~512 kb,速度為100~300 ns,如atmel公司的5 v/512 kb的at28c020、3.3 v/128 kb 的 at28lv010、 3 v/64 kb 的at28bv256,以及mcrochip公司的28c04/16/17/32/64a等。 1一wire串行e2prom多為低功耗器件,6或8腳的so、sot、tsoc或csp封裝,容量為256位~4 kb,"頁"模式寫操作,具有wp或sha一1數(shù)據(jù)寫保護機制。 maxim公司供應不同規(guī)格的該類器件,型號為ds243x,如電源電壓為2.8~5.5 v、容量為1 kb的ds2432. i2c串行e2prom容量為128位~1 mb,低功耗,支持字節(jié)/頁模式寫操作,
單電源電壓:3.3V±10%;快速讀取時間:200ns;自動頁寫周期:內(nèi)部地址和數(shù)據(jù)鎖存;快速字節(jié)寫時間:頁寫周期時間:10ms(最大值),1~128字節(jié)頁寫操作;低功耗:正常工作時電流:15mA,CMOS待機電流:20μA;硬件和軟件寫保護;高可靠性CMOS技術:100000次循環(huán)擦寫周期,10年數(shù)據(jù)保留時間;商業(yè)級和工業(yè)級溫度范圍
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