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AMD
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8 Mbit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit)&...
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8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bi...
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8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bi...
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8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bi...
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8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bi...
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8 Megabit (1,048,576 x 8-Bit/524,288...
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8 Megabit (1,048,576 x 8-Bit/524,288...
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行狀態(tài)下對(duì)實(shí)時(shí)時(shí)鐘的錯(cuò)誤修改。此外，該芯片還具有看門狗實(shí)時(shí)復(fù)位電路。所以，這款實(shí)時(shí)時(shí)鐘芯片資源豐富，功能強(qiáng)大，所需外部分立元件少，可以提高系統(tǒng)的可靠性。 本檢測(cè)儀中的dsp與實(shí)時(shí)時(shí)鐘芯片的連接圖如圖4所示。 2．3 dsp與flash貯存器的連接 flash存儲(chǔ)器又稱閃存，它結(jié)合了rom和ram的特點(diǎn)，不僅具備電子可擦除可編程(eeprom)功能，而且斷電不會(huì)丟失數(shù)據(jù)，同時(shí)又能快速讀取數(shù)據(jù)，具有可在線電擦寫(xiě)、低功耗、大容量、擦寫(xiě)速度快等特點(diǎn)。屬于eeprom的改進(jìn)產(chǎn)品。am29lv800b是amd公司的一種flash存儲(chǔ)器件，其訪問(wèn)時(shí)間為90 ns；存儲(chǔ)容量為8 mbit；工作溫度范圍為-55～+125℃；在線編程電壓為3．0～3．6v；而且功耗低；讀操作時(shí)的電流為7m-a，編程／擦除時(shí)的電流為15 ma。圖5為dsp與am29lv800b的連接電路圖。 2．4 人機(jī)接口 本系統(tǒng)的人機(jī)接口部分主要由dsp與液晶的連接電路和按鍵掃描電路組成。根據(jù)tms320lf2407a的i／o口資源利用情況。本設(shè)計(jì)的液晶顯示采用并行i／o口實(shí)現(xiàn)顯示控制；又由于按鍵鍵盤所需不多，故
限，不能滿足本項(xiàng)目的需求，故自行設(shè)計(jì)一塊視頻卡。 在視頻卡設(shè)計(jì)中，電源模塊設(shè)計(jì)非常關(guān)鍵，它直接影響著視頻卡的最后實(shí)現(xiàn)和穩(wěn)定運(yùn)行。電源設(shè)計(jì)包括兩個(gè)部分：供電系統(tǒng)和電源檢測(cè)及上電復(fù)位系統(tǒng)。對(duì)供電系統(tǒng)來(lái)說(shuō)，為滿足系統(tǒng)需要，必須能夠提供四種電源電壓，分別為-+5v、-5v、+3.3v和+1.8v。+5v電源由外部提供，而其它供電電壓需要自行設(shè)計(jì)。在選擇5v-3.3v dc-dc電壓泵時(shí)，考慮電流大小為：tms320c6211的130ma、saa7111a的150ma、epm7128s的300ma、am29lv800b的30ma、idt72v215的2×60ma、mt48lc4m16a2的2×230ma，電流共需在1.2a左右，加上其它的一些電壓轉(zhuǎn)換芯片和接口芯片，考慮1.5a的供電電流。即供電電流必須大于1.5a。在選擇5v-1.8v dc-dc電壓泵為dsp供電時(shí)，供電電流要大于830ma。 該系統(tǒng)中的電源檢測(cè)及上電復(fù)位電路，是為保證系統(tǒng)在供電未達(dá)工作電壓前，各器件不會(huì)處于不受控制的狀態(tài)而設(shè)計(jì)的。該電路可 以保證這些器件在系統(tǒng)加電的過(guò)程中，始終處于復(fù)位狀態(tài)，直到各供電電壓達(dá)到正常工作電壓。另外
號(hào)線scl和數(shù)據(jù)信號(hào)線sda，它們分別是漏極開(kāi)路輸出和磁滯輸入，在應(yīng)用時(shí)都必須接2.2kω的上拉電阻，即使沒(méi)有外接i 2c設(shè)備，scl,sda也要上拉到3.3v。 本系統(tǒng)上電后通過(guò)i2c總線將固件從外部 eeprom存儲(chǔ)器中下載到芯片內(nèi)置的ram中，在cy7c68013復(fù)位后便開(kāi)始執(zhí)行這一程序代碼。在這種情況下，設(shè)備描述符被壓縮到固件中，同時(shí)狀態(tài) 位renum=1，表明是由固件來(lái)管理設(shè)備請(qǐng)求。 5 外部存儲(chǔ)器擴(kuò)展電路設(shè)計(jì)[3]本系統(tǒng)選用一片amd公司的低功耗cmos工藝的 flash rom——am29lv800b作為擴(kuò)展的外部程序存儲(chǔ)器。 dsp對(duì)flash的邏輯控制通過(guò)一片cpld譯碼產(chǎn)生。 由于tms320c6713芯片具有專門的同步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器接口，并提供sdram所需的所有控制和刷新信號(hào)，因此可以實(shí)現(xiàn)dsp與sdram之間的無(wú)縫連接[4]。本系統(tǒng)選用的是micron公司的mt48lc4m16a2，存儲(chǔ)容量為64mbit，數(shù)據(jù)寬度為16位，工作時(shí)鐘可達(dá)125mhz，并具有同步接口和內(nèi)部流水線結(jié)構(gòu)。 6 標(biāo)記檢測(cè)與曝光及束閘控制單元 6.1 標(biāo)記檢測(cè)單元 電子束曝光機(jī)在進(jìn)行曝光之前，需要進(jìn)行標(biāo)記檢測(cè)，
d和rxd信號(hào)和pc機(jī)的串口電壓不符, 所以在此之間加了一個(gè)電壓轉(zhuǎn)換器max232。其連接圖如圖8。其內(nèi)部主要由一個(gè)將+5v變至+10v的電 壓倍增器，一個(gè)將+10v變至-10v的電壓變換器以及兩個(gè)發(fā)送器和兩個(gè)接收器組成。使用時(shí)只需在外部連接4個(gè)電容，通過(guò)內(nèi)部的雙充電泵電壓變換器，就可以實(shí)現(xiàn)升壓和電壓極性轉(zhuǎn)換，把+5v變換成±12v，以作為驅(qū)動(dòng)器的電源。通過(guò)這種芯片不但實(shí)現(xiàn)了ttl與eia232c電平的轉(zhuǎn)換，而且可同時(shí)完成正負(fù)邏輯之間的轉(zhuǎn)換，使用起來(lái)非常方便。 9.存儲(chǔ)器擴(kuò)展 am29lv800b是一個(gè)8m位，3.3v閃速存儲(chǔ)器，該存儲(chǔ)器有1m字節(jié)或512k16位字。16位字?jǐn)?shù)據(jù)出現(xiàn)在dq15–dq0上；字節(jié)寬數(shù)據(jù)出現(xiàn)在dq7–dq0上。這個(gè)器件僅需要單個(gè)3.3v電源就可完成讀、編程和擦除操作。也可以使用一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)eprom編程器編程和擦除器件。 該器件是用amd的0.32µm技術(shù)制造，還具有旁路解鎖編程和在線塊保護(hù)/不保護(hù)的特點(diǎn)。標(biāo)準(zhǔn)器件提供70、90和120ns的訪問(wèn)時(shí)間，使得高速微處理器操作沒(méi)有等待。 對(duì)于讀和寫(xiě)功能器件僅需要單個(gè)3.3v電源供電。內(nèi)
列， 就可以啟動(dòng)flash 芯片內(nèi)部的寫(xiě)狀態(tài)機(jī)， 完成指定的操作。表2 為flash 的操作命令說(shuō)明（ 對(duì)芯片的擦除和編程都是按照字進(jìn)行的）， 表中所有的數(shù)據(jù)都是十六進(jìn)制數(shù)。 flash 的正確操作順序： 先復(fù)位， 再擦除， 最后編程。 按照表2 提供的操作命令時(shí)序來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)am29lv800 的擦除和編程，pa 為編程地址，pd 為編程數(shù)據(jù)。flash 擴(kuò)展在ce1 空間， 起始地址是200000， 所以操作時(shí)所有地址必須加上200000。例如燒寫(xiě)工程中擦除部分命令為： 表2 am29lv800b 的操作命令說(shuō)明 芯片擦除需要占用6 個(gè)總線周期， 而芯片編程需要4 個(gè)總線周期， 依照表3 的數(shù)據(jù)， 在每個(gè)總線周期對(duì)相應(yīng)地址寫(xiě)入命令字就可以了。用戶一般都是對(duì)芯片進(jìn)行寫(xiě)操作， 寫(xiě)操作只能使‘1’ 變‘0’ ， 而擦除只能使‘0’ 變?yōu)椤?’ 。圖3 為擦除和編程命令波形圖， 清楚地顯示了擦除和編程操作過(guò)程。 圖3 擦除和編程命令波形圖 判斷編程或擦除的結(jié)束是當(dāng)把編程或擦除的命令字按照其時(shí)序?qū)懭雈lash 時(shí)， 在寫(xiě)編程命令時(shí)序或擦除命令時(shí)序的最后一個(gè)we 上升沿到來(lái)之后
[to wag]：我用的nand和nor型號(hào)nand：三星 k9f1208u0mnor： amd am29lv800b * - 本貼最后修改時(shí)間：2006-3-30 1:31:08 修改者：wx82614
kvan你的flash是什么型號(hào)的？我采用的是16位boot模式，我的5402dsk上的flash是am29lv800b的地址線有19根，有8m的存儲(chǔ)空間，你的flash有18條地址線，那么是不是有4m 的存儲(chǔ)空間呢，但是就是不知道怎么區(qū)分程序，數(shù)據(jù)空間的，難道就是根據(jù)初始化寄存器來(lái)設(shè)定的？
21 20 19 ................. 3 2 1*8 20 19 18 ................. 2 1 0根據(jù)我的flash,我把emif口的ce1ctl和gblctl設(shè)置成16 bit 模式,ce1空間的起始地址是0x90000000,2.flash的we,oe,ce,ry線分別與dsp的we,oe,ce1,通用io口(mcbsp口可設(shè)置成io口)相連;3.我用的flash是am29lv800b;4.flash的16跟數(shù)據(jù)線與dsp的低16位數(shù)據(jù)線相連;調(diào)試中碰到的問(wèn)題:1.根據(jù)flash手冊(cè)說(shuō)明,應(yīng)該往555和2aa里寫(xiě)命令,那根據(jù)我前面說(shuō)的硬件設(shè)計(jì),我在dsp程序中對(duì)應(yīng)的地址是0x90000aaa和0x90000554嗎?(c6000里對(duì)地址還要進(jìn)行移位調(diào)整)2.我的調(diào)試程序就是往flash里寫(xiě)chip erase命令,在程序里先設(shè)置emif口寄存器,然后就是往0x90000aaa和0x90000554里寫(xiě)命令,寫(xiě)完后dsp進(jìn)入死循環(huán),等待一段時(shí)間,從ccs里用view memor
AM29LV800BB AM29LV800BT AM29LV800DB-90EC AM29LV800DT-70EC AM386 AM400 AM402 AM417 AM462 AM486
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