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請教為了使DSP能夠?qū)慺lash,如何配置EMIF和地址... |
| 作者：yexinfen4g 欄目：DSP技術(shù) |
各位大蝦: 小弟用的是C6711,現(xiàn)在想向FLASH里寫chip erase的命令,FLASH用的是字模式,由于DSP的地址線是從EA2-E-A20,而FLASH的地址線是A0--A18,A0對應著EA2,FLASH所在的CE1空間的起始地址是0x90000000, 1.按照手冊所說,應該向555和2AA里寫東西就行了,那么在程序里555和2AA的地址是不是應該是0x90000000+555*4和0x90000000+2AA*4呢? 2.我需要設置EMIF的控制寄存器嗎?按照默認的設置直接進行寫操作可以嗎? 3.文章上說C6711的EMIF會自動根據(jù)存儲器的寬度進行拆包,比如我現(xiàn)在用的FLASH是16位的,DSP就會把32位的數(shù)據(jù)分兩次輸出? 4.DSP寫到FLASH的chip erase命令是6個周期的,是不是DSP在發(fā)這6個控制數(shù)據(jù)時,每次要間隔一些時間? 跪求各位大蝦的指點!! |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： yexinfen4g 于 2005/1/17 16:00:00 發(fā)布：
基于DSP的FLASH接口設計 請大蝦指點啊! |
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| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： shixiudong 于 2005/1/17 23:54:00 發(fā)布：
比較麻煩，單純通過打字來溝通，比較煩。 你還需要說明如下問題： 1、你的地址譯碼如何做的？ 2、你的FLASH的信號wr, rd, cs, ul/uh（如果有的話）怎么連接的？ 3、你用的什么FLASH芯片？ 4、的數(shù)據(jù)線怎么連接到FLASH的？ 等等。 DSP向FLASH寫數(shù)據(jù)，沒有太大難度，但是比較麻煩。 史修棟 |
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| 4樓： | >>參與討論 |
| 作者： onlineit 于 2005/1/18 19:35:00 發(fā)布：
可提供通過JTAG口對FLASH進行燒寫的源程序 特點： TMS320C6711 高性能32-位浮點DSP，工作主頻高達150MHz，處理性能可達900MFLOPS。 片上存儲器： 4K-Byte L1P Program Cache 4K-Byte L2 Data Cache 64K-Byte L2 MEMORY SDRAM： 設計最大容量為8M×32-位，基本配置為2M×32-位 FLASH： 設計最大容量為512K×16-位，基本配置為256K×16-位 UART： 2路MCBSP 多通道緩沖串口 HPI： 16位HPI接口 EPLD： ALTERA 7000AE可編程邏輯器件 性能： 主處理器：TMS320C6711，工作主頻高達150MHz，處理能力可達900MFLOPS SDRAM： 2M×32-位，工作時鐘100MHZ FLASH： 256K×16-位，70ns（20年數(shù)據(jù)保存，100,000次擦寫） EPLD： ALTERA 7000AE可編程邏輯器件 電源監(jiān)控：板載+5V、+3.3V和+1.8V電源監(jiān)控 總線：32-位數(shù)據(jù)總線，用戶可尋址空間CE2，CE3 拔碼開關：4位用戶拔碼開關，供用戶設置 LED指示：電源指示、復位指示、4位用戶程序狀態(tài)指示 串口：2通道同步串口 HPI：16位HPI接口 JTAG: 板載JTAG接口 啟動模式：16位FLASH啟動 工作溫度： -10～+55℃ 機械尺寸： 67.6mm×70mm，大小和名片差不多 應用： 高性能DSP嵌入式應用 高性能的音頻處理系統(tǒng) 高性能數(shù)據(jù)處理 TMS32C6000系統(tǒng)評估和論證 如果哪位朋友要用浮點DSP做項目或課題，使用該板子可以節(jié)省不少開支，加快產(chǎn)品上市時間，可提供通過JTAG口對FLASH進行燒寫的源程序，并提供相關的技術(shù)支持，提供外圍電路設計參考。 聯(lián)系電話：0773-3180127、13977389472 聯(lián)系人：夏先生 Email:onlineit@163.com
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| 5樓： | >>參與討論 |
| 作者： onlineit 于 2005/1/18 19:37:00 發(fā)布：
背面貼圖
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| 6樓： | >>參與討論 |
| 作者： zhier81 于 2005/1/19 10:48:00 發(fā)布：
按照FLASH的時序讀寫就可以了吧。 |
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| 7樓： | >>參與討論 |
| 作者： yexinfen4g 于 2005/1/20 10:40:00 發(fā)布：
FLASH說明 1.(書上說的)c6000的EMIF口會自動進行移位調(diào)整,這保證了在對窄存儲器存儲操作時提供正確的地址.對16bitROM,地址自動左移一位,移出的高位地址將被舍棄. EA(DSP的外部地址引腳) 22 21 20 ................. 4 3 2 字長 *32 22 21 20 ................. 4 3 2 *16 21 20 19 ................. 3 2 1 *8 20 19 18 ................. 2 1 0 根據(jù)我的FLASH,我把EMIF口的CE1CTL和GBLCTL設置成16 bit 模式,CE1空間的起始地址是0x90000000, 2.FLASH的WE,OE,CE,RY線分別與DSP的WE,OE,CE1,通用IO口(MCBSP口可設置成IO口)相連; 3.我用的FLASH是AM29LV800B; 4.Flash的16跟數(shù)據(jù)線與DSP的低16位數(shù)據(jù)線相連; 調(diào)試中碰到的問題: 1.根據(jù)FLASH手冊說明,應該往555和2AA里寫命令,那根據(jù)我前面說的硬件設計,我在DSP程序中對應的地址是0x90000AAA和0x90000554嗎?(c6000里對地址還要進行移位調(diào)整) 2.我的調(diào)試程序就是往FLASH里寫chip erase命令,在程序里先設置EMIF口寄存器,然后就是往0x90000AAA和0x90000554里寫命令,寫完后DSP進入死循環(huán),等待一段時間,從ccs里用view MEMORY看0x90000000里的數(shù)據(jù)發(fā)現(xiàn)不是全1; |
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| 8樓： | >>參與討論 |
| 作者： shixiudong 于 2005/1/21 0:27:00 發(fā)布：
告訴我你的EMAIL 請告訴我你的EMAIL，源代碼發(fā)給你。 史修棟 |
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| 9樓： | >>參與討論 |
| 作者： yexinfen4g 于 2005/1/21 1:25:00 發(fā)布：
to:史修棟 yexinfeng450@163.com xfye@pcn.xidian.edu.cn 太謝謝你了!!, |
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| 10樓： | >>參與討論 |
| 作者： sun0_liang 于 2005/3/30 13:04:00 發(fā)布：
能共享嗎？說說解決方法。 TO:史修棟 || yexinfen4g !! 史修棟不就是版主嗎。大家一起學學啦！！ * - 本貼最后修改時間：2005-3-30 13:07:52 修改者：sun0_liang |
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