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分析變流器核心器件MOSFET與IGB性能
夠達到很好的均流效果例如，infineon的ff450r17me3，下圖是其飽和壓降的溫度特性，當集電極電流大于100a時，飽和壓降有良好的正溫度系數(shù)。本人使用兩個模塊并聯(lián)，輸出總電流400a交流有效值，實測并聯(lián)模塊電流的不均勻度小于5％。三菱的cm400du-24nfh，該器件最大額定電流為400a，這是一個開關(guān)速度很快的igbt，其飽和壓降比較大，一般應(yīng)用在工作頻率較高的地方，所以，總損耗較大，因此一般峰值電流在200a左右。從下圖可以清楚地看到，該igbt集電極電流小于350a時，其飽和壓降為負溫度系數(shù)。來源:qick

MOSFET市場出現(xiàn)恐慌性缺貨現(xiàn)象
恐慌性缺貨現(xiàn)象。”深圳市銳駿半導體市場總監(jiān)朱兵解釋。目前高端消費類電子產(chǎn)品、電信、工控、汽車電子等市場用mosfet仍由英飛凌、st、飛兆等國外廠商把持，國內(nèi)廠商由于起步較晚，在產(chǎn)品的功率密度、散熱和可靠性上，與國際大廠相比均存在一定的差距。但是本土企業(yè)也具備一定優(yōu)勢，比如同等規(guī)格的產(chǎn)品，性價比高，而且供貨穩(wěn)定，交期短。隨著這幾年本土公司在技術(shù)和人力上加大投入，與國際廠商的差距正逐步縮小，已基本可以滿足國內(nèi)市場的需求，深圳銳駿朱兵表示，我們現(xiàn)在可提供電壓20v-600v，電流從幾a到350a的mosfet，導通電阻可以做到只有1.3mω，在一般低電壓高電流應(yīng)用中，普通整流二極管0.7v左右導通壓降，效率只能達到50%，而我們的mosfet導通壓降低于 0.1v，這樣效率可以做到80%-90%。此外，國外廠商受產(chǎn)能限制，不可能覆蓋所有客戶，而且國內(nèi)中小型客戶訂單量小分散，不固定，原廠和分銷商對這類公司也無暇顧及，因而這些公司就迫切需要專門針對這種需求的本土供應(yīng)商。深圳銳駿半導體目前的mosfet產(chǎn)品主要應(yīng)用于電動車控制器，電動工具，逆變器，ups/eps，適配器

GBC2M-1型單相交流調(diào)壓通用型可控硅調(diào)壓器
220長×124寬×167高 050- 50a 220長×124寬×167高 080- 80a 245長×162寬×200高 125- 120a 245長×162寬×200高 175- 175a 290長×164寬×258高 255- 255a 290長×164寬×258高 300- 300a 320長×175寬×300高 350- 350a 320長×175寬×300高 400- 400a 400長×175寬×350高歡迎轉(zhuǎn)載，信息來自維庫電子市場網(wǎng)（www.udpf.com.cn）

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