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，模數(shù)轉(zhuǎn)換將放大的模擬信號轉(zhuǎn)換成脈沖密度調(diào)制（pdm）信號，通常采用過采樣的1位δ-σ模數(shù)轉(zhuǎn)換（見圖1b）。mems模擬麥克風(fēng)主要由mems傳感器，充電泵，緩沖放大器，屏蔽外殼組成。參照圖1c, mems傳感器由半導(dǎo)體工藝制成的振膜，背極板和支架構(gòu)成，通過充電泵給背極板加上適當(dāng)?shù)臉O化偏壓。緩沖放大器完成阻抗變換，放大信號。mems數(shù)字麥克風(fēng)主要由mems傳感器，充電泵，數(shù)字麥克風(fēng)芯片和屏蔽外殼組成，參照圖1d。為了提高麥克風(fēng)抗干擾能力，麥克風(fēng)內(nèi)部電源和地之間都增加了小的濾波電容，通常是10pf和33pf并聯(lián)。 圖1a ecm模擬麥克風(fēng) 圖1b ecm數(shù)字麥克風(fēng) 圖1c mems模擬麥克風(fēng) 圖1d mems數(shù)字麥克風(fēng) 麥克風(fēng)偏置電路：通過手機(jī)中麥克風(fēng)電路的典型應(yīng)用，比較一下ecm模擬麥克風(fēng)，mems模擬麥克風(fēng)和數(shù)字麥克風(fēng)的差異。圖2a為ecm模擬麥克風(fēng)的偏置電路。為了減小干擾，手機(jī)中的麥克風(fēng)電路采用差分輸出。麥克風(fēng)電源經(jīng)過r5電阻c9電容濾波以后，通過r6供給麥克風(fēng)內(nèi)部的場效應(yīng)管，由r6、r9差分組成差分輸出電路。c15和r6、r9以及麥克風(fēng)的輸出阻抗組成低通濾波器
1m r0805r5,r8,r11 4k7 r0805r7 1k5 r0805r10 2k2 r0805r12 470 r0805r13 33k r0805r14,r15 27 r0805r16 51k r0805c1,c6,c7 100nf c0805c9-c11 100nf c0805c2-c5 33pf c0805c8 10uf/16 elna_rv2_4c14 10uf/16 tantal ! c6032c15 1uf/16 tantal c3528c12,c13 100uf/10 elna_rv2_63d1 bas32 sod80 *t2 bc817 sot23ic1 atmega161l tqfp44ic2 vs10
形，輸出信號頻率fo'。 對于vco頻段控制引腳rng可以這樣處理：通過集成數(shù)值比較器對bci)／n分頻的最高位d3進(jìn)行分檔，例如可以通過dip開關(guān)設(shè)定數(shù)值比較器基準(zhǔn)bcd(：b3一bo)為0100或0011，當(dāng)d3小于或超過基準(zhǔn)后分別得到高或低電位vrng信號。vrng接入vco的2腳，實現(xiàn)整個頻率范圍的覆蓋。否則固定vrng不變的前提下，vco無法實現(xiàn)頻率范圍的覆蓋，除非要求最終輸出頻率范圍不寬．并在vco頻率變化范圍內(nèi)。 3.5實測數(shù)據(jù) (1)選用cext(圖7中的c12)為33pf，數(shù)值比較器基準(zhǔn)b3一b0設(shè)置為0011，測量輸出信號fo'，并與數(shù)碼管顯示的數(shù)值對比，在0.7mhz～9.999mhz時電路鎖定。實際測量vfc與輸出頻率之間的關(guān)系，見表4。 (2)選用cext為20pf數(shù)值比較器基準(zhǔn)b3一b0設(shè)置為0100，測量輸出信號fco'，與數(shù)碼管顯示的數(shù)值對比，在lmhz～9.999mhz時電路鎖定。實際測量vfc與輸出頻率之間的關(guān)系，見表5。表4 vfc與輸出頻率的關(guān)系 說明 bcd最高位d3≤3(0011):vrng高電平 頻點f0'
決定rs的大小。簡單的辦法是讓系統(tǒng)工作在最低溫度和最大電壓情況下，此時得到的應(yīng)該是時鐘電路最大輸出幅度。用示波器觀察引腳osc2的輸出波形（注意，示波器的探頭將給電路引入一個電容，一般為幾pf），如果發(fā)現(xiàn)正弦波的峰（接收vdd處）和谷（接收vss處）被削平或壓扁，說明驅(qū)動過載，需要在osc2和c2間加入1個電阻rs，一般1kω左右或小于1kω。rs不宜過大，過大將使得輸入和輸出產(chǎn)生隔離，從而產(chǎn)生較大的噪聲。當(dāng)發(fā)現(xiàn)需要一個較大的rs才能消除過驅(qū)動時，可以增加負(fù)載電容c2來補償。c2一般選擇在15～33pf之間。 系統(tǒng)振蕩電路的設(shè)計對系統(tǒng)的穩(wěn)定性、功耗等影響很大。一般情況下，系統(tǒng)從sleep狀態(tài)下喚醒時，振蕩電路最難啟動（尤其系統(tǒng)工作在高溫、低壓、低頻的情況下）。此時，電阻rs有利于振蕩電路的啟動，因為廉價的碳膜電阻容易產(chǎn)生白噪聲，從而幫助電路起振。此外，選擇c2稍大于c1以增大相移，也有利于電路起振。2 具體應(yīng)用例子 2.1 系統(tǒng)組成及框圖 系統(tǒng)主要由pic單片機(jī)、雙音頻解碼拔號電路、語音集成電路、接口電路、vcc電源控制電路、射頻發(fā)射電路和eeprom組成，可完成對家用電器的控制和對報警
，在xtal1、xtal2 的引腳上外接定時元件（一個石英晶體和兩個電容），內(nèi)部振蕩器便能產(chǎn)生自激振蕩。一般來說晶振可以在1.2 ～ 12mhz 之間任選，甚至可以達(dá)到24mhz 或者更高，但是頻率越高功耗也就越大。在本實驗套件中采用的11.0592m 的石英晶振。和晶振并聯(lián)的兩個電容的大小對振蕩頻率有微小影響，可以起到頻率微調(diào)作用。當(dāng)采用石英晶振時，電容可以在20 ～ 40pf 之間選擇（本實驗套件使用30pf）；當(dāng)采用陶瓷諧振器件時，電容要適當(dāng)?shù)卦龃笠恍?，?0 ～ 50pf 之間。通常選取33pf 的陶瓷電容就可以了。 另外值得一提的是如果讀者自己在設(shè)計單片機(jī)系統(tǒng)的印刷電路板（pcb） 時，晶體和電容應(yīng)盡可能與單片機(jī)芯片靠近，以減少引線的寄生電容，保證振蕩器可靠工作。檢測晶振是否起振的方法可以用示波器可以觀察到xtal2 輸出的十分漂亮的正弦波，也可以使用萬用表測量（ 把擋位打到直流擋，這個時候測得的是有效值）xtal2 和地之間的電壓時，可以看到2v 左右一點的電壓。 2. 復(fù)位電路 在單片機(jī)系統(tǒng)中，復(fù)位電路是非常關(guān)鍵的，當(dāng)程序跑飛（運行不正常）或死機(jī)（停止運行
路上，它們使rfi 和emi濾波器、旁路電容、cmos數(shù)字濾波器、和智能卡、無源電子身份牌以及其它混合產(chǎn)品中使用的低通濾波等的布局方式具有高度的靈活性。 新型的nca、ncb、ncc、ncd和nce器件可以配置一個復(fù)合二氧化硅/氮化硅電介質(zhì)(mnos)，用于要求電介質(zhì)吸收較低的關(guān)鍵微波或者高頻應(yīng)用，也可以配帶二氧化硅電介質(zhì)(mos)。 nca電容器的尺寸為0.020英寸×0.020英寸，電容量為0.5pf至51pf；ncb電容器的尺寸是0.030英寸×0.030英寸，電容量為33pf至100pf；ncc裝置的尺寸是0.040英寸×0.040 英寸，電容量范圍為56pf至220pf；ncd裝置的尺寸是0.055英寸×0.055英寸，電容量為150pf至510pf； nce電容器的尺寸為0.060英寸×0.060英寸，電容量范圍為360pf至1000pf。該系列的容差低至±2.5%。 nca、ncb和ncc電容器都有一個頂部觸點，但稍大的ncd和nce型號電容器有三個平行相連的頂部觸點，主要是為了方便焊接。五個型號的電容器均帶有一個半導(dǎo)體硅基片、一個尺寸為0.005英
器都有排斥，其實沒仿真器也有好處的，我的幾個比較大的項目就是在沒仿真器的情況下完成的。學(xué)習(xí)知識動手是少不了的，特別是應(yīng)用性的知識，不多動手絕對是行不通的。 我學(xué)習(xí)單片機(jī)真正的動手是從工作后開始，自己學(xué)protel，然后用公司的錢畫了板（花了400元，深圳價），接著找現(xiàn)成的程序編譯后燒進(jìn)單片機(jī)里驗證，不過這時候已沒人教你了，工作后就是這樣，雖然公司招人時說有培訓(xùn)，但那只限于特定的知識。我第一次實驗就連晶振都不起震，對著書畫的板的，一切沒錯啊，弄了兩天，問了很多人，跳了幾條線，最后把書上畫的33pf的電容換成22pf的就ok了，就這么簡單的問題卻搞的我灰頭灰腦的，后來照書上的程序又運行了幾個，很少有現(xiàn)成就能用的，花的時間不少，倒是有一個和我一起進(jìn)公司的同事，他沒有基礎(chǔ)，所以買了一個學(xué)習(xí)開發(fā)板，最后學(xué)起來入門的好象比我快，可能是我比較笨吧：） 可是在買開發(fā)學(xué)習(xí)板時也是出了問題的。下面就是我針對自己和別人在學(xué)習(xí)中出現(xiàn)的問題向初學(xué)者提幾個建議： 1、 學(xué)好單片機(jī)要花多少錢？ 這個是大家關(guān)心的問題，現(xiàn)在沒錢就做不了事的，大學(xué)的學(xué)費都會使某些家庭家破人亡呢（說笑了）?？傮w來說學(xué)習(xí)單
線亦已試制成功。示范成品率可與其它cmos工藝相媲美。 盡管單個開關(guān)器件的bvdss相對低些，但將多個fet串聯(lián)堆疊仍能承愛高電壓。為了確保電壓在器件堆上的合理分壓，fet至襯底間的寄生電容與fet的源與漏間寄生電容相比應(yīng)忽略不計。當(dāng)器件外圍達(dá)到毫米級使總電阻較低時，要保證電壓的合理分壓，真正的絕緣襯底是必不可少的。 ultra cmos 開關(guān)插入損耗低，隔離度高。sp6t結(jié)構(gòu)消除了雙工器，大大地減少了總插入損耗。為了滿足iec1000-4-2esd要求，天線處并聯(lián)一個27nh電感再串聯(lián)一個33pf電容已綽綽有余。這些元件也可集成在ltcc中，增加的插入損耗不到0.1db。 gsm開關(guān)設(shè)計，特別是采用低壓工藝，最困難之處在于滿足線性度要求。上面已提及，只要將多個器件按需堆疊，就能實現(xiàn)任意高功率要求，然而在滿足規(guī)范的同時，還要優(yōu)化器件堆結(jié)構(gòu)以減少芯片尺寸。已設(shè)計了一個示范性開關(guān)，當(dāng)電源電壓為2.4v時，其諧波功率對輸入功率的關(guān)系和壓縮性能示于圖3中。在最大工作功率+35dbm處，ultra cmos開關(guān)相對于gsm規(guī)范-30dbm要求還有6db的余量。采用ultra cmos工藝，畸變對正
。由74hc04與晶振構(gòu)成1mhz方波信號，一路送至單片機(jī)pic16c71作為振蕩信號，另一路送到接近感應(yīng)探測電路，并分兩路送入異或門(xor)，兩路信號通過幾乎相同的比較器傳輸?shù)絰or輸入端，其中一路通過比較器直接進(jìn)入異或門的一個輸入端，另一路被延時0.693r1c1秒并由比較器整形后送入另一輸入端，r6和c4對xor輸出濾波后產(chǎn)生與距離成正比的電壓。由于xor輸出信號的占空比正比于r1、c1延時與比較器傳輸延時的總和，所以比較器延時的微小變化會掩蓋感應(yīng)電容的微小變化。圖2中的延時電容包括一個33pf電容和15p屏蔽線電容以及門頭鎖(或200cm2敷銅板)的感應(yīng)電容。在輸入方波的正半周，通過r1將等效的延時電容充電至5v。當(dāng)無人接近探測器時，該電容等于48pf，在上面一路xor輸入產(chǎn)生16.5ns的延時。當(dāng)人體距探測器20cm處時，電容增加到50pf，產(chǎn)生17.3ns延時，這樣就產(chǎn)生了一個0.8ns的時間差。要檢測出如此小的時間差，且在整個溫度范圍內(nèi)要保證精度，比較器必須具有非常穩(wěn)定的失調(diào)電壓和傳輸延時(延遲時間同時受失調(diào)電壓和傳輸延時的影響)。因此，我們采用高速、高精度電壓比較器max91
所示為由rf2155構(gòu)成的915mhz功率放大器應(yīng)用電路。射頻信號(rf)由7腳輸入，經(jīng)過前置放大器、末級功率放大器放大后由11腳輸出。7腳與內(nèi)部放大器是直接耦合，因此建議在7腳外加一個uhf隔直耦合電容。由于有4個增益可以設(shè)置，所以在輸入端串聯(lián)一個6.8nh電感。末級功率放大器為不匹配集電極晶體管，輸出端11腳和14腳在芯片內(nèi)部已連接，14腳作為末級功率放大器電源供電端，通過這些腳向末級功放提供偏置電流。14腳也作為二次諧波的濾波電路，能有效地短接二次諧波，采用約500mils傳輸線作為電感與33pf電容構(gòu)成濾波器(在靠近vcc處可放置一個鉭電容)。8腳接功率控制腳(pc)，可以控制該腳電壓從而控制電源功率。當(dāng)電壓為低電平時(0v時)，放大器電源處于關(guān)斷狀態(tài)；當(dāng)電壓為高電平時(3v時)，放大器處于全功率工作狀態(tài)。8腳外接uhf或hf電容濾波。15、16腳為rf功率增益控制端，分別控制輸出功率增益為8db bit步長和16db bit步長，這些腳高電平至少2.7v，不得超過3.3v，同時外接一個uhf旁路電容。 來源:與你同行
，在c2兩端產(chǎn)生+l2v電壓，作為ic2的工作電源。+l2v電壓還經(jīng)rl加至kl兩端，使kl通電吸合，其常閉觸頭斷開，c3通過rp緩慢充電。 剛接通電源時，ic2的2腳、6腳為低電位，3腳輸出高電平，k2不動作，vl不發(fā)光。當(dāng)c3兩端電壓充至8v以上時，ic2內(nèi)電路翻轉(zhuǎn)，3腳變?yōu)榈碗娖?，k2通電吸合，其常開觸頭接通，同時vl點亮。 改變rp的阻值和c3的容量，可改變時司繼電器的延時時間 (在rp的阻值為l5mn下c3的容量為33μf時，延時時司為9min;在rp的阻值為lomn、c3的容量為33pf時，延時時間為6mω;在rp的阻值為1.5mω、c3的容量為22μf時，延時時間為1-30s)。 元器件選擇 rl選用1/2w金屬膜電阻器;飽選用1/4w金屬膜電阻器。 rp選用有機(jī)實心可變電阻器。 cl選用耐壓值為5ov的鋁電解電容器;c2和c3均選用耐壓值為13v的鋁電解電容器;c4選用獨石電容器或滌綸電容器。 vdl-vd4均選用1n4007型硅整流二極管。 vl選用φ3mm的高亮度發(fā)光二極管。 icl選用lm7812型三端集成穩(wěn)壓器;ic2選用ne罰5型時基集成電路。 t
所示為由rf2155構(gòu)成的915mhz功率放大器應(yīng)用電路。射頻信號(rf)由7腳輸入，經(jīng)過前置放大器、末級功率放大器放大后由11腳輸出。7腳與內(nèi)部放大器是直接耦合，因此建議在7腳外加一個uhf隔直耦合電容。由于有4個增益可以設(shè)置，所以在輸入端串聯(lián)一個6.8nh電感。末級功率放大器為不匹配集電極晶體管，輸出端11腳和14腳在芯片內(nèi)部已連接，14腳作為末級功率放大器電源供電端，通過這些腳向末級功放提供偏置電流。14腳也作為二次諧波的濾波電路，能有效地短接二次諧波，采用約500mils傳輸線作為電感與33pf電容構(gòu)成濾波器(在靠近vcc處可放置一個鉭電容)。8腳接功率控制腳(pc)，可以控制該腳電壓從而控制電源功率。當(dāng)電壓為低電平時(0v時)，放大器電源處于關(guān)斷狀態(tài)；當(dāng)電壓為高電平時(3v時)，放大器處于全功率工作狀態(tài)。8腳外接uhf或hf電容濾波。15、16腳為rf功率增益控制端，分別控制輸出功率增益為8db bit步長和16db bit步長，這些腳高電平至少2.7v，不得超過3.3v，同時外接一個uhf旁路電容。
晶振要用33pf的電容，能用30pf或40pf的代替嗎？晶振要用33pf的電容，能用30pf或40pf的代替嗎差點行嗎？
請教關(guān)于振蕩問題pic16c57c采用4mhz晶振，振蕩型式選用xt，振蕩腳與地間用33pf電容，做成產(chǎn)品，測試過程中有時有部分有不起振現(xiàn)象，換晶振即可起振，但此晶振用于其它上也ok，有哪位大嚇有這方面的經(jīng)驗？
我要買房開店，philips卻給告我設(shè)計房子需要考慮的問題！crystal兩端可接 15pf-->33pf的電容。到底是15還是33，我是否可以把這個數(shù)值寫到我的材料單中？zlg老板不開了我才怪的。
同意樓上的我以前也是不小心看錯了電容，也是這樣，快換電容啊選13~33pf的
nical things. prior electronic experience. a dead vcr or floppy drive or other source of a suitable motor and miscellaneous parts. a programmer that will program a pic16c84 or 16f84 microprocessorthe propeller clock parts list capacitors:c1, c2 - 33pf ceramicc3, c6 - 0.1uf ceramicc4 - 47uf electrolyticc5 - 47,000uf supercap(memory cap) diodes:d1-d7 - light emitting diodesd8-16 - 1n4001 general purpose 1 amp rectifiers resistors:r1 - 120 ohm dip array or seven 120 ohm resistorsr2-r6 - 10k ohm misc
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