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當(dāng)前位置:維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)>IC>2n6027 更新時(shí)間:2025-08-31 18:48:22

2n6027供應(yīng)商優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨

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歷史最低報(bào)價(jià):¥0.0400 歷史最高報(bào)價(jià):¥15.0000 歷史平均報(bào)價(jià):¥1.4000

2n6027中文資料

  • 基于NI Multisim 10與LabVIEW的單結(jié)晶體管伏安特性測(cè)試

    器件供實(shí)驗(yàn)選用,虛擬測(cè)試儀器儀表種類齊全,有一般實(shí)驗(yàn)用的通用儀器,但沒有晶體管圖示儀,只能測(cè)試晶體三極管、pmos和nmos伏安特性曲線,不具備測(cè)試單結(jié)晶體管的伏安特性的功能??梢岳胢ultisim 10強(qiáng)大的仿真功能,對(duì)單結(jié)晶體管的測(cè)試電路進(jìn)行數(shù)據(jù)采集。 1.1 單結(jié)晶體管的測(cè)試電路 單結(jié)晶體管的伏安特性測(cè)試條件是當(dāng)?shù)诙鶚Ob2與第一基極b1之間的電壓vbb固定時(shí),測(cè)試發(fā)射極電壓ve和發(fā)射極電流ie之間的關(guān)系。在multisim 10中畫出單結(jié)晶體管的測(cè)試電路,如圖l所示。選取2n6027管為測(cè)試管,圖1中4號(hào)線接發(fā)射極e;3號(hào)線接第二基極b2;0號(hào)線接第一基極b1;電壓源v1和v2的數(shù)值不固定,可在直流掃描時(shí)進(jìn)行修改。 1.2 單結(jié)晶體管測(cè)試電路的直流掃描分析 multisim 10可同時(shí)對(duì)2個(gè)直流源進(jìn)行掃描,仿真時(shí),選擇v2直流源,掃描曲線的數(shù)量等于v2直流源的采樣點(diǎn)數(shù)。每條曲線相當(dāng)于v2直流源取某個(gè)電壓值時(shí),對(duì)v1直流源進(jìn)行直流掃描分析所得的曲線。橫坐標(biāo)是v2,縱坐標(biāo)是v(4)電壓(即ve)和i(v3)電流(即ie),不符合單結(jié)晶體管伏安特性ve與ie

  • 2N6027的技術(shù)參數(shù)

    產(chǎn)品型號(hào):2n6027門極到陽(yáng)極最大漏電流igao max (ua):0.010峰值電流ip max(ua):2偏移電壓vt min(v):0.200偏移電壓vt max(v):1.600谷電流iv max(ua):50封裝/溫度(℃):to92/-50~100價(jià)格/1片(套):¥1.30 來源:零八我的愛

  • 2N6027RLRAG的技術(shù)參數(shù)

    產(chǎn)品型號(hào):2N6027RLRAG
    門極到陽(yáng)極最大漏電流IGAO Max (uA):0.010
    峰值電流IP Max(uA):2
    偏移電壓VT Min(V):0.200
    偏移電壓VT Max(V):1.600
    谷電流IV Max(uA):50
    封裝/溫度(℃):TO92/-50~100
    價(jià)格/1片(套):暫無


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  • 2N6027的技術(shù)參數(shù)

    產(chǎn)品型號(hào):2N6027
    門極到陽(yáng)極最大漏電流IGAO Max (uA):0.010
    峰值電流IP Max(uA):2
    偏移電壓VT Min(V):0.200
    偏移電壓VT Max(V):1.600
    谷電流IV Max(uA):50
    封裝/溫度(℃):TO92/-50~100
    價(jià)格/1片(套):¥1.30


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  • 2N6027

    0.02mA/40V

  • 日光燈直流驅(qū)動(dòng)器電路

    相關(guān)元件pdf下載:2n3904 2n6027 本電路提供一種可用直流電源驅(qū)動(dòng)大多數(shù)小型日光燈的方法。 初始時(shí),q1發(fā)射極驅(qū)動(dòng)mosfetq2的柵極變高,使q2導(dǎo)通。這時(shí)變壓器初級(jí)線圈t1表現(xiàn)為一只電感,電流在電感中逐步斜升。當(dāng)t1、q2中通過的電流上升到0.62/rs安培時(shí)(設(shè)計(jì)值約la),q3就導(dǎo)通。把q1基極及q4柵極電位拉向地電位,導(dǎo)致可編程單結(jié)晶體管q4觸發(fā),這時(shí)q4表現(xiàn)為一只可控硅并迅速驅(qū)動(dòng)q2的柵極為零。這時(shí),存儲(chǔ)在t1初級(jí)線圈中的能量便轉(zhuǎn)向次級(jí)線圈,使日光燈受激。這時(shí)q4仍維持原狀,直至t1將其能量全部釋放給日光燈為止。此時(shí)t1中產(chǎn)生的反向電流流回q2的體二極管,導(dǎo)致q2的柵級(jí)略負(fù),因q2有分布電容存在,q4的陽(yáng)極因而也變負(fù),q4截止,q2再次導(dǎo)通,開始下一周的振蕩。 用圖中元件值,振蕩頻率約30khz,直流電源為10—20v。在15v時(shí)消耗電流為170ma。t1的設(shè)計(jì)最大峰值電流為0.4a。r1用來控制日光燈亮度,r1阻值較小時(shí)則t1中能量增加,使日光燈發(fā)光更亮。要關(guān)斷電路可將on/off端接地即可。 華崇良

  • 請(qǐng)教可調(diào)單結(jié)晶體管(BUT)谷點(diǎn)電流Iv的設(shè)計(jì)

    請(qǐng)教可調(diào)單結(jié)晶體管(but)谷點(diǎn)電流iv的設(shè)計(jì)可調(diào)單結(jié)晶體管谷點(diǎn)電流iv,是決定張馳振蕩器輸出功率的很關(guān)鍵的因素。如果谷電電流不夠大,則當(dāng)輸出功率大到一定程度,就會(huì)因輸出電流一直大于谷點(diǎn)電流而難以關(guān)斷,造成停振。查國(guó)外可調(diào)單結(jié)晶體管2n6027與2n6028,其谷點(diǎn)電流由門極所接電阻rg(電流)設(shè)定。該電阻rg越小(電流越大),則谷點(diǎn)電流越大。從手冊(cè)上看出,當(dāng)谷點(diǎn)電流大到1~1.5ma時(shí),rg須小到200歐(vs=10v)。假設(shè)分壓比為0.67,則vb=vs/0.67=15v,那么須r1=600歐,r2=300歐。這樣,r1r2上的電流就有16.7ma.我們知道,我們所需要的是真正在工作的iv,但為了得到它,卻要在輔助電路上付出十幾倍的代價(jià)。而且,1.5ma的谷點(diǎn)電流,對(duì)許多實(shí)際工作來說,還是嫌太低。也許這就是可調(diào)單結(jié)晶體管在中國(guó)很少被采用的原因?反觀不可調(diào)的真正的單結(jié)晶體管bt31f,rbb=5~10kω,在同等條件下,輔助電流只有1.5~3ma,卻能獲得12ma的谷點(diǎn)電流。也就是說,輔助電流不是大到十幾倍而是小到4分之1甚至8份之1。二者效率相差幾十到上百倍。大約10年前,我曾在某本電子雜志上

  • 請(qǐng)教可調(diào)單結(jié)晶體管2N6027與2N6027G的區(qū)別

    請(qǐng)教可調(diào)單結(jié)晶體管2n6027與2n6027g的區(qū)別也就是最后那個(gè)g字是啥意思?有了這個(gè)g字后性能有哪些不同?

2n6027替代型號(hào)

2N6008 2N60 2N5961 2N5909 2N5886G 2N5886 2N5832 2N5812 2N5777 2N5772

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