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LED照明驅(qū)動選擇與設(shè)計(jì)技巧揭秘
果c、v和f不能改變，那么請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。再簡單一點(diǎn)，就是考慮更好的散熱吧。 2、功率管發(fā)熱功率管的功耗分成兩部分，開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。要注意，大多數(shù)場合特別是led市電驅(qū)動應(yīng)用，開關(guān)損害要遠(yuǎn)大于導(dǎo)通損耗。開關(guān)損耗與功率管的cgd和cgs以及芯片的驅(qū)動能力和工作頻率有關(guān)，所以要解決功率管的發(fā)熱可以從以下幾個方面解決： a、不能片面根據(jù)導(dǎo)通電阻大小來選擇mos功率管，因?yàn)閮?nèi)阻越小，cgs和cgd電容越大。如1n60的cgs為250pf左右，2n60的cgs為350pf左右，5n60的cgs為1200pf左右，差別太大了，選擇功率管時，夠用就可以了。 b、剩下的就是頻率和芯片驅(qū)動能力了，這里只談頻率的影響。頻率與導(dǎo)通損耗也成正比，所以功率管發(fā)熱時，首先要想想是不是頻率選擇的有點(diǎn)高。想辦法降低頻率吧！不過要注意，當(dāng)頻率降低時，為了得到相同的負(fù)載能力，峰值電流必然要變大或者電感也變大，這都有可能導(dǎo)致電感進(jìn)入飽和區(qū)域。如果電感飽和電流夠大，可以考慮將ccm（連續(xù)電流模式）改變成dcm（非連續(xù)電流模式），這樣就需要增加一個負(fù)載電容了。
電源方面的控制知識（新手必備）
、電壓取樣電阻當(dāng)供電繞組電壓取22v時，fb基準(zhǔn)為2v ，上下取樣電阻正好為10比1，取6.8k和68k 8、電流檢測電阻rcs rcs=vth_oc/ipk=0.91/0.424=2.15 用2.7并11歐電阻 9、二極管反壓 =vin_max/n+vo=264*1.41/3.03+25.8=149v 取耐壓200v的sf14 10、mos耐壓及漏感尖峰取 vlk75v =vin_max+vor+vlk=373+81+75=529v 考慮到功耗選用2n60。來源:liren
LED驅(qū)動設(shè)計(jì)5大技巧要領(lǐng)
分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。再簡單一點(diǎn)，就是考慮更好的散熱吧。 2、功率管發(fā)熱關(guān)于這個問題，也見到過有人在電源網(wǎng)論壇發(fā)過貼。功率管的功耗分成兩部分，開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。要注意，大多數(shù)場合特別是led市電驅(qū)動應(yīng)用，開關(guān)損害要遠(yuǎn)大于導(dǎo)通損耗。開關(guān)損耗與功率管的cgd和cgs以及芯片的驅(qū)動能力和工作頻率有關(guān)，所以要解決功率管的發(fā)熱可以從以下幾個方面解決：a、不能片面根據(jù)導(dǎo)通電阻大小來選擇mos功率管，因?yàn)閮?nèi)阻越小，cgs和cgd電容越大。如1n60的cgs為250pf左右，2n60的cgs為350pf左右，5n60的cgs為1200pf左右，差別太大了，選擇功率管時，夠用就可以了。b、剩下的就是頻率和芯片驅(qū)動能力了，這里只談頻率的影響。頻率與導(dǎo)通損耗也成正比，所以功率管發(fā)熱時，首先要想想是不是頻率選擇的有點(diǎn)高。想辦法降低頻率吧！不過要注意，當(dāng)頻率降低時，為了得到相同的負(fù)載能力，峰值電流必然要變大或者電感也變大，這都有可能導(dǎo)致電感進(jìn)入飽和區(qū)域。如果電感飽和電流夠大，可以考慮將ccm（連續(xù)電流模式）改變成dcm（非連續(xù)電流模式），這樣就需要增加一個負(fù)載電容了。 3、工作
淺析LED驅(qū)動設(shè)計(jì)五大技巧要領(lǐng)
分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。再簡單一點(diǎn)，就是考慮更好的散熱吧。 2、功率管發(fā)熱關(guān)于這個問題，也見到過有人在電源網(wǎng)論壇發(fā)過貼。功率管的功耗分成兩部分，開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。要注意，大多數(shù)場合特別是led市電驅(qū)動應(yīng)用，開關(guān)損害要遠(yuǎn)大于導(dǎo)通損耗。開關(guān)損耗與功率管的cgd和cgs以及芯片的驅(qū)動能力和工作頻率有關(guān)，所以要解決功率管的發(fā)熱可以從以下幾個方面解決：a、不能片面根據(jù)導(dǎo)通電阻大小來選擇mos功率管，因?yàn)閮?nèi)阻越小，cgs和cgd電容越大。如1n60的cgs為250pf左右，2n60的cgs為350pf左右，5n60的cgs為1200pf左右，差別太大了，選擇功率管時，夠用就可以了。b、剩下的就是頻率和芯片驅(qū)動能力了，這里只談頻率的影響。頻率與導(dǎo)通損耗也成正比，所以功率管發(fā)熱時，首先要想想是不是頻率選擇的有點(diǎn)高。想辦法降低頻率吧！不過要注意，當(dāng)頻率降低時，為了得到相同的負(fù)載能力，峰值電流必然要變大或者電感也變大，這都有可能導(dǎo)致電感進(jìn)入飽和區(qū)域。如果電感飽和電流夠大，可以考慮將ccm（連續(xù)電流模式）改變成dcm（非連續(xù)電流模式），這樣就需要增加一個負(fù)載電容了。 3、工作

2N6028RLRAG的技術(shù)參數(shù)
產(chǎn)品型號:2N6028RLRAG
門極到陽極最大漏電流IGAO Max (uA):0.010
峰值電流IP Max(uA):0.150
偏移電壓VT Min(V):0.200
偏移電壓VT Max(V):0.600
谷電流IV Max(uA):25
封裝/溫度(℃):TO92/-50~100
價格/1片(套):￥1.30
2N6028G的技術(shù)參數(shù)
產(chǎn)品型號:2N6028G
門極到陽極最大漏電流IGAO Max (uA):0.010
峰值電流IP Max(uA):0.150
偏移電壓VT Min(V):0.200
偏移電壓VT Max(V):0.600
谷電流IV Max(uA):25
封裝/溫度(℃):TO92/-50~100
價格/1片(套):￥1.30
2N6028的技術(shù)參數(shù)
產(chǎn)品型號:2N6028
門極到陽極最大漏電流IGAO Max (uA):0.010
峰值電流IP Max(uA):0.150
偏移電壓VT Min(V):0.200
偏移電壓VT Max(V):0.600
谷電流IV Max(uA):25
封裝/溫度(℃):TO92/-50~100
價格/1片(套):￥1.30

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2N6027RLRAG的技術(shù)參數(shù)
產(chǎn)品型號:2N6027RLRAG
門極到陽極最大漏電流IGAO Max (uA):0.010
峰值電流IP Max(uA):2
偏移電壓VT Min(V):0.200
偏移電壓VT Max(V):1.600
谷電流IV Max(uA):50
封裝/溫度(℃):TO92/-50~100
價格/1片(套):暫無

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2N6027的技術(shù)參數(shù)
產(chǎn)品型號:2N6027
門極到陽極最大漏電流IGAO Max (uA):0.010
峰值電流IP Max(uA):2
偏移電壓VT Min(V):0.200
偏移電壓VT Max(V):1.600
谷電流IV Max(uA):50
封裝/溫度(℃):TO92/-50~100
價格/1片(套):￥1.30

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2011年1月7日維庫電子市場網(wǎng)IC報(bào)價
產(chǎn)品型號廠家封裝批號數(shù) 量價格供應(yīng)商 lnbp13sp-trst 10+ 1200 8.25元深圳市佰昇電子有限公司2n60fai國產(chǎn) to-252 100000 0.68元深圳市豪林電子有限公司s3c2440samsung bga 05+ 10000 40.00元雙贏實(shí)業(yè)國際有限公司fmb-g24hsanken to-220f 08+pb 20000 1.70元鑫源達(dá)電子（香港）有限公司bts711l1infineon sop20 09+ 2560 6.50元雙贏實(shí)業(yè)國際有限公司tps61020drcrti/bb 0940+ 10500 6.00元深圳市博爾斯特科技有限公司bts711l1infineon sop 10+ 1000 33.00元深圳市龍鋒電子科技有限公司bts711l1inf sop 09+ 5000 28.00元深圳市奧利騰科技有限公司ne556st sop14 10+ 6000 0.90元深圳市恒創(chuàng)偉電子科技有限公司tca355tca smd 09+ 6000 12.00元深圳創(chuàng)輝科技電子有限公司bts711l1infineon sop20 2009+ 1
凌云國際——全球知名企業(yè)的首選合作伙伴
通訊、電信、工控、安防、電源、醫(yī)療設(shè)備及軍工產(chǎn)品等等。憑借著公司十年來的不懈努力，多年來不斷獲得 on semiconductor頒發(fā)的「最佳分銷商大獎」和fairchild semiconductor corporation頒發(fā) 的「最佳銷售表現(xiàn)獎」，獎項(xiàng)無數(shù)，備受贊譽(yù)。目前主要代理美國福斯特first semiconductor 和韓國kec,授權(quán)分銷美國安森美（onsemi）半導(dǎo)體，經(jīng)營產(chǎn)品為二極管、三極管、mos管、肖特基、快恢復(fù)、可控硅，集成電路 mos管。熱賣型號：2n60 5n60 8n60 10n60 12n60 3n80 8n80 50n06 75n075,mbr10100、mbr20100、mbr1045、mbr2045、mbr20200……

多功能充電器四
壓值為25v的鋁電解電容器;clo、cll和c14均選用耐壓值為16v的鋁電解電容器。 vdl和vd4均選用1n4007型硅整流二極管;vd2選用ln5819型整流二極管;vd3選用fr101型快恢復(fù)二極管或1n4148型硅開關(guān)二極管。 vll-vl3均選用φ5mm的發(fā)光二極管。 vl選用3ca5a或bd786、2sb772型硅pnp晶體管;v2選用s9013或3dgl2ob·、2sc945型硅npn晶體管;v3選用3dalo0或2sc2285、2sc5609型硅npn晶體管。 vf選用2n60型場效應(yīng)晶體管。 icl選用ka3842b型單端輸出式脈寬調(diào)制開關(guān)電源集成電路;ic2選用78肋5型三端穩(wěn)壓集成電路;ic3選用ks86c4104型微處理器集成電路。 ll和l2均選用濾波用電感線圈;l3選用小型扼流圈。 s選用動合 (常開)型按鈕。 bc選用4mhz晶體振蕩器。來源:university

需求低成本方案 2N60
需求低成本方案 2n60那位對這方面比較內(nèi)行呢 mosfet 2n60 不用ic驅(qū)動也不用tl431用三極管，穩(wěn)壓管的方案 ac=>dc 12v
5V 轉(zhuǎn) 3.3V 設(shè)計(jì)？
你們好我們是bcd的正規(guī)代理如果你有需求可以聯(lián)系我們而且我們的工程還可以協(xié)同你們的工程一起解決技術(shù)上面的問題如果還不能解決我們將由bcd原廠的工程師一起幫你們解決如果可以請聯(lián)系我們還有任何問題可以聯(lián)系我們我們現(xiàn)在主要代理美國bcd （az431 az358 ap4313 az1117 az108 az317 az494 ap3101）臺灣強(qiáng)茂panjit (sb360 sb560 sb3100 sb10100 sb20100)華晶 huajing (1n60 2n60 4n60 8n60) tel.0755-83469079 fax.25327326msn:xinqing0313@live.cnqq:412995228地址：深圳福田區(qū)華福路1006號航都大廈10a姓名：鄭r 13418780481email：wood@junwell-corp.com

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2N6028RLRAG的技術(shù)參數(shù)

2N6028G的技術(shù)參數(shù)

2N6028的技術(shù)參數(shù)

2N6027RLRAG的技術(shù)參數(shù)

2N6027的技術(shù)參數(shù)

2011年1月7日維庫電子市場網(wǎng)IC報(bào)價

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需求低成本方案 2N60

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