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k） q是電子電荷數(shù)（1.6×10-19庫侖） t是kelvins溫度 n是兩電流的比值 圖：2使用片外溫度傳感器的電路連接圖 圖2顯示了使用片外溫度傳感器的電路連接圖。圖中用一個襯底三極管作為片外傳感器，用以監(jiān)控微處理器的溫度（應(yīng)注意的是如果使用的是分立式三極管，其集電極不應(yīng)接地而是要連接在基極上）。為了避免測量中對地噪聲的干擾，傳感器的負(fù)端接三極管后再與地連接，這是利用二極管的內(nèi)部偏壓特性。電容c1可被視為噪聲濾波器，其平均值可取2200pf（但不要超過3000pf）。 為了測量δvbe可用一開關(guān)在i與n×i之間進(jìn)行切換，其輸出通過一個65khz低通濾波器去除噪聲。然后，經(jīng)過削波漂移補(bǔ)償放大器（chopper-stabilized amplifier）進(jìn)行信號放大和波形整流，在經(jīng)ad轉(zhuǎn)換后以8位二進(jìn)制補(bǔ)碼形式輸出。 片內(nèi)溫度傳感器的信號處理過程與此相同。 2. 溫度數(shù)據(jù)初始化 adc的lsb（最低有效位，least significant bit）與1℃相關(guān)，所以理論上adc的測量范圍是從-128℃到+127℃；但由
頻道b增益=（r7+ r8）/ r9 當(dāng)輸入頻率高于-3db點(diǎn)時，3d網(wǎng)路將被啟動。在此瞬間交叉投入效應(yīng)便進(jìn)行操作。如果輸入異相為180度，那么效應(yīng)將出現(xiàn)。r3d是設(shè)置3d效應(yīng)數(shù)量的要素。降低r3d的值將引起3d效應(yīng)的增加，另外還要注意一點(diǎn)：由于r3d （r5） 和 c3d （c7）是一個hpf（高通濾波器），當(dāng)改變r3d （r5）的值時，-3db點(diǎn)也將同時改變。 以下為一個實(shí)例，當(dāng)r1=r3=r4=r7=r8=r9=10k、 r3d= r5=20k & c3d= c7= 2200pf、輸入電壓=250mv時， -3db點(diǎn) = 1 / 2pi r3d c3d = 1/ 2 pi 20k 2200pf = 3617hz –3db點(diǎn)以下的頻道a增益= 2（（r3+r4） / r1） = 2 （2） = 4 當(dāng)輸入= 250mv，輸出電壓= 250mv x 4 = 1v時 在兩個輸入相差為180度時，交叉投入網(wǎng)路有一個附加的增益。（1 + 20k/r5）的倍增因數(shù)將引起增益的增加。所以高頻率（-3db點(diǎn)之后）中的增益為 a頻道的總電壓增益
聲的組件，基于對今后開關(guān)操作頻率的高頻化考慮，宜選用能消除頻率高達(dá)1000mhz噪聲的電容器。而一般的兩端結(jié)構(gòu)的旁通電容器僅能消除30mhz左右的噪聲。由以上介紹可知，相對兩端電容器來說，三端電容器能更好地抑制高頻噪聲。以emi濾波器的一般結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)，用三端電容器替代其中的兩端旁通電容cy，電路圖，如圖6所示。其中esl為三端電容器信號線上的等效串聯(lián)電感。 6 pspice仿真 (1)使用三端電容的電路的插損與以往電路插損的比較。 取差模電容cx為0．1μf，共模電容cy為2200pf，共模電感l(wèi)取8mh。三端電容的等效串聯(lián)電感esl取0．36nh。在50 ω／50 ωq系統(tǒng)中分別對一般結(jié)構(gòu)的emi濾波器和使用了三端電容器的emi濾波器的插入損耗進(jìn)行pspice仿真。如圖7所示，emi濾波器在使用三端電容時，諧振點(diǎn)之后的插損效果明顯好于在濾波器中使用兩端電容的插損。提高了濾波器在高頻段的性能。 (2)不同cy值，固定esl。 在使用三端電容的濾波器電路中，輸入阻抗和輸出阻抗都取50時，分別取共模電容cy為4700pf，3300pf和2200pf，其他參數(shù)不
擾的能力越強(qiáng)。濾波器接入前后的電路圖，如圖3(a)和圖3(b)所示。濾波器的插入損耗由式(1)表示。 4三端電容器 在高頻線路中，因?yàn)橐话汶娙萜鞯囊€具有電感分量，所以影響了其高頻特性。而三端電容器在結(jié)構(gòu)上可以做到與電容器串聯(lián)的剩余電感分量很小，因此其插入損耗特性優(yōu)于兩端電容器，從而改善了電容器的高頻特性。三端電容器有引線式和片狀式兩種。 6pspice仿真 (1)使用三端電容的電路的插損與以往電路插損的比較。 取差模電容cx為0．1μf，共模電容cy為2200pf，共模電感l(wèi)取8mh。三端電容的等效串聯(lián)電感esl取0．36nh。在50ω／50ωq系統(tǒng)中分別對一般結(jié)構(gòu)的emi濾波器和使用了三端電容器的emi濾波器的插入損耗進(jìn)行pspice仿真。如圖7所示，emi濾波器在使用三端電容時，諧振點(diǎn)之后的插損效果明顯好于在濾波器中使用兩端電容的插損。提高了濾波器在高頻段的性能。 (2)不同cy值，固定esl。 在使用三端電容的濾波器電路中，輸入阻抗和輸出阻抗都取50時，分別取共模電容cy為4700pf，3300pf和2200pf，其他參數(shù)不變，觀察
要通過校正。因?yàn)殡S著儀器的不同，三極管的vbe也會有不同的固有值。對此，adm1023采用了一種新技術(shù)，該技術(shù)通過測量不同集電極電流下vbe的變化量來獲取溫度值。 這種測量是把傳感器的工作電流分別選為i和ni。然后將產(chǎn)生的波形結(jié)果通過一個低通濾波器降噪，再經(jīng)過斬波穩(wěn)零放大器進(jìn)行調(diào)理與放大。最后將比例放大的vbe直流電壓波形通過一個adc來對16次測量結(jié)果做一個平均。 對于外部溫度傳感器，整個信號調(diào)理過程如圖3所示。值得注意的是，如果傳感器在高噪音環(huán)境下工作，則應(yīng)選擇性地加上電容c（典型值2200pf，不得大于3000pf）以起到一定的降噪作用。 4 應(yīng)用設(shè)計(jì)4．1 串行總線接口與地址引腳 主處理機(jī)可通過串行總線對adm1023進(jìn)行控制。一般而言，每個smbus器件都有7位器件地址。當(dāng)主處理機(jī)通過總線傳送該器件地址時，它將作出響應(yīng)。adm1023有兩個地址引腳add0和add1，它們可以使幾個adm1023同時工作于一根總線上，并可防止與其它芯片發(fā)生沖突。兩個引腳都可以在三種狀態(tài)下工作（nc，0，1），因此它們一共可以提供9種狀態(tài)，其具體地址如表1所列。4．2 串行總
ec和60db/dec，比較可知，只要測量他們與頻率軸的交點(diǎn)，即可得出fr,cm和fr，dm，圖6所示為其示意圖。 （3）濾波器元件參數(shù)設(shè)計(jì) --共模參數(shù)的選取 cy接在相線和大地之間，該電容器容量過大將會造成漏電流過大，安全性降低。對漏電流要求越小越好，安全標(biāo)準(zhǔn)通常為幾百μa到幾ma。 emi對地漏電流iy計(jì)算公式為 式中：f為電網(wǎng)頻率。 在本例中，vc是電容cy上的壓降，f=50hz，c=2cy，vc=220/2=110v，則 若設(shè)定對地漏電流為0.15ma，可求得cy≈2200pf。將cy代入步驟（2）中求得fr,cm值，再將fr,cm代入式（6）中可得 --差模參數(shù)選取 由式（8）可知，cx1，cx2，以及l(fā)d的選取沒有唯一解，允許設(shè)計(jì)者有一定的自由度。 由圖2可知，共模電感l(wèi)c的漏感l(wèi)g也可抑制差模噪聲，有時為了簡化濾波器，也可以省去ld。經(jīng)驗(yàn)表明，漏感l(wèi)g量值多為lc量值的0.5％～2％。lg可實(shí)測獲得。此時，相應(yīng)地cx1、ccx2值要更大。 3 結(jié)語 本文的論述是基于低通濾波器的低頻模型分析。由于實(shí)際元件寄生參數(shù)的影響，尤其在高頻段更加顯著，因而往往需
抽頭下移過程中，若rc的滑動端需要下移到抽頭0以下時，則ra和rb的滑動端也需要同步下移1位，以保持電位器實(shí)際調(diào)整步數(shù)的平衡。 電位器rc的抽頭輸出端設(shè)置了一級電壓跟隨器，可以減小因負(fù)載并聯(lián)對級聯(lián)后分壓系數(shù)的影響。電位器觸點(diǎn)的滑動過程屬于不連貫的步進(jìn)調(diào)節(jié)方式，故rc的電阻值不是連續(xù)變化而是在滑動端調(diào)整到位后才具有所希望的輸出，這樣會使得輸出電壓出現(xiàn)一些小幅跳變。但由于輸入信號vin的絕對增量并不大，且整個電位器擴(kuò)展系統(tǒng)的分辨率很高，對此我們可在rc電位器的滑動輸出端對地并聯(lián)一只1000～2200pf的小電容c1，以減小輸出電壓的波動。 上述電位器分辨率擴(kuò)展的思路具有較高的可行性與移植性，此前曾應(yīng)用在我們的一項(xiàng)程控增益可編程高速放大器的系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案中，取得很好的使用效果。 電阻值指數(shù)化 dcp的指數(shù)化處理采用軟件方式實(shí)現(xiàn)，不需要額外增加硬件。由于通用單片機(jī)的函數(shù)運(yùn)算功能非常有限,因此在算法上，將電位器每級切換所要求的觸點(diǎn)移動步數(shù)以數(shù)組形式保存在單片機(jī)的rom中。阻值調(diào)整時，mcu根據(jù)按鍵的up/down狀態(tài)和當(dāng)前的階數(shù)值以查表方式取得各只dcp的實(shí)際偏移量，然后再由m
子元件復(fù)合化和集成化的步伐也在加快，片式電阻網(wǎng)絡(luò)技術(shù)早已成熟，1005型4連的片式電阻網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用急速增長，片式mlcc網(wǎng)絡(luò)1608型4連、1005型2連產(chǎn)品已批量生產(chǎn)。由于ltcc工藝技術(shù)的迅猛發(fā)展，片式集成無源元件（ipd）已在手機(jī)、局域網(wǎng)、藍(lán)牙等領(lǐng)域獲得應(yīng)用。預(yù)計(jì)2005年，12%手機(jī)中的無源元件將被ipd取代。高性能化、高頻化電子設(shè)備的微波波段已成為重要的發(fā)展趨勢，要求電子元件的使用頻段向更高的方向發(fā)展。電容器主要是降低esr（等效串聯(lián)電阻）和esl（等效串聯(lián)電感），如3212型三端電容器（2200pf），esl＝0.03nh,esr＝32mq，分別為常規(guī)產(chǎn)品的1/12和1/8,片式電感器的使用頻率已達(dá)到12ghz，射頻同軸連接器的工作頻率已達(dá)110ghz。高工作溫度的需求在地質(zhì)勘探、汽車電子和航空航天領(lǐng)域日益高漲，-55℃～+150℃和-55℃～+300℃的陶瓷電容器，-55℃～+175℃和-55℃～+300℃的有機(jī)薄膜電容器，150℃2000h高溫的鋁電解電容器已經(jīng)面世，500～1100℃的高溫?zé)崦綦娮枰言谄囯娮又蝎@得應(yīng)用。
元件復(fù)合化和集成化的步伐也在加快，片式電阻網(wǎng)絡(luò)技術(shù)早已成熟，1005型4連的片式電阻網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用急速增長，片式mlcc網(wǎng)絡(luò)1608型4連、1005型2連產(chǎn)品已批量生產(chǎn)。由于ltcc 工藝技術(shù)的迅猛發(fā)展，片式集成無源元件（ipd）已在手機(jī)、局域網(wǎng)、藍(lán)牙等領(lǐng)域獲得應(yīng)用。預(yù)計(jì)2005年，12%手機(jī)中的無源元件將被ipd取代。高性能化、高頻化電子設(shè)備的微波波段已成為重要的發(fā)展趨勢，要求電子元件的使用頻段向更高的方向發(fā)展。電容器主要是降低esr（等效串聯(lián)電阻）和esl（等效串聯(lián)電感），如3212型三端電容器（2200pf），esl＝0.03nh, esr＝32mq，分別為常規(guī)產(chǎn)品的1/12和1/8, 片式電感器的使用頻率已達(dá)到12ghz，射頻同軸連接器的工作頻率已達(dá)110ghz。高工作溫度的需求在地質(zhì)勘探、汽車電子和航空航天領(lǐng)域日益高漲，-55℃～ +150℃和-55℃～ +300℃的陶瓷電容器，-55℃～ +175℃和-55℃～ +300℃的有機(jī)薄膜電容器，150℃2000h高溫的鋁電解電容器已經(jīng)面世，500～1100℃的高溫?zé)崦綦娮枰言谄囯娮又蝎@得應(yīng)用。
伐加快。其中片式電阻網(wǎng)絡(luò)技術(shù)早已成熟，1005型3連的片式電阻網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用急速增長。片式mlcc網(wǎng)絡(luò)1608型4連、1005型2連產(chǎn)品已批量生產(chǎn)。由于ltcc工藝技術(shù)的迅猛發(fā)展，片式集成無源元件（ipd）已在手機(jī)、局域網(wǎng)、藍(lán)牙等領(lǐng)域獲得應(yīng)用，在2006年，已有15%手機(jī)中的無源元件被ipd取代。今后ipd在各類整機(jī)中的應(yīng)用比例將迅速增加。 3.高性能化、高頻化電子設(shè)備要求電子元件的使用頻段向更高的方向發(fā)展。電容器主要是降低esr（等效串聯(lián)電阻）和esl（等效串聯(lián)電感），如3212型三端電容器（2200pf）要達(dá)到esl=0.03nh，esr=32mω，分別是常規(guī)產(chǎn)品的1/12和1/8。片式電感器的使用頻率已達(dá)到12ghz。射頻同軸連接器的工作頻率已達(dá)110ghz。a1電解電容器高壓大容量已達(dá)630wv，甚至700wv。高性能高精度、高穩(wěn)定（tcr≤10ppm/℃），薄膜電阻及其網(wǎng)絡(luò)（片式化）在我國尚屬空白，高性能整機(jī)需求迫切。 歡迎轉(zhuǎn)載,信息來自維庫電子市場網(wǎng)（www.udpf.com.cn）
1.75a～1.8a。蓄電池充滿電，端電壓≥43v，隔離二極管d908截止，r902中無電流，第3腳電壓為0v，恒流控制無效，由第2腳取樣電壓控制充電電壓不超過43v。此時若充滿電，在未斷電的情況下，將形成43v電壓的涓流充電，使蓄電池電壓保持在43v。為了防止過充電，36v鉛酸蓄電池的此電壓上限不宜使電池單元電壓超過2.38v。該電路雖為蓄電池取樣，實(shí)際上也限制了輸出電壓，如輸出電壓超過蓄電池電壓0.6v，蓄電池電壓也隨之升高，送入電壓取樣電路使之降低。 第4腳外接振蕩器定時元件，ct為2200pf，rt為27kω，r911為10ω。該例中考慮到高頻磁芯購買困難，將頻率設(shè)定為30khz左右。r911用于外同步，該電路中可不用。 第5腳為共地端。 第6腳為驅(qū)動脈沖輸出端。為了實(shí)現(xiàn)與市電隔離，由t902驅(qū)動開關(guān)管。t902可用5×5mm磁芯，初次級繞組各用0.21mm漆包線繞20匝，繞組間用2×0.05mm聚脂薄膜絕緣。r909為100ω，r907為10kω。如果q901內(nèi)部柵源極無保護(hù)二極管，可在外電路并入一只10～15v穩(wěn)壓管。 第7腳為供電端。為了省去獨(dú)立供電電路，該電
的1.75a～1.8a。蓄電池充滿電，端電壓≥43v，隔離二極管d908 截止，r902中無電流，第3腳電壓為0v，恒流控制無效，由第2腳取樣電壓控制充電電壓不超過43v。此時若充滿電，在未斷電的情況下，將形成43v電壓的涓流充電，使蓄電池電壓保持在43v。為了防止過充電，36v鉛酸蓄電池的此電壓上限不宜使電池單元電壓超過2.38v。該電路雖為蓄電池取樣，實(shí)際上也限制了輸出電壓，如輸出電壓超過蓄電池電壓0.6v，蓄電池電壓也隨之升高，送入電壓取樣電路使之降低。 第4腳外接振蕩器定時元件，ct為2200pf，rt為27kω，r911為10ω。該例中考慮到高頻磁芯購買困難，將頻率設(shè)定為30khz左右。r911用于外同步，該電路中可不用。 第5腳為共地端。 第6腳為驅(qū)動脈沖輸出端。為了實(shí)現(xiàn)與市電隔離，由t902驅(qū)動開關(guān)管。t902可用5×5mm磁芯，初次級繞組各用0.21mm漆包線繞20匝，繞組間用2×0.05mm聚脂薄膜絕緣。r909為100ω，r907為10kω。如果q901內(nèi)部柵源極無保護(hù)二極管，可在外電路并入一只10～15v穩(wěn)壓管。 第7腳為供電端。為了省去獨(dú)立供電電路，該電路中由蓄電池
稱作共模扼流圈。它的兩個線圈分別繞在低損耗、高導(dǎo)磁率的鐵氧體磁環(huán)上,當(dāng)有電流通過時,兩個線圈上的磁場就會互相加強(qiáng)。l的電感量與emi濾波器的額定電流i有關(guān),參見表1。需要指出,當(dāng)額定電流較大時,共模扼流圈的線徑也要相應(yīng)增大,以便能承受較大的電流。此外,適當(dāng)增加電感量,可改善低頻衰減特性。c1和c2采用薄膜電容器,容量范圍大致是0.01μf～0.47μf,主要用來濾除串模干擾。c3和c4跨接在輸出端,并將電容器的中點(diǎn)接地,能有效地抑制共模干擾。c3和c4亦可并聯(lián)在輸入端,仍選用陶瓷電容,容量范圍是2200pf～0.1μf。為減小漏電流,電容量不得超過0.1μf,并且電容器中點(diǎn)應(yīng)與大地接通。c1～c4的耐壓值均為630vdc或250vac。 表1 電感量范圍與額定電流的關(guān)系 圖2示出一種兩級復(fù)合式emi濾波器的內(nèi)部電路,由于采用兩級（亦稱兩節(jié)）濾波,因此濾除噪聲的效果更佳。針對某些用戶現(xiàn)場存在重復(fù)頻率為幾千赫茲的快速瞬態(tài)群脈沖干擾的問題,國內(nèi)外還開發(fā)出群脈沖濾波器（亦稱群脈沖對抗器）,能對上述干擾起到抑制作用。 來源:可可
1.75a～1.8a。蓄電池充滿電，端電壓≥43v，隔離二極管d908截止，r902中無電流，第3腳電壓為0v，恒流控制無效，由第2腳取樣電壓控制充電電壓不超過43v。此時若充滿電，在未斷電的情況下，將形成43v電壓的涓流充電，使蓄電池電壓保持在43v。為了防止過充電，36v鉛酸蓄電池的此電壓上限不宜使電池單元電壓超過2.38v。該電路雖為蓄電池取樣，實(shí)際上也限制了輸出電壓，如輸出電壓超過蓄電池電壓0.6v，蓄電池電壓也隨之升高，送入電壓取樣電路使之降低。 第4腳外接振蕩器定時元件，ct為2200pf，rt為27kω，r911為10ω。該例中考慮到高頻磁芯購買困難，將頻率設(shè)定為30khz左右。r911用于外同步，該電路中可不用。第5腳為共地端。第6腳為驅(qū)動脈沖輸出端。為了實(shí)現(xiàn)與市電隔離，由t902驅(qū)動開關(guān)管。t902可用5×5mm磁芯，初次級繞組各用0.21mm漆包線繞20匝，繞組間用2×0.05mm聚脂薄膜絕緣。r909為100ω，r907為10kω。如果q901內(nèi)部柵源極無保護(hù)二極管，可在外電路并入一只10～15v穩(wěn)壓管。第7腳為供電端。為了省去獨(dú)立供電電路，該電路中由蓄電池端電壓降壓供
uo↓時，反饋線圈電壓及控制端電流也隨之降低，而芯片內(nèi)部產(chǎn)生的誤差電壓ur↑時，pwm比較器輸出的脈沖占空比d↑，經(jīng)過mosfet和降壓式輸出電路使得uo↑，最終能維持輸出電壓不變。反之亦然。 為了抑制初、次級之間的共模干擾，在n2、n3的同相端還并聯(lián)一只1500pf／2kv的高壓陶瓷電壓c6。vd5可以選用uf4005(1a／600v)型超快恢復(fù)二極管。vd6選1n4148型硅高速開關(guān)二極管。vd7須采用3a／40v以上的肖特基二極管，可選b82—004型(15a／40v)。 c2宜選2200pf／1kv的高壓陶瓷電容。r1為c2的泄放電阻，可防止斷電后在c2上積累的電荷形成高壓。為降低空載電壓，在輸出端并聯(lián)一只560ω的最小負(fù)載電阻。高頻變壓器可選國產(chǎn)e-20型鐵氧體磁心。其截面積sj=0．25cm2。繞制方法應(yīng)為先繞n1，再繞n2，最后繞n3，并需注意線圈的極性。各繞組所用漆包線的線徑與匝數(shù)已標(biāo)明在圖中。
電容類 201 0.1uf／25v 0805 20%，陶瓷電容 c21,c22僅當(dāng)使用dc/dc才需要 202 10uf／16v 3528 c23僅當(dāng)使用dc/dc才需要203 0.047uf 275vac（安規(guī)電容） 插件安規(guī)電容（x電容）204 2200pf／4kv（安規(guī)電容） 插件耐壓必須4kvdc 安規(guī)電容（y電容）205 220uf／16v（紅寶石yxf）20%，鋁電解電容 105℃，壽命不低于5000小時二極管、三極管、整流橋、led類 401 1n4007 插件 普通二極管402 1n4148 1206 快速二極管403 smbj6.0ca 貼片 替代用品smbj6.5ca
2]。單級pfc變換器的pfc級工作在不連續(xù)導(dǎo)電模式下，其輸入電流波形為脈動三角波，因此其前端需添加emi濾波器以濾除高頻紋波。 emi濾波器電路如圖1所示，包括共模扼流圈（亦稱共模電感）和濾波電容。共模電感主要用來濾除共模干擾，其電感量與emi濾波器的額定電流有關(guān)。本文中的單級pfc變換器的額定電流為1a，取共模電感值為15mh。濾波電容c11和c13主要濾除串模干擾，容量大致為0.01μf～0.47μf。c14和c15跨接在輸入端，并將電容器的中點(diǎn)接地，能有效抑制共模干擾，容量范圍是2200pf～0.1μf。 3.2 功率器件的選取 變換器的開關(guān)器件一般均選用功率場效應(yīng)管（mosfet），依據(jù)輸入最高電壓時輸出最大電流的要求來確定其電壓與電流等級，并預(yù)留有1.5～2倍的電壓和2～3倍的電流裕量。在單管變換器中，開關(guān)器件的電壓uceo通?？砂唇?jīng)驗(yàn)公式選取 uceo=udmax/(1－d) （1） 式中：udmax為漏源極的最大電壓； d為占空比。 開關(guān)器件的電流按高頻變壓器一次繞組的最大電流來確定。本文中，由于采用雙管電路結(jié)構(gòu)，每個開關(guān)管所
[2]。單級pfc變換器的pfc級工作在不連續(xù)導(dǎo)電模式下，其輸入電流波形為脈動三角波，因此，其前端需添加emi濾波器以濾除高頻紋波。 emi濾波器電路如圖1所示，包括共模扼流圈（亦稱共模電感）和濾波電容。共模電感主要用來濾除共模干擾，其電感量與emi濾波器的額定電流有關(guān)。本文中的單級pfc變換器的額定電流為1a，取共模電感值為15mh。濾波電容c11和c13主要濾除串模干擾，容量大致為0.01～0.47μf。c14和c15跨接在輸入端，并將電容器的中點(diǎn)接地，能有效抑制共模干擾，容量范圍是2200pf～0.1μf。 3.2 功率器件的選取 變換器的開關(guān)器件一般均選用功率場效應(yīng)管（mosfet），依據(jù)輸入最高電壓時輸出最大電流的要求來確定其電壓與電流等級，并預(yù)留有1.5～2倍的電壓和2～3倍的電流裕量。在單管變換器中，開關(guān)器件的電壓uceo通常可按經(jīng)驗(yàn)公式（1）選取 uceo= （1） 式中：udmax為漏源極的最大電壓； d為占空比。 開關(guān)器件的電流按高頻變壓器一次繞組的最大電流來確定。本文中，由于采用雙管電路結(jié)構(gòu)，每個開關(guān)管所承受的電壓為u
取2200pf試試吧。
2200UF/16V 2200UF/25V 2200UF/50V 2200UF16V 2201I 220F 220K 220LM 220N 220P
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