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足夠的電源線寬度(我的經(jīng)驗,每1a電流對應(yīng)50mil能夠滿足大多數(shù)場合的需求)。如果只為了防止信號的竄擾的話,電源線的寬度不是關(guān)鍵。甚至,有時細一些的電源線更有利!電源的質(zhì)量一般主要不在于其絕對值,而在于電源的波動和迭加的干擾。解決電源干擾的關(guān)鍵在于濾波電容!如果你的應(yīng)用場合對電源質(zhì)量的確有苛刻的要求,就不要吝嗇濾波電容的錢!使用濾波電容時要注意以下幾條: 整個電路的電源輸入端應(yīng)該有"總"的濾波措施,而且各種類型的電容要互相搭配,"一樣都不能少",至少不會壞事的j對于數(shù)字系統(tǒng)至少要有100uf電解+10uf片鉭+0.1uf貼片+1nf貼片。較高頻(100khz)100uf電解+10uf片鉭+0.47uf貼片+0.1uf貼片。交流模擬系統(tǒng):對于直流及低頻模擬系統(tǒng):1000uf|1000uf電解+10uf片鉭+1uf貼片+0.1uf貼片。 每個重要芯片身邊都應(yīng)該有"一套"濾波電容。對于數(shù)字系統(tǒng),一個0.1uf貼片一般就夠了,重要的或工作電流較大的芯片還應(yīng)并上一個10uf片鉭或1uf貼片,工作頻率最高的芯片(cpu、晶振)還要并10nf|470pf或一個1nf。該電容應(yīng)盡可能接
麥瑞半導(dǎo)體(micrel)的10a全集成同步降壓穩(wěn)壓器mic22950是該公司高功率密度系列降壓穩(wěn)壓器的創(chuàng)新產(chǎn)品。該同步降壓穩(wěn)壓器以10a集成superthermal mosfet,并為效率最大化進行了優(yōu)化,可在一個寬負載范圍內(nèi)實現(xiàn)超過95%的效率。它的外圍僅需配一個1uh電感器和一個100uf輸出電容器。 圖:同步降壓穩(wěn)壓器mic22950功能示意圖。 mic22950還內(nèi)置了順序控制、跟蹤控制和斜坡控制功能——支持多個加電排序和跟蹤協(xié)議。該解決方案特別適合高功率密度負載點轉(zhuǎn)換、服務(wù)器和路由器、藍光播放機、計算機外設(shè)、fpga、dsp和低壓asic功率應(yīng)用。mic22950具有超高速控制回路,即使在fpga和低壓asic中常見的極端瞬載波動情況下也能將輸出電壓保持在調(diào)節(jié)范圍內(nèi)。輸出電壓可調(diào)降至0.7v,以滿足3.3v或5v功率總線的所有低壓功率需求。此外還提供了全套排序和跟蹤選項。enable/delay引腳以及power good/por引腳支持在開啟和關(guān)閉時根據(jù)要求對多路輸出進行排序。micrel中國區(qū)總經(jīng)理張洪為表示:“首先,我們采用了高達2mhz的開關(guān)頻率,這是
件所采用的是纖巧扁平 2mm x 3mm dfn 封裝。 lt3484-0、-1 和 -2 有現(xiàn)貨供應(yīng),以 1,000 片為單位批量購買,每片價格為 2.10 美元。 性能概要:lt3484-0、-1 和 -2 · 采用 2mm x 3mm dfn 封裝的高度集成 ic · 縮小解決方案尺寸 · 使用小型變壓器:5.8mm x 5.8mm x 3mm · 快速照相閃光燈充電時間: lt3484-0 為 4.6s(0v 至 320v、100uf、vin = 3.6v) lt3484-2 為 5.7s(0v 至 320v、100uf、vin = 3.6v) lt3484-1 為 5.5s(0v 至 320v、50uf、vin = 3.6v) · 用兩節(jié) aa 電池或任何 1.8v 至 16v 的電源工作 · 控制平均輸入電流 500ma(lt3484-0) 350ma(lt3484-2) 225ma(lt3484-1) 來源:零八我的愛
蕩;增加電磁輻射;增加發(fā)生磁場耦合的可能等等。 為避免跨分割問題的產(chǎn)生,在設(shè)計時需要注意以下幾個方面: 進行內(nèi)電層分割時要注意會對哪些信號產(chǎn)生影響, 并進行適當(dāng)?shù)恼{(diào)整。 過孔設(shè)計不要過于密集, 以免造成電源和地平面的隔離帶。 接插件定義時充分考慮對內(nèi)電層的影響,避免造成隔離。 走線要避免穿越隔離帶。 4.2 考慮電源和地的去耦 pcb 設(shè)計的常規(guī)做法之一是在印制板的電源和地等各個關(guān)鍵部位配置適當(dāng)?shù)娜ヱ铍娙?。去耦電容的配置常遵循如下原則: 電源輸入端跨接10-100uf的電解電容器。如有可能,接100uf 以上的更好。 原則上每個集成電路芯片都應(yīng)布置一個0.01uf的瓷片電容,也可每4-10個芯片布置一個1~10uf 的鉭電容。 對于存儲器件, 在芯片的電源線和地線之間直接接入去耦電容。 電容引線不能太長,引線越短去耦效果越好。特別地,高頻旁路電容不能有引線。 去耦電容要求較高的時候,不能使用瓷片電容或電解電容,而要選用鉭電容或聚酯電容,因前者分布電感較大。 5 結(jié)束語 本文依據(jù)高速電路電磁兼容理論,同時結(jié)合tms320f2812 pcb 制作
電源線和地線的地方。典型的去耦電容值是0.1μf。這個電容的分布電感的典型值是5μh。0.1μf的去耦電容有5μh的分布電感,它的并行共振頻率大約在7mhz左右,也就是說,對于10mhz以下的噪聲有較好的去耦效果,對幾十mhz以上的噪聲幾乎不起作用。所以對于20mhz以上的噪聲,采用0.01μf的電容去耦。 局部去耦電容使集成電路得到的供電電壓比較平穩(wěn);另外還旁路掉該器件的高頻噪聲。 板間去耦電容是指電源面和接地面之間的電容,主要解決電源中產(chǎn)生的高頻瞬變電流。電源輸入端跨接一個10~100uf的電解電容器,如果印制電路板的位置允許,采用100uf以上的電解電容器的抗干擾效果會更好。去耦電容的引線不能過長,一般都緊靠在集成電路電源旁邊,連線要粗一些。 磁珠濾波:在主板上的所有信號輸入端(如ypbpr接口、vga接口)都要加入磁珠濾波。磁珠專用于抑制信號線、電源線上的高頻噪聲和尖峰干擾,還具有吸收靜電脈沖的能力。它扮演高頻電阻的角色,即將高頻衰減掉。該器件允許直流信號通過,而濾除交流信號。 選擇磁珠時,必須注意以下幾個因素: 1、不需要的信號頻率范圍為多少; 2、
上原料鉭價格上漲2.勞動力成本的增加。 另外可能有朋友要問黃鉭與黑鉭的區(qū)別。簡單來說,黑鉭是開模將鉭粉壓成型,而黃鉭,是在表面用聚氧樹脂包裹而成。由于生產(chǎn)工藝的原因,黑鉭的內(nèi)部空間沒有得到最有效的利用,所以黃鉭能做的容量會比黑鉭要大,也就是說有些黃鉭能做到的規(guī)格型號,黑鉭做不了。 另外,前面有朋友說到polymer,polymer現(xiàn)在主要是avx與kemet在做。polymer與比普通的二氧化錳的優(yōu)勢在于:普通的鉭電他的實際使用電壓一般是50%,polymer一般在80%以上。舉個例子來說:100uf 10v的普通電容,在實際使用的時候,額定電壓不能超過5v,如果使用polymer材料的電容,那么只需要100uf?6.3v的。但由于價格問題,polymer現(xiàn)在在普通的電子產(chǎn)品上用的不是很多。我所知道的,在筆記本電腦上有些有用到。 avx與kemet的優(yōu)劣:avx在軍用,民用市場上的占有量都很大,在普通電容的市場上,avx無論品質(zhì)還是市場占有量都遠強與kemet。價格上,avx比kemet更貴。kemet他主要問題是其電容的耐壓值不夠,舉例說:100uf 10v的電容,測試的電壓按道理應(yīng)該
件已經(jīng)完成充電。lt3484 系列器件所采用的是纖巧扁平 2mm x 3mm dfn 封裝。 lt3484-0、-1 和 -2 有現(xiàn)貨供應(yīng),以 1,000 片為單位批量購買,每片價格為 2.10 美元。 性能概要:lt3484-0、-1 和 -2 · 采用 2mm x 3mm dfn 封裝的高度集成 ic · 縮小解決方案尺寸 · 使用小型變壓器:5.8mm x 5.8mm x 3mm · 快速照相閃光燈充電時間: lt3484-0 為 4.6s(0v 至 320v、100uf、vin = 3.6v) lt3484-2 為 5.7s(0v 至 320v、100uf、vin = 3.6v) lt3484-1 為 5.5s(0v 至 320v、50uf、vin = 3.6v) · 用兩節(jié) aa 電池或任何 1.8v 至 16v 的電源工作 · 控制平均輸入電流 500ma(lt3484-0) 350ma(lt3484-2) 225ma(lt3484-1)
(電子市場網(wǎng)訊) 凌特公司推出反激式控制器lt3750,可對大電容器快速充電至高達1,000v。lt3750驅(qū)動一個外部大電流n溝道m(xù)osfet,能夠在低于300ms的時間內(nèi)將100uf的電容器充電至300v,非常適用于專業(yè)照相閃光燈系統(tǒng)、射頻保安系統(tǒng)、庫存控制系統(tǒng)和專門的高壓電源。該器件的3v至24v輸入電壓范圍使其能夠用多種電源工作,其獲得專利的邊沿模式控制電路最大限度地降低了轉(zhuǎn)換損耗,并縮小了變壓器尺寸。該器件采用纖巧的mosp-10封裝,可提供非常緊湊的高壓/大電流電容器充電器解決方案。 lt3750的主邊檢測拓撲消除了對外部輸出電壓分壓器的需求。它采用單個大電流n溝道m(xù)osfet,具有高于90%的充電效率。78mv的低電流檢測準(zhǔn)確地限制了峰值開關(guān)電流,同時優(yōu)化了效率。輸出電壓可以非常容易地用變壓器匝數(shù)比和兩個外部電阻來調(diào)節(jié)。其它特點包括一個充電引腳使用戶可全面控制lt3750,以及指示電容器已達到其編程值并停止充電的done引腳。 采用10引線msop-10封裝的lt3750ems有現(xiàn)貨供應(yīng)。以1,000片為單位批量購買,每片起價為3.50美元。 性能概要:lt375
耦合交流音頻信號。它與揚聲器負載構(gòu)成了一階高通濾波器(hpf),根據(jù)公式(4),電容的大小與低頻處的截止頻率fc有關(guān)。 fc=1/(2π*rl*co) (4) 圖8:max9890的vbias變化時序。 電容co越大,截止頻率fc則越低,這意味著更低的頻率也可耦合到負載上去(見圖9)。 減小co的容值可使“pop”沖擊的幅度變小、脈沖寬度變窄。由于“pop”沖擊的頻譜能量大都在高頻,減小co的容值同樣可以減少可聞噪聲。圖10顯示了電容co分別為10uf、47uf、100uf、220uf時的“pop”沖擊情況??梢钥闯?,當(dāng)co減小到一定值后,再減小該值,噪聲抑制效果提高得很少。但根據(jù)公式(4),減少電容值可明顯提高截止頻率fc(如圖9所示),因此設(shè)計工程師必須權(quán)衡,作出一個折衷選擇。 當(dāng)然,有的芯片具有低音增強特性,可在外部反饋回路中通過增加一個零點的方法,來使低頻部分的增益大于通帶內(nèi)的增益。比如對于lm4838器件來說,調(diào)整電容cbs的大小就可以調(diào)整增益拐點在頻率上的位置(見圖11)。 用恰當(dāng)?shù)牟僮鱽硪种啤皃op”噪聲 圖9:不同耦合電
和反映在音頻內(nèi)的電流聲也會增加,使信噪比下降。本機取2.4ma還是比較合適的。)電壓放大級: 為了簡化電路,本機使用一只三極管bd139,采用共射放大電路,還采用了自舉電路。 本級的靜態(tài)電流可以由下式進行估算:vcc/(1.5k+1.5k)=6.8ma。100p的小電容是做頻率補償用的,容量要盡可能的小,如果沒有高頻自激,可以不用。(當(dāng)然由于這個小電容的存在對音質(zhì)有微妙的調(diào)節(jié)作用,具體怎樣處理,看自己的喜好了。)為了保證大信號輸出時的幅度特性和線性,同時又不增加太多的元件,本機采用了自舉電路,由100uf電容和兩個1.5k電阻的分壓電路組成。在音響界對于自舉電路的批評較多,認為它是一種正反饋,對音質(zhì)的負面影響較大。由于本電路的出道年代較早,設(shè)計前提是“簡潔至上”,也許在這里考慮的不是那么全面。輸出級: 在原理圖的上部的兩只mje2955和周邊的元件組成了單端純甲類放大電路,下半部分以兩只mje2955為核心組成了大電流恒流源電路。其恒流電流值就是輸出級的靜態(tài)電流??梢愿鶕?jù)下式估算:0.65/0.25=2.6a。(其中的0.65v是硅三極管的發(fā)射結(jié)的pn結(jié)正向?qū)▔航担┩ㄟ^改變0.25電阻阻值的大
s~1min時間可變的定時電路,vth的陽-陰極由固定電阻r2和r3分壓對其提供偏置電壓,定時時間由接在門極的電容c1和電阻r1及電位器rp決定。繼電器k的驅(qū)動晶體管vt1的基極電流由r2、r4和r5決定,由于vth導(dǎo)通,因此與定時設(shè)定電阻無關(guān)。電容c1上電荷通過vt2和r6放電,二極管vd1用于補償vth的溫度特性。到達電路的設(shè)定時間后,vth導(dǎo)通工作,vt1也導(dǎo)通;同時,c1上電荷瞬時放電而進人復(fù)位狀態(tài)。電源再次接通后,定時工作功能不變,到達定時時間后,vth導(dǎo)通,繼電器k再次動作。若c1為100uf,rp為3mω,則最小定時時間由r1決定。
高電流電源輸出電路 元件bom表: r1 680 ohm 1/4 watt resistor c1 20,000 - 50,000uf 20-40 volt capacitor c2, c3 100uf 50 volt capacitor c4 0.1uf 50 volt capacitor c5 0.01uf 50 volt capacitor d1 zener diode (see notes) q1 2n3055 or other (see notes) t1 transformer (see notes) br1 bridge rectifier (see notes) s1 spst 250 vac 10 a switch misc case, line cord, heatsink for q1, binding posts for output 來源:xienag
t2由截止?fàn)顟B(tài)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài),集電極電壓下降,發(fā)光二極管熄滅。與此同時三極管vt2集電極電壓的下降通過電容器c2的作用使三極管vt3的基極電壓也下跳,vt3由導(dǎo)通變?yōu)榻刂?。接在vt3集電極上的發(fā)光二極管就亮了。如此循環(huán),電路中三只三極管便輪流導(dǎo)通和截止,三只發(fā)光二極管就不停地循環(huán)發(fā)光。 元器件選擇:全部電阻均為1/8w碳膜電阻;r2、r4、r6為2.7k(紅、紫、紅),r1、r3、r5為13k(棕、橙、橙)或15k(棕、綠、橙);電解電容器全部為33puf~100uf(當(dāng)電容器容量較大時,循環(huán)燈循環(huán)的速度就慢些);三極管為3dg6、3dg57、或9014等npn型任何型號的小功率三極管;電源電壓為6伏。 上圖是這個電路的電原理圖,單向可控硅可選用1a600v的,如mcrl00—6等。每組燈泡可用12伏的小電珠20~30個串聯(lián)起來,然后將三組燈泡間隔掛起來,循環(huán)燈就做好了。 來源:陰雨
使q2、q3中點電壓為1/2電源電壓;調(diào)節(jié)rp3,使功放輸出級靜態(tài)電流為5-8ma;反復(fù)調(diào)節(jié)rp2、rp3使其兩個參數(shù)均達到上述值。 三、元件清單 位號 名稱 規(guī)格 數(shù)量 r1 電阻 4.7k 1 r2、r4 電阻 100 2 r3 電阻 470 1 rp1 音量電位器 2k 1 rp2 可調(diào)電阻 20k 1 rp3 可調(diào)電阻 1k 1 c1 電解電容 4.7uf 1 c2、c4、c5、c6 電解電容 100uf 4 c3 瓷片電容 101 1 q1、q3 npn型三極管 9013 2 q2 pnp型三極管 9012 1 d1 二極管 1n4148 1 x1、x2、x3 接線座 2位 3 pcb板 40x55mm 1 四、電路原理圖 五、這是作者組裝好的電路成品圖 來源:qick
4)為1kω,r5(r6)為100kω,則其放大倍數(shù)為100倍,但對于耳放來說,這會引起自激,再說就算真的能達到100倍,效果也不可能好,所以這個電路用于前級時也最好別調(diào)成100倍。當(dāng)然,對于耳放定2~3倍可以讓負反饋適量、音質(zhì)柔和、清晰更通透,但放大倍數(shù)也不能太小,否則也會影響音質(zhì),大家可以反復(fù)調(diào)試,達到自己滿意的效果。筆者是將r3(r4)定為1kω,r5(r6)定為20 kω,即2倍。c5(c6)是輸入回路的對地通路,在用于耳放電路時應(yīng)該加大,原理圖中的值為22 uf,但用于此耳放應(yīng)該加大到100uf。 來源:lidy
為何mc34063頻率不穩(wěn)定?謝謝變壓器+mc34063,光耦精密反饋,輸入20-28v,輸出24v時輸出1:24v*24ma(取反饋)紋波vpp=40mv clc濾波 47uf+3.3uh+47uf輸出2:24v*24ma 紋波vpp=400mv c濾波 47uf輸出3:+5v*20ma 紋波vpp=160mv c濾波 100uf輸出4:+5v*5ma 紋波vpp=160mv c濾波 100uf輸出5:-5v*2ma 紋波vpp=160mv c濾波 100uf請問:1、怎么能降低紋波2、電源電流95ma,怎么能降低(提高效率)?3、輸出2為4ma時,頻率為40~80khz跳非常謝謝!另:找深圳的ac/dc電源設(shè)計高手兼職 小功率電源 輸入85-265vac 輸出1:5v*250ma 輸出2:24v*30ma
接地。高頻電路宜采用多點串聯(lián)接地,地線應(yīng)短而租,高頻元件周圍盡量用柵格狀大面積地箔。(2)接地線應(yīng)盡量加粗。若接地線用很紉的線條,則接地電位隨電流的變化而變化,使抗噪性能降低。因此應(yīng)將接地線加粗,使它能通過三倍于印制板上的允許電流。如有可能,接地線應(yīng)在2~3mm以上。(3)接地線構(gòu)成閉環(huán)路。只由數(shù)字電路組成的印制板,其接地電路布成團環(huán)路大多能提高抗噪聲能力。3.退藕電容配置 pcb設(shè)計的常規(guī)做法之一是在印制板的各個關(guān)鍵部位配置適當(dāng)?shù)耐伺弘娙?。退藕電容的一般配置原則是:(1)電源輸入端跨接10 ~100uf的電解電容器。如有可能,接100uf以上的更好。(2)原則上每個集成電路芯片都應(yīng)布置一個0.01pf的瓷片電容,如遇印制板空隙不夠,可每4~8個芯片布置一個1 ~ 10pf的但電容。(3)對于抗噪能力弱、關(guān)斷時電源變化大的器件,如 ram、rom存儲器件,應(yīng)在芯片的電源線和地線之間直接接入退藕電容。(4)電容引線不能太長,尤其是高頻旁路電容不能有引線。此外,還應(yīng)注意以下兩點:(1在印制板中有接觸器、繼電器、按鈕等元件時.操作它們時均會產(chǎn)生較大火花放電,必須采用附圖所示的 rc 電路來吸收放電電流
視頻耦合電容問題。 車載dvd視頻經(jīng)過放大后,通過一個射隨器,進入視頻解碼ic,耦合電容為0.1uf和100uf并聯(lián),顯示屏為3' tft數(shù)字屏。但此時顯示屏在播放十一階灰度信號時,屏中間灰度居中處有明顯的條紋干擾,增大100uf至470uf后,條紋明顯減少。但車載機高度不夠,放不下這么大的電容。 請問各位大哥,有無方法徹底解決此問題,另外請問一下,視頻耦合電容的取值,工程上一般怎么計算。 郁悶,圖傳不上去。
流。用容量大于25000uf,耐壓50v以上的電容濾波;另外,另外并聯(lián)1000uf,10uf, 1uf的幾個小電容,其中1uf的電容要用cbb電容。2. 模擬電源繞組雙電源 15v(交流電壓),則整流后能得到 +/- 21v左右的電壓電流 0.3a。雙電源全橋整流。用1000uf的電容濾波,耐壓25v以上,另外再并聯(lián)10uf,0.1uf的小電容。再用 7815和7915三端穩(wěn)壓器穩(wěn)壓到+/-15v(也可用7812和7912穩(wěn)壓到+/- 12v),三端穩(wěn)壓器要加散熱器散熱。穩(wěn)壓后,再加100uf和0.1uf的電容濾波。3. 數(shù)字電源繞組:單電源9v(交流電壓),則整流后得到 +12v左右的電壓。電流0.3a。單電源全橋整流。用1000uf的電容濾波,耐壓16v以上,另外再并聯(lián)10uf,0.1uf的小電容。再用7805三端穩(wěn)壓器穩(wěn)壓到+5v,三端穩(wěn)壓器要加散熱器散熱。穩(wěn)壓后,再加100uf和0.1uf的電容濾波。所以,整個變壓器的功率是 25 x 8 x 1.4 x 2 + 15 x 0.3 x 2 + 9 x 0.3 ≈ 600w。若為了降低成本,可用功率稍小的變壓器,縮減主功率
濾除100khz開關(guān)電源產(chǎn)生的噪聲,加100uf的電容可以嗎?濾除100khz開關(guān)電源產(chǎn)生的噪聲,加100uf的電容可以嗎?