雙極性集成電路的ESD保護(hù)

阻止傳遞到芯片內(nèi)部敏感電路的較高能量，內(nèi)部鉗位二極管用于保護(hù)ic免受過壓沖擊。應(yīng)用電路的外部去耦電容可將esd電壓限制在安全水平。然而，小容量的去耦電容可能影響ic的保護(hù)電路。如果使用小去耦電容，通常需要外部esd電壓鉗位二極管。 esd傳遞模式 esd電平用電壓描述，這個(gè)電壓源干與ic相連的電容上的儲(chǔ)存電荷。一般不會(huì)考慮有上千伏的電壓作用于ic。為了評(píng)估傳遞給ic的能量，需要一個(gè)模擬放電模型的測(cè)試裝置。 esd測(cè)試中一般使用兩種充電模式(圖1)，人體模式(hbm)下將電荷儲(chǔ)存在人體模型(100pf等效電容)中，通過人體皮膚放電(1.5kω等效電阻)。機(jī)器模式(mm)下將電荷儲(chǔ)存在金屬物體，機(jī)器模式中的放電只受內(nèi)部連接電感的限制。 以下概念對(duì)于評(píng)估集成電路內(nèi)部的esd傳遞非常有用： 1．對(duì)于高于標(biāo)稱電源的電壓來說，ic阻抗較低。 iesd=vesd／z zhbm=1.5kω 2．在機(jī)器模式下，電流受特征阻抗(約50ω )的限制。 zmm=v／i=l／c0 低阻能量損耗： e=1／2c0×v2和e=1／2l×i2 3．如果esd電流主要流入電源去耦電容，

電容容量測(cè)試儀

容的容量，對(duì)于電氣技術(shù)人員、老牌收音機(jī)發(fā)燒友和無線電愛好者都是好幫手。 常見的 555 定時(shí)器是此電路的核心部件，它的作用是將被測(cè)量電容 (cx) 充電到固定電壓，然后被測(cè)電容通過回路放電，電流表測(cè)量出流過 47 ω電阻的電流。 因?yàn)?555 定時(shí)器每秒鐘重復(fù)這個(gè)過程幾次，使得電流表的指針保持穩(wěn)定。 電流會(huì)因電容容量的大小而不同，即電流表指針會(huì)根據(jù)被測(cè)電容的容量作相應(yīng)的偏轉(zhuǎn)，也就是說，電容容量與線路電流的比例是線性的，就像用于測(cè)量電壓和電流的萬用表。 此表有五個(gè)擋位，從 100pf 到 1μf ，通過一只兩極五擋開關(guān)切換，另外，開關(guān)× 10 用于測(cè)量較大容量的電容，電流分成兩路，測(cè)量100pf 、 1000pf 、 0.01μf 、 0.1μf 或 1μf 以上電容顯示更準(zhǔn)確。 元器件的精確度不是十分完善的。即使是最好的器件。一般九只電阻也考慮有 2 ％的誤差。如果沒有 oa47 二極管?？捎?oa91 或 oa95 鍺二極管代替。將此電路裝入一只塑料盒中，與萬用表差不多大，但是稍深一點(diǎn)更好。在財(cái)力許可下，測(cè)試儀的測(cè)量儀表要盡可能大，因?yàn)樗鼪Q定了測(cè)量顯示的精確度。你

電解電容好壞的檢測(cè)

知道電解電容的極性后，就可以用“×1k”擋（對(duì)耐壓10v或以下）或“×10k”擋（對(duì)耐壓16v以上）按如圖所示的接法進(jìn)行測(cè)量。測(cè)量時(shí)紅表筆接負(fù)極，黑表筆接正極。 剛接通的瞬間，將看到指針大幅向右擺動(dòng)。若指針不擺動(dòng)，說明是開路；若電容器的電容量標(biāo)稱值大大，指針擺動(dòng)幅度較小，說明電容內(nèi)的電解質(zhì)已干涸，致使容量減?。膳c好的電解電容比較擺動(dòng)幅度）。過一會(huì)兒指針將向左回移，對(duì)電容量在幾百微法以下的電容器，可在短時(shí)間內(nèi)看到指針停留在較大阻值位置上，這一阻值稱為“正向漏電阻”，該值越大越好。對(duì)于100pf或以上的電容器，不但測(cè)量時(shí)向右擺動(dòng)的幅度很大，有“打針”現(xiàn)象（但關(guān)系不大），而臣長時(shí)間回不來，這也屬正常情況，但最后仍應(yīng)有較大的漏電阻。若指針在停留在0ω處，則說明電容器發(fā)生短路。若萬用表的指針長時(shí)間左右游移不定，說明該電容器質(zhì)量欠佳。 表盤上的b表示測(cè)量一個(gè)正常電容器（如100pf）時(shí)指針擺動(dòng)的幅度。若待測(cè)電容器c指擺動(dòng)位置在a處（b的左邊），則電容器內(nèi)的電解質(zhì)干涸，電容量較??；指針最后停留的位置十分接近∞，則說明電容器的“正向漏電阻”比，漏電流較大。若指針恒定在0ω處，則說明該電容器已短

應(yīng)用于EMI及ESD的新型片式元器件

。例如，太陽誘電公司推出0402尺寸的hk1005型mlci用于pdc制式800/1500mhz雙頻移動(dòng)電話。其中1.5～10nh低電感量品種用于rf功率放大器取代印刷式微帶電感線圈，使1w功率放大器模塊的體積降至0.18cc（10×10×1.8mm3）。 傳統(tǒng)陶瓷電容器采用1類熱穩(wěn)定型和2類高介電系數(shù)型陶瓷材料作為電介質(zhì)，按照iec等國際標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，其測(cè)試頻率分別為1khz和1mhz，故俗稱“高頻”瓷介電容器和“低頻”瓷介電容器。在線路板插裝的電容器引線長度約2～3mm，標(biāo)稱電容量為1000～100pf的高頻瓷介電容器的固有諧振頻率f0約60～200mhz，10pf及更小容量規(guī)格約600～1000mhz。一方面，電容器的使用頻段應(yīng)遠(yuǎn)低于固有諧振頻率。另一方面對(duì)于高于1mhz的頻率范圍，電容器的損耗因子受介質(zhì)極化、引線與電極集膚效應(yīng)和電導(dǎo)率等諸多因素影響而急劇增高，即q值迅速下降。這就是常規(guī)“高頻”瓷介電容器在高頻特性方面的欠缺，而使之在高頻段應(yīng)用受到極大局限。早在60年代就出現(xiàn)了將多層陶瓷電容器（mlc）的芯片用作厚薄膜混合集成電路（hic）的外貼元件，并因其無引線結(jié)構(gòu)而被稱為無感電容，在相當(dāng)

關(guān)注電容的共振頻率

壓型或片型電容并聯(lián)連接使用(圖1)。 圖2是測(cè)定1p～100ptf的鋁電解電容的阻抗一頻率特性曲線。從曲線上可知，阻抗與靜電容量成比例，變?yōu)榈妥杩?。一般地，使?，7p～47pf的電容，但在高頻下，就會(huì)具有數(shù)ω的阻抗z。此時(shí)，從△v＝｜z｜×△i的關(guān)系來看，在電源電流變化大的電路中，不能抑制端子電壓的變動(dòng)。 圖1 適于作電源旁路電容的電容 圖2 鋁電解電容的(1/4.7/10/47/1o0μf)阻抗－頻率特性(f＝10k～4omhz，標(biāo)識(shí)點(diǎn)f＝1mhz，10opf),由于用100pf以上的電容會(huì)使阻抗下降，所以在端子電壓變動(dòng)大的電路中，能得到容許大容量化的良好效果。 圖3是測(cè)定1pt～100pf的浸漬式鉭電解電容的阻抗一頻率特性曲線。它和圖2中所示的鋁電解電容的傾向不同。即同樣的靜電容量，阻抗很低，可期望其作為旁路電容的效果。但是考慮到鉭電解電容的可靠性，并不常用。鉭電解電容的充電電流和放電電流不像鋁電解電容那樣，可取值很大，因此如出現(xiàn)故障，會(huì)變成短路。 圖2 鉭電解電容（1/4.7/ 10/47/100μf）的阻抗－頻率特性(f＝10k～4omhz，標(biāo)識(shí)點(diǎn)f＝

電容器100pF以上挑選電路

電容器(100pF以上)挑選電路圖

  來源:university

石英晶體諧振器術(shù)語以及應(yīng)用指南

度（25±2℃）時(shí)工作頻率相對(duì)于標(biāo)稱頻率所允許的偏差。 4、 溫度頻差：在規(guī)定條件下，在工作溫度范圍內(nèi)相對(duì)于基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時(shí)工作頻率的允許偏差。 5、 老化率：在規(guī)定條件下，晶體工作頻率隨時(shí)間而允許的相對(duì)變化。以年為時(shí)間單位衡量時(shí)稱為年老化率。 6、 靜電容：等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，通常用c0表示。 7、 負(fù)載電容：與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率fl的有效外界電容，通常用cl表示。負(fù)載電容系列是：8pf、12pf、15pf、20pf、30pf、50pf、100pf。只要可能就應(yīng)選推薦值：10pf、20pf、30pf、50pf、100pf。 8、 負(fù)載諧振頻率（fl）：在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為 電阻性時(shí)的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，負(fù)載諧振頻率是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè)，在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。 9、 動(dòng)態(tài)電阻：串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻。用r1表示。 10、 負(fù)載諧振電阻：在負(fù)載諧振頻率時(shí)呈現(xiàn)的等效電阻。用rl表示。 rl＝r1（1+c0/cl）2 11、 激勵(lì)電平：晶體工

石英晶體諧振器

，基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時(shí)工作頻率相對(duì)于標(biāo)稱頻率所允許的偏差。 4、 溫度頻差：在規(guī)定條件下，在工作溫度范圍內(nèi)相對(duì)于基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時(shí)工作頻率的允許偏差。 5、 老化率：在規(guī)定條件下，晶體工作頻率隨時(shí)間而允許的相對(duì)變化。以年為時(shí)間單位衡量時(shí)稱為年老化率。 6、 靜電容：等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，通常用c0表示。 7、 負(fù)載電容：與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率fl的有效外界電容，通常用cl表示。負(fù)載電容系列是：8pf、12pf、15pf、20pf、30pf、50pf、100pf。只要可能就應(yīng)選推薦值：10pf、20pf、30pf、50pf、100pf。 8、 負(fù)載諧振頻率（fl）：在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為 電阻性時(shí)的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，負(fù)載諧振頻率是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè)，在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。 9、 動(dòng)態(tài)電阻：串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻。用r1表示。 10、 負(fù)載諧振電阻：在負(fù)載諧振頻率時(shí)呈現(xiàn)的等效電阻。用rl表示。 rl＝r1（1+c0/cl）2 11、 激勵(lì)電平：晶體工作時(shí)所消耗

變?nèi)荻O管

端為紅色環(huán)?，F(xiàn)給兩個(gè)管腳分別編上序號(hào)（1）、（2）。 首先選擇500型萬用表的r×1k檔，具體操作步驟見圖4。首先將紅表筆接①腳，黑表筆接②腳，測(cè)得電阻值為6.5kω，與此同時(shí)記下表針倒數(shù)偏轉(zhuǎn)格數(shù)n′≈19.7格。然后交換管腳位置后重新測(cè)量，電阻值變成無窮大。由此判定第一次為正向接法，正向電阻為6.5kω，正向?qū)妷簐f=0.03v/格×9.7格=0.59v。第二次則屬于反向接法。該管子具有單向?qū)щ娦裕▍⒁妶D3(b)），并且靠近紅色環(huán)的管腳為正極。欲測(cè)量變?nèi)荻O管的結(jié)電容，可選用100pf量程的線性電容表。

NS 推出高保真度音頻運(yùn)算放大器

位增益穩(wěn)定，輸出電流高達(dá) 45ma。該款芯片在上述的供電電壓范圍內(nèi)操作時(shí)，其輸入電路的共模抑制比 (cmrr) 及電源抑制比 (psrr) 都高達(dá) 108db 以上，而輸入偏置電流則低至 10na (典型值)。在輸出級(jí)的全力支持下，lm4562 運(yùn)算放大器的音頻功能可以得到充分的發(fā)揮。這個(gè)輸出級(jí)若驅(qū)動(dòng) 2k 的負(fù)載，輸出擺幅不會(huì)超過供電電壓的 1v；若驅(qū)動(dòng) 600 的負(fù)載，輸出擺幅則不會(huì)超過供電電壓的 1.5v。 lm4562 運(yùn)算放大器即使驅(qū)動(dòng)高達(dá) 100pf 的電感負(fù)載，也可充分發(fā)揮其性能。這款芯片設(shè)有可抑制開關(guān)/切換噪聲的靜音功能，可使放大器的輸出降低至等同靜態(tài)電流，對(duì)節(jié)省用電很有幫助。此外，這款芯片也設(shè)有過熱停機(jī)及輸出短路等保護(hù)功能。 lm4562 芯片采用標(biāo)準(zhǔn)的 soic 封裝，單顆價(jià)為2.35 美元，已有大量現(xiàn)貨供應(yīng)。此外，這款芯片也另有 dip 封裝可供選擇，單顆價(jià)為 2.65 美元，而采用金屬容器封裝的芯片則每顆售 9.95美元。前兩款芯片的售價(jià)都以 1,000 顆為采購單位，而后者是以100顆為采購單位。lm4562 芯片

ESD保護(hù)器件的主要特性參數(shù)分析及典型應(yīng)用

成本，對(duì)于同時(shí)需要這幾種保護(hù)功能的端口來說，可謂設(shè)計(jì)者的首選(圖4)。 5.usb保護(hù) 一般usb的esd保護(hù)分上行(圖5)和下行(圖6)兩種情況。針對(duì)usb1.1的esd保護(hù)下行主要采用了nuf2101，上行esd保護(hù)采用stf202或者nuf2221w1t2。這些產(chǎn)品即能滿足usb線路終端的esd保護(hù)，還具有良好的濾波功能。 6.音頻/揚(yáng)聲器數(shù)據(jù)線路保護(hù) 在音頻數(shù)據(jù)線路保護(hù)方面(圖6)，由于音頻回路的信號(hào)速率比較低，對(duì)器件電容的要求不太高，100pf左右都是可以接受的。有的手機(jī)設(shè)計(jì)中將耳機(jī)和麥克風(fēng)合在一起，有的則是分立線路。前一種情況可以選擇單路tvs，而后一種情況如果兩個(gè)回路是鄰近的，則可以選用多路tvs陣列，只用一個(gè)器件就能完成兩個(gè)回路的保護(hù)。 7.按鍵/開關(guān) 對(duì)于按鍵和開關(guān)回路，這些回路的數(shù)據(jù)率很低，對(duì)器件的電容沒有特殊要求，用普通的tvs陣列都可以勝任。 本文總結(jié) 以上的產(chǎn)品主要是針對(duì)數(shù)據(jù)線路的esd保護(hù)。在表1中所列器件中有四款是專為為usb、以太網(wǎng)、防火墻和其他高速數(shù)據(jù)應(yīng)用

使用視頻放大器和比較器的單穩(wěn)態(tài)電路

一個(gè)視頻放大器的輸出在其到達(dá)一個(gè)肖特基比較器之前就被分化。傳播延遲減小到典型的10ns。輸出脈沖寬度是由c的值設(shè)定的，c為100pf時(shí)，脈沖寬度大約是90ns。 來源:zhengwei

寬波段振蕩器（頻率范圍為5000-1）

振蕩電阻r可調(diào)至位于10k和50m之間的任何值，這樣可得到位于400khz到100hz之間的頻率。使振蕩電阻返回至q1的集電極，可確保q1的基極電流只是來自定時(shí)電容ct。當(dāng)三極管釋放時(shí)，定時(shí)電容可再充電，三極管釋放的電壓等于q2的基極發(fā)射電壓加上q1和q2減少的基極發(fā)射電壓。三極管然后開始導(dǎo)電，電容器cs用于加速轉(zhuǎn)變。合適的值應(yīng)該在100pf的時(shí)候。 來源:zhengpingping

采用各基本元件制作分頻器電路

分頻器”。這里的分頻上針對(duì)單頻信號(hào)而言的。這種分頻一般指在數(shù)字電路。2、分頻是對(duì)信號(hào)中不同頻率成分的各種信號(hào)分開，分成幾個(gè)頻率段。實(shí)現(xiàn)分頻的電路或裝置稱為“分頻器”。這里的是針對(duì)由很多不同頻率成分組成的混合信號(hào)而言的。這種分頻一般指音響電路。 材料bom表： r1= 10k歐姆；r2=100k歐姆；r3=680歐姆；r4=1m歐姆；r5-6-7=100k歐姆；r8=47歐姆；r9-10-11=100k歐姆；c1= 1000uf 25v；c2-3= 100nf 100v 陶瓷制的；c4-5= 100pf陶瓷制的；ic1= 4011；t1= 110/220vac //8v 100ma；d1-2= 1n4007；d3= 5.1v 0.5w 齊納；d4-5= 1n4148。 來源:陰雨

新型簡易多量程電容計(jì)電路

如圖所示為電容器測(cè)量電路，可測(cè)量1uf以內(nèi)的電容量，分為5個(gè)量程：100pf、1000pf、0.01uf、0.1uf和1uf.電路中ica的輸出脈沖的下跳變沿經(jīng)cs、rs微分后去觸發(fā)icb.icb輸出的平均值電壓或電流正比于cx,平均值電流將由電表指示。w1用于調(diào)整滿刻度，cx接1uf或0.1uf標(biāo)準(zhǔn)容量電容器，調(diào)w1使表頭指示滿度值。w2~w4是調(diào)零電阻器，因?yàn)?556輸出直流失調(diào)電壓對(duì)各量程的影響略有不同，故分開調(diào)零。 來源:陰雨

萬用表-相位測(cè)試儀電路原理

袖珍型數(shù)字萬用表沒有l(wèi),c測(cè)量功能，即使便攜式數(shù)字表也沒有附加測(cè)l功能。該附加儀與dt-830b配合，即可以測(cè)l也可以測(cè)電路，電感的測(cè)量范圍為0.1uh-2h,分六檔，最小分辨率為0.uh,精度為2%以內(nèi)。c的測(cè)量范圍為0.1pf~1μf,分四檔，最小分辨率為0.1pf,精度為1%左右。 測(cè)電容c的電路如圖，由雙d觸發(fā)器cd4013等構(gòu)成。調(diào)200pf以上電容，數(shù)字表用直流2v檔，并要用精度為1%以內(nèi)的各量程標(biāo)準(zhǔn)電容分別校正；而測(cè)200pf以內(nèi)電容，應(yīng)用1%以內(nèi)的100pf電容校正后再用數(shù)字表200mv檔去測(cè)量。此時(shí)量程開關(guān)應(yīng)打在1nf檔。本電路若布局合理，最小雜散電容為3pf左右。 如圖電路wield測(cè)l電路。ic1a、ic1b與電阻、電容晶振等構(gòu)成500khz中頻振蕩器，若不經(jīng)分頻而輸入，則為最小量程20μh。 來源:qick

Wavecom模塊的MIC電路問題（2）

to：feng_zc 謝謝！c2、c3、c4：低通濾波有點(diǎn)不明白c2、c3、c4：低通濾波有點(diǎn)不明白，還請(qǐng)?jiān)僦更c(diǎn)。1. 低通濾波是指濾掉低頻波嗎？按理可聞聲波（低頻）應(yīng)該傳到mic1p和mic1n。根據(jù)容抗xc＝1/（2pifc），這里c大小為47pf到100pf可聞聲波：人耳能聽到的聲波，其頻率范圍大致在20hz~20 000 hz之間(1)xc = 1/(2*3.14 * 20 000hz * 100pf*10-12) = 79617.8歐姆；(2)xc = 1/(2*3.14 * 20hz * 47pf) = 169399647.6歐姆；所以是否應(yīng)為濾高頻波？請(qǐng)指點(diǎn)。2.一般濾波電容都是一邊接地，一邊接線路，那這里c3是兩邊都接線路，其工作原理是怎樣的呢？謝謝！

LPC2292,如用有源晶振，是否要串聯(lián)100PF電容？

lpc2292,如用有源晶振，是否要串聯(lián)100pf電容？lpc2292,如用有源晶振，是否要串聯(lián)100pf電容？

研討翻譯：運(yùn)算放大器如何驅(qū)動(dòng)電容負(fù)載？

ty）”。另外，也有提供“小信號(hào)過沖與電容負(fù)載”（small-signal overshoot vs. capacitive load）關(guān)系的典型數(shù)據(jù)的。查閱這些圖時(shí)，你會(huì)明白，過沖（the overshoot）會(huì)隨所加的電容指數(shù)地增加，它接近100%則運(yùn)算放大器也接近不穩(wěn)定。（如果可能，請(qǐng)有效地保持遠(yuǎn)離這個(gè)極限值）。（同時(shí)我們還會(huì)注意到，這個(gè)圖形對(duì)應(yīng)著一個(gè)指定的增益）。對(duì)于電壓反饋型運(yùn)算放大器，電容負(fù)載的驅(qū)動(dòng)能力也是隨著增益的增大而增加的，因此，對(duì)于電壓反饋放大器，如果它能在單位增益時(shí)可以驅(qū)動(dòng)100pf的電容，則它在10倍增益時(shí)就可以驅(qū)動(dòng)1000pf的電容。［譯注］文中“avf”疑是“a vf（a voltage feedback）”的筆誤，如果是，這算是我第二次發(fā)現(xiàn)adi文獻(xiàn)存在問題，另參見后面的cf。當(dāng)然，文章原來有幾個(gè)地方是存在標(biāo)點(diǎn)后不帶空格的小小問題的。[我認(rèn)為你的猜測(cè)是對(duì)的，我也是這樣理解的。]另外，此處的結(jié)論還告訴我們，為了提高電容負(fù)載的驅(qū)動(dòng)能力，可以適當(dāng)減小衰減輸入幅度來提高放大器的閉環(huán)增益?！?05】【005】

用OPA129制作電流轉(zhuǎn)電壓電路，工頻噪聲的來源為何？如何去除？

建議修改電路 地線是不能隨便加的。由于你說“把電路上的bnc外殼用導(dǎo)線接到實(shí)驗(yàn)室敷設(shè)的地線接線柱上之后，噪音反而更夸張”，貌似你的電路以及外部連接已經(jīng)形成環(huán)地了。 你的光敏管陽極接在地上，很容易受到干擾，建議改變工作方式，將光敏管短路，測(cè)短路電流，這樣還有一個(gè)好處——輸出電壓與光強(qiáng)度成正比。 修改方法很簡單，將光敏管的陽極與地?cái)嚅_，連接到opa129的3腳，再將c2換成100pf。這時(shí)候切斷了工頻干擾的電感耦合的回路，同時(shí)，電容耦合干擾變成了共模干擾，大部分也會(huì)被抑制掉。

求助關(guān)于電源泵的電容問題

求助關(guān)于電源泵的電容問題求助一下各位，這個(gè)圖是電源泵的電路。輸入兩個(gè)相位相反的5v方波，通過電源泵，輸出一個(gè)13.5v的電壓。請(qǐng)問如果我把c258，c259從10000pf換做100pf，會(huì)對(duì)其性能產(chǎn)生影響么？這兩個(gè)電容起什么作用？ 多謝多謝。