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FD800R17KE3_B2

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FD800R17KE3_...
參數(shù)信息：

制造商：Infineon

產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules

配置：Single Dual Collector Dual Emitter

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1700 V

在25 C的連續(xù)集電極電流：1200 A

最大工作溫度：+ 125 C

封裝 / 箱體：IHM130

柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V

最小工作溫度：- 40 C

 更多參數(shù)信息

FD800R17KE3_B2歷史價格

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  • 上海硅威科技有限公司 3年

  • FD800R17KE3_B2

  • 優(yōu)勢庫存 
  • Infineon
  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝
  • 22+
  • 6055
  • 全新原裝進口 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保一年

    09-04 09:12

  • 詢價

  • 深圳市華斯頓科技有限公司 17年

  • FD800R17KE3_B2

  • 普通庫存 
  • Infineon Technologies
  • 原裝
  • 25+23+
  • 16500
  • 原裝正規(guī)渠道優(yōu)勢商全新進口深圳現(xiàn)貨原盒原包

    09-04 15:38

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  • 昆山隆誠翔電子有限公司 18年

  • FD800R17KE3_B2

  • 普通庫存 
  • infineon
  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝
  • 24+
  • 8800
  • 原廠授權(quán)代理商主營IGBT模塊 可控硅模塊 二極管 晶

    09-04 15:35

  • 詢價

  • 安徽紐本科技有限公司 4年

  • FD800R17KE3_B2

  • 普通庫存 
  • INFINEON/英飛凌
  • MODULE
  • 24+
  • 1104
  • 全新原裝原盒原標(biāo)、實物實拍、型號齊全、價格優(yōu)惠、

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