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制造商：Infineon
產(chǎn)品種類：IGBT 模塊
產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules
配置：Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1700 V
集電極—射極飽和電壓：2.6 V
在25 C的連續(xù)集電極電流：1300 A
柵極—射極漏泄電流：400 nA
功率耗散：6.25 KW
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