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STD55NH2LLT4

更新時間:2025-07-12 01:58:55

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STD55NH2LLT4外觀圖

STD55NH2LLT4

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 24V 40A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

STD55NH2LLT4 概述

STD55NH2LLT4是意法半導體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的STripFET技術，具有低導通電阻和柵極電荷，適用于高效的電源管理應用。其最大漏源電壓為20V，連續(xù)漏極電流可達5.5A，在小尺寸DFN3x3封裝內(nèi)提供了優(yōu)異的電氣性能。典型應用場景包括負載開關、DC-DC轉換器以及電池充電電路等便攜式電子設備中。在實際使用時，建議在PCB設計階段充分考慮散熱需求，并確保柵極驅(qū)動電壓滿足閾值要求以保證正常開啟。由于其低Rds(on)特性，在需要高效能量傳輸?shù)膱龊媳憩F(xiàn)尤為出色。使用時需注意遵循制造商推薦的焊盤設計和回流焊工藝參數(shù)以確保可靠焊接。

STD55NH2LLT4 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
24V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
40A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
11 毫歐 @ 20A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
11nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
990pF @ 25V
功率 - 最大
60W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
497-4104-2

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