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std7n52k3中文資料

  • ST推出更高能效SuperMESH3功率MOSFET

    permesh3的創(chuàng)新技術(shù),結(jié)合更低的導(dǎo)通電阻,確保晶體管具有更高的能效。此外,配合優(yōu)異的dv/dt性能及更高的擊穿電壓裕度,將大幅度提高可靠性和安全性。 620v的stx6n62k3是新推出的supermesh3系列產(chǎn)品的首款產(chǎn)品,隨后還將推出620v的stx3n62k3和525v 的stx7n52k3 和stx6n52k3。利用supermesh3技術(shù)可以降低導(dǎo)通電阻的優(yōu)點(diǎn),在620v電壓下,dpak封裝的std6n62k3把導(dǎo)通電阻rds(on)降低到 1.28ω;在525v電壓下,std7n52k3把導(dǎo)通電阻rds(on)降低到0.98ω,從而提高節(jié)能燈鎮(zhèn)流器等照明應(yīng)用的工作能效。新技術(shù)還降低反向恢復(fù)時間(trr)、柵電荷量和本征電容,提高開關(guān)性能和工作頻率。 優(yōu)化的垂直結(jié)構(gòu)和帶狀拓?fù)涞娜诤?,為意法半?dǎo)體的supermesh3技術(shù)增添了一個新的優(yōu)點(diǎn):即同類產(chǎn)品中最出色的dv/dt特性。這個特性可以讓照明系統(tǒng)和消費(fèi)電子設(shè)備具有更高的可靠性和安全性。為實(shí)現(xiàn)全方位的強(qiáng)健性,supermesh3器件全部經(jīng)過了100%的雪崩測試,并集成了齊納二極管保護(hù)功能。 在可比的快速恢復(fù)高壓晶體

  • STx6N62K3/STx3N62K3利用SuperMESH3技術(shù)降低導(dǎo)通電阻提高節(jié)能燈鎮(zhèn)流器等照明應(yīng)用的工作能效

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  • 意法半導(dǎo)體推出SuperMESH3功率MOSFETSTx3N62K3

    permesh3的創(chuàng)新技術(shù),結(jié)合更低的導(dǎo)通電阻,確保晶體管具有更高的能效。此外,配合優(yōu)異的dv/dt性能及更高的擊穿電壓裕度,將大幅度提高可靠性和安全性。 620v的stx6n62k3是新推出的supermesh3系列產(chǎn)品的首款產(chǎn)品,隨后還將推出620v的stx3n62k3和525v 的stx7n52k3 和stx6n52k3。利用supermesh3技術(shù)可以降低導(dǎo)通電阻的優(yōu)點(diǎn),在620v電壓下,dpak封裝的std6n62k3把導(dǎo)通電阻rds(on)降低到 1.28ω;在525v電壓下,std7n52k3把導(dǎo)通電阻rds(on)降低到0.98ω,從而提高節(jié)能燈鎮(zhèn)流器等照明應(yīng)用的工作能效。新技術(shù)還降低反向恢復(fù)時間(trr)、柵電荷量和本征電容,提高開關(guān)性能和工作頻率。 優(yōu)化的垂直結(jié)構(gòu)和帶狀拓?fù)涞娜诤?,為意法半?dǎo)體的supermesh3技術(shù)增添了一個新的優(yōu)點(diǎn):即同類產(chǎn)品中最出色的dv/dt特性。這個特性可以讓照明系統(tǒng)和消費(fèi)電子設(shè)備具有更高的可靠性和安全性。為實(shí)現(xiàn)全方位的強(qiáng)健性,supermesh3器件全部經(jīng)過了100%的雪崩測試,并集成了齊納二極管保護(hù)功能。 在可比的快速恢復(fù)高壓晶體管技

std7n52k3替代型號

STD6N62K3 STD60N3LH5 STD5NK52ZD STD5N95K3 STD55NH2LL STD4NK50 STD3NK80Z-1 STD32 STD2000 STD18NF03L

STD85N3LH5 STD95N04 STD95NH02L STDC2150 STDC7150 STDD15-04W STDD15-07P6 STDD15-07S STDP3100 STDP8028

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