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NTHD3101FT1G

更新時間:2025-07-05 23:05:14

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
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深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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NTHD3101FT1G外觀圖

NTHD3101FT1G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET

封裝:8-SMD，扁平引線

NTHD3101FT1G 概述

NTHD3101FT1G是由安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。它采用SOT-23封裝，具有低導(dǎo)通電阻特性，在柵極電壓為4.5V時典型值僅為0.047Ω，非常適合于電池供電設(shè)備中的電源管理應(yīng)用。該元件可用于負載開關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及適配器等場景中。在實際應(yīng)用中，由于其低功耗和小尺寸特點，常被用于便攜式電子產(chǎn)品如智能手機和平板電腦的電源路徑管理。使用時需注意正確選擇驅(qū)動電壓以確保MOSFET充分開啟，并合理布局PCB以優(yōu)化散熱效果。例如，在設(shè)計中可將源極與地平面直接連接來提高散熱性能，同時盡量縮短柵極走線以減少寄生電感影響。

NTHD3101FT1G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
二極管（隔離式）
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
3.2A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
80 毫歐 @ 3.2A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
7.4nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
680pF @ 10V
功率 - 最大
1.1W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SMD，扁平引線
供應(yīng)商設(shè)備封裝
ChipFET?
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NTHD3101FT1GOSTR

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