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CHIPFET/12068/17
QQ詢價原裝真實庫存現(xiàn)貨熱賣
NTHD4102PT1G
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CHIPFET/12068/17
QQ詢價原裝真實庫存現(xiàn)貨熱賣
NTHD4102PT1G
10000
1206A8/ROHS.NEW/
原裝，元器件供應(yīng)。IC，MCU，MOS
NTHD4102PT1G
30000
1206A8/21+
原廠渠道，只做原裝現(xiàn)貨
NTHD4102PT1G
63000
1206A8/2018+
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NTHD4102PT1G
21000
-/25
原裝BOM一站配單
NTHD4102P
3000
SOT283/N/A
原裝正品熱賣，價格優(yōu)勢
NTHD4102P
5000
ChipFET8/24+
原廠直銷，提供技術(shù)支持
NTHD4102P
6607
-/2024+
現(xiàn)貨假一罰萬只做原廠原裝現(xiàn)貨
NTHD4102P
41101
SOT283/-
大量現(xiàn)貨，提供一站式配單服務(wù)
NTHD4102P
65286
-/21+
全新原裝現(xiàn)貨，長期供應(yīng)，免費送樣
NTHD4102P
8700
-/23+
原裝現(xiàn)貨
NTHD4102P
5000
-/24+
優(yōu)勢渠道現(xiàn)貨,提供一站式配單服務(wù)
NTHD4102P
48000
SOT283/24+
原裝現(xiàn)貨，可開專票，提供賬期服務(wù)
NTHD4102P
225080
SOT283/2016+
原裝現(xiàn)貨長期供應(yīng)
NTHD4102P
26500
ChipFET8/25+23+
汽車IC原裝現(xiàn)貨/優(yōu)勢渠道商、原盤原包原盒
NTHD4102P
5000
SOT283/23+
優(yōu)勢產(chǎn)品大量庫存原裝現(xiàn)貨
NTHD4102P
8000
22+/NA
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NTHD4102P
8391
SOT283/22+
特價現(xiàn)貨，提供BOM配單服務(wù)
NTHD4102P
23412
-/23+
提供一站式配單服務(wù)
NTHD4102P
Power MOSFET -20 V, -4.1 A Dual P-Ch...
ON SEMICONDUCTOR
NTHD4102PPDF下載
NTHD4102P-D
Power MOSFET -20 V, -4.1 A Dual P-Ch...
ON Semiconductor
NTHD4102P-DPDF下載
NTHD4102PT1G
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
NTHD4102PT1GPDF下載
壓(vf)已經(jīng)是400 mv，這就導(dǎo)致無法提供足夠的電壓裕量。而且隨著充電電流的增加，肖特基二極管所促成的0.4 v極高壓降更會使其成為一個阻塞點。因此，在今后的解決方案中應(yīng)該避免使用fetky解決方案。 而在另一方面，通過用具有低v ce(sat)的晶體管或者具有低rds(on)的mosfet代替肖特基二極管，可以降低傳輸元件上的壓降，從而符合所需要的有限電壓裕量要求。例如，雙fet用作充電功率元件(如圖3(b)所示)就是一個更加合適的選擇。在這方面，安森美半導(dǎo)體的ntljd3115p和nthd4102p就是非常適合的選擇。其中，ntljd3115p是一款-20 v、-4.1 a、μcool? 雙p溝道功率mosfet，它采用2×2 mm的wdfn封裝，具有極低的導(dǎo)通阻抗，其0.8 mm的高度也使其非常適合纖薄的應(yīng)用環(huán)境；它針對便攜設(shè)備中的電池和負(fù)載管理應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，適合于鋰離子電池充電和保護(hù)電路應(yīng)用及高端負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。而nthd4102p是一款-20 v、-4.1 a雙p溝道chipfettm功率mosfet，同樣具有較小的占位面積和極低的導(dǎo)通阻抗，適合于纖薄的便攜應(yīng)用環(huán)境。 具體而言
態(tài)時，它可以在1.5?s (典型值)內(nèi)被觸發(fā)至關(guān)斷狀態(tài)。為usb充電器選擇ovp ic時，應(yīng)確保ovlo最大值低于直接連接至電源的ic的“最高絕對工作電壓”。為了滿足mii的usb充電器要求，適合的ovlo值應(yīng)低于6v。如上所述，由于高充電電流和有限的電壓裕量，傳輸元件(mosfet)的rds(on)應(yīng)保持盡可能低。在ncp347中，集成的n溝道m(xù)os開關(guān)的典型ron僅為典型值65mω。這個值是市場中同類產(chǎn)品中最低的。 圖3：采用兩個具有低rds(on)的mosfet作為傳輸元件。nthd4102p是一個典型rds(on)值為6?mω的雙p溝道m(xù)osfet，因此充電電流為1a時僅產(chǎn)生0.13v的壓降。 帶連接至處理器的接口的ovp ic可實現(xiàn)更加智能的保護(hù)方案。假定flag引腳報告故障狀態(tài)，enable引腳通過編程將處理器設(shè)定為檢測到連續(xù)的故障狀態(tài)時明確地禁止ncp347。否則，當(dāng)故障狀態(tài)被消除時，ovp應(yīng)自動地再次導(dǎo)通。最后，其2.5x2.5x0.55mm的超薄封裝應(yīng)適合任何小型便攜式設(shè)計。這種保護(hù)電路將確保手機通過cttl要求的60分鐘的過壓測試條件。 圖4 帶鋰離
產(chǎn)品型號:NTHD4102PT1G
源漏極間雪崩電壓VBR(V):1
源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ):64@-4.5V
最大漏極電流Id(on)(A):1
通道極性:P/P溝道
封裝/溫度(℃):ChipFET/-55~150
描述:-4.1A, -20V雙功率MOSFET
價格/1片(套):￥2.90<...
電流參數(shù)：ID=-2.9A/IS=-13.8A電壓參數(shù)：UDSS=20V/UGS=±8V功 率： PD=1.1W其他參數(shù)：4.5V/64mΩ、2.5V/85mΩ，1.8V/120mΩ，tn=20ns極 性：P備 注：雙場效應(yīng)管/內(nèi)含二極管
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