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NTLJD4116NT1G

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NTLJD4116NT1G外觀圖

NTLJD4116NT1G

ON Semiconductor FET - 陣列

MOSFET N-CHAN DUAL 30V 6-WDFN

封裝:6-WDFN 裸露焊盤

NTLJD4116NT1G 概述

NTLJD4116NT1G是安森美半導體生產(chǎn)的一款P溝道增強型MOSFET。該器件采用小巧的SOT-23封裝，適合在緊湊電路設計中使用。其最大漏源電壓為-20V，能夠承受較高的功率密度，在便攜式電子設備中應用廣泛。典型應用場景包括電池供電設備中的負載開關(guān)、充電保護電路等。由于其低導通電阻特性，在開關(guān)過程中可以減少能量損耗，提高能效。在實際應用中，建議在柵極串聯(lián)一個限流電阻以防止沖擊電流損壞MOSFET。同時，為了確保可靠工作，應保證柵極驅(qū)動電壓足夠使MOSFET完全導通，并注意散熱設計以維持穩(wěn)定工作溫度。

NTLJD4116NT1G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 陣列
系列
-
FET 型
2 個 N 溝道（雙）
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
70 毫歐 @ 2A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
6.5nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
427pF @ 15V
功率 - 最大
710mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-WDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝
6-WDFN（2x2）
包裝
帶卷 (TR)

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