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NTLJD3119CTBG

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說明
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深圳市誠研翔科技有限公司
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深圳中和芯電子有限公司
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深圳市英科美電子有限公司
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NTLJD3119CTBG外觀圖

NTLJD3119CTBG

ON Semiconductor FET - 陣列

MOSF N/P-CH 20V 2.6A/2.3A 6WDFN

封裝:6-WDFN 裸露焊盤

NTLJD3119CTBG 概述

NTLJD3119CTBG是由On Semiconductor（安森美半導體）生產的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用TINYD封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效直流-直流轉換器、負載開關及電源管理應用。其柵極電荷較低，有助于減少驅動損耗，提升整體效率。在便攜式設備如智能手機和平板電腦中，NTLJD3119CTBG常用于電池充電電路和電壓調節(jié)模塊，以實現更長的電池續(xù)航時間和更好的熱性能。由于其緊湊的封裝尺寸，特別適合空間受限的設計。在實際應用中，需注意合理設計PCB布局，以優(yōu)化散熱效果并減小寄生電感，確保穩(wěn)定可靠的工作狀態(tài)。根據具體應用場景調整柵極驅動電阻值，可以進一步優(yōu)化開關速度與EMI性能。

NTLJD3119CTBG 規(guī)格參數

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 陣列
系列
µCool™
FET 型
N 和 P 溝道
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2.6A，2.3A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
65 毫歐 @ 3.8A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
3.7nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
271pF @ 10V
功率 - 最大
710mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-WDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝
6-WDFN（2x2）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NTLJD3119CTBG-NDNTLJD3119CTBGOSTR

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