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IHW30N100R

更新時間:2025-07-08 05:02:34

供應商
產品型號
服務標識
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廠商
封裝/批號
說明
詢價

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原廠原裝現(xiàn)貨

深圳市硅諾電子科技有限公司
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您是不是要找：IHW20T120 IHW20N120R2 IHW15T120 IHW15N120R2 IHLP5050FDERR47M01 IHLP5050FDERR40M01 IHLP5050FDER6R8M01 IHLP5050FDER6R8M0 IHLP5050FDER4R7M01 IHLP5050FDER3R3M01 IHW30N100T

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IHW30N100R 概述

IHW30N100R是由International Rectifier（已被Infineon Technologies收購）生產的高性能MOSFET。這款MOSFET具有低導通電阻和高擊穿電壓特性，其最大漏源電壓（Vds）可達1000V，連續(xù)漏極電流（Id）為30A。它采用TO-247封裝，適合需要高效功率轉換的應用場景。該型號適用于工業(yè)電源、不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器和電機驅動等應用。在這些場景中，IHW30N100R能夠提供可靠的開關性能和較低的功耗。設計時需注意確保柵極驅動電路穩(wěn)定，以防止不必要的開關損耗和熱失控問題。對于高頻應用，建議優(yōu)化PCB布局以減少寄生電感和電容的影響，從而提升整體系統(tǒng)效率。使用過程中應遵循制造商推薦的最大工作溫度和電壓范圍，確保器件長期可靠運行。

IHW30N100R 規(guī)格參數

數據列表
IHW30N100R
標準包裝
240
類別
分離式半導體產品
家庭
IGBT - 單路
系列
-
IGBT 類型
溝道和場截止
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
1000V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
1.7V @ 15V，30A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
60A
功率 - 最大
412W
輸入類型
標準型
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
PG-TO247-3
包裝
管件
其它名稱
SP000212224

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