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IHW30N120R2

更新時間:2025-07-03 10:21:05

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IHW30N120R2 概述

IHW30N120R2是英飛凌(Infineon)生產的一款高性能功率MOSFET。該器件采用TO-247封裝，具有低導通電阻和高擊穿電壓特性，適用于需要高效功率轉換的場合。這款MOSFET的最大漏源電壓Vds為1200V，連續(xù)漏極電流Id可達30A，非常適合應用于工業(yè)級電源系統(tǒng)中。其典型應用包括不間斷電源(UPS)、太陽能逆變器、電機驅動以及開關模式電源(SMPS)等高壓高頻功率轉換電路。在實際應用中，建議在柵極串聯(lián)一個適當阻值的電阻來控制開關速度并減少振蕩。由于其較高的耐壓能力，在PCB布局時應注意保持足夠的爬電距離以確保安全性。同時，為了充分發(fā)揮其低導通損耗的優(yōu)勢，應優(yōu)化驅動電路的設計，保證柵極電壓能夠快速且準確地建立。

IHW30N120R2 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據列表
IHW30N120R2
標準包裝
240
類別
分離式半導體產品
家庭
IGBT - 單路
系列
TrenchStop™
IGBT 類型
NPT、溝道和場截止
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
1200V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
1.8V @ 15V，30A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
60A
功率 - 最大
390W
輸入類型
標準型
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
PG-TO247-3
包裝
管件
其它名稱
SP000212017

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