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FCD5N60TM

更新時間:2025-05-20 03:44:40

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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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原裝現貨庫存QQ3552671880 2987726803

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FCD5N60TM外觀圖

FCD5N60TM

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

FCD5N60TM 概述

FCD5N60TM是由Fairchild Semiconductor（現已被ON Semiconductor收購）生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-252封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻應用。其最大漏源電壓（Vds）為600V，連續(xù)漏極電流（Id）可達5A，適合在高壓、大電流的電力電子電路中使用。典型應用場景包括開關電源、AC-DC和DC-DC轉換器、電機驅動器以及照明控制系統等。由于其高效率和良好的熱穩(wěn)定性，在工業(yè)控制和消費電子領域也有廣泛應用。設計時應注意適當的散熱措施以確保器件長期穩(wěn)定工作。對于柵極驅動電路的設計，建議使用合適的驅動電壓以保證MOSFET完全開啟和關閉，從而減少開關損耗并提高系統整體效率。

FCD5N60TM 規(guī)格參數

產品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
SuperFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
4.6A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
950 毫歐 @ 2.3A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
16nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
600pF @ 25V
功率 - 最大
54W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FCD5N60TM-NDFCD5N60TMTR

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