|
|||||||||||
| 技術(shù)交流 | 電路欣賞 | 工控天地 | 數(shù)字廣電 | 通信技術(shù) | 電源技術(shù) | 測控之家 | EMC技術(shù) | ARM技術(shù) | EDA技術(shù) | PCB技術(shù) | 嵌入式系統(tǒng) 驅(qū)動編程 | 集成電路 | 器件替換 | 模擬技術(shù) | 新手園地 | 單 片 機(jī) | DSP技術(shù) | MCU技術(shù) | IC 設(shè)計 | IC 產(chǎn)業(yè) | CAN-bus/DeviceNe |
請教：如何使用mos管做一個電流開關(guān)？小弟要用電流驅(qū)動像素電路 |
| 作者：c1e1e1 欄目：IC設(shè)計 |
就是想有一個電流開關(guān)，能夠在控制電壓（0-15v）下，導(dǎo)通和截至，由于是TFT電路，所以要用到mos管。電流在10uA以下。電流是分為幾個等級的，也就是現(xiàn)實的灰度 |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： chargepump 于 2005/1/5 21:23:00 發(fā)布：
電流不大，單管就可以了。 |
|
| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： c1e1e1 于 2005/1/8 9:54:00 發(fā)布：
單管好象控制不了，因為當(dāng)關(guān)斷時，電流源一端電壓上升過大 我看到的結(jié)果是：關(guān)斷與導(dǎo)通時，沒有起到關(guān)斷電流的作用。我用的電流有的是 零點幾uA，有的是十幾uA。我用了一個電阻做為負(fù)載，與電流源，MOS管的漏源 機(jī)串聯(lián)在了一起。請問這樣為什么不行呢？電阻另一端接地。 謝謝chargepnmp! 有沒有多管能關(guān)斷電流電路的辦法？ 謝謝 |
|
| 4樓： | >>參與討論 |
| 作者： asunmad 于 2005/1/8 13:46:00 發(fā)布：
不太清楚你那“不行”的電路是怎么樣的，能有個圖嗎？ “單管好象控制不了，因為當(dāng)關(guān)斷時，電流源一端電壓上升過大” 如果想避免“關(guān)斷時，電流源一端電壓上升過大”，可以考慮關(guān)斷時把電流引流到另一個不起作用的去路，即用兩個MOS管，一個控制到電路的功能部分，另一個直接到地（或者其它節(jié)點）。這兩個MOS管不同時開。這樣就是會有一部分電流白白浪費掉了。 |
|
| 5樓： | >>參與討論 |
| 作者： c1e1e1 于 2005/1/8 20:06:00 發(fā)布：
電路圖如下，請教了，就是想用M5管來通斷電路數(shù)據(jù)電流Idata V列是控制M5的電壓，為列掃描電壓。V行為行掃描電壓。
|
|
| 6樓： | >>參與討論 |
| 作者： asunmad 于 2005/1/8 20:16:00 發(fā)布：
你的意思是不是想在 V列 和 V行 信號都有效時把Id復(fù)制到M4？ 如果是這樣，那么是有問題。主要就是當(dāng)開關(guān)都判斷時，保存在電容上的電荷不能泄放掉，所以從負(fù)載來看就表現(xiàn)為沒有判斷。 在V列或V行無效期間，不應(yīng)讓M4的柵處于高阻，而應(yīng)該提供一個到地的通路，把柵節(jié)點上的電荷泄放掉，這樣才能使M4判斷。 |
|
| 7樓： | >>參與討論 |
| 作者： c1e1e1 于 2005/1/8 20:16:00 發(fā)布：
不好意思，圖小了點，自己畫的，第一次，沒弄明白 都是nmos管，我做了一下仿真，單單修改M5寬長比是不行的，可能還跟后面的寄生電容有關(guān)系。M3,M4電流境。M1,M2,M3,M4是一個整體的像素電路，其中，M1,M2是行控制管，仿真結(jié)果，可以很好的關(guān)斷。但是，M5 是一個列控制數(shù)據(jù)的管子，使用它，卻沒有關(guān)斷數(shù)據(jù)電流。 小弟這里請教了，還有什么好辦法能夠很好的通斷數(shù)據(jù)電流Id. 多謝asunmad,你的建議不錯，可是，那樣的話功耗就會很大的，且占用IC面積，能否有更好的辦法呢？我這里單管關(guān)斷不了是為了什么呢？我用的是0-15周期電壓萊做V列，周期是3.2us，高電平1.6us，低電平1.6us. |
|
| 8樓： | >>參與討論 |
| 作者： c1e1e1 于 2005/1/9 9:44:00 發(fā)布：
你的意思我明白，但是我的意思就是要M4管柵壓一直存在 M4管柵級連接電容是單獨做出來的。就是為了是該柵壓有一定電荷，以驅(qū)動M4管。 但是M4柵壓是要隨著數(shù)據(jù)電流變化而變化的。這樣是為了使流過二極管的電流有變化，有灰度。 我的意思就是要用M5管關(guān)或通數(shù)據(jù)電流Id。我做了一下仿真，前提是V行處在高電平狀態(tài)（15），在此條件下，V列以3.2us為周期通斷。我測了一下流過M5漏源電流，結(jié)果是V列的通斷對電流沒什么影響。是不是電流太小的原因呀？ 當(dāng)V行關(guān)斷時，卻能很好的保持M5柵級電壓，且很好的截止， 再次請教了，是不是單管來實現(xiàn)對電流的通斷不合適呀？還是和寄生電容有關(guān)系？ 謝謝你這么熱心的幫忙！ |
|
| 9樓： | >>參與討論 |
| 作者： asunmad 于 2005/1/9 10:57:00 發(fā)布：
還是那個問題 你本來的意思是想在V列信號為低期間判斷負(fù)載的電流，V列為高時把ID復(fù)制到負(fù)載，這樣通過控制V列信號的點空比，就可以抑制負(fù)載電流的平均值，從而控制灰度。是這樣嗎？ 這里的問題是，即使M5被關(guān)斷了，M4管的電流必然還將在相當(dāng)長的時間內(nèi)保持（因為柵極處于高阻）。所以，如果在M5的右邊或者直接在M4的柵極加一個到地的N管M6，柵壓為V列的非，這樣在M5關(guān)斷期間，M6可以把M4的柵壓拉到地，實現(xiàn)可靠的截止。 這里只考慮了最主要的因素，沒有考慮開關(guān)引起的電荷注入等效應(yīng)。 * - 本貼最后修改時間：2005-1-9 12:12:40 修改者：asunmad |
|
| 10樓： | >>參與討論 |
| 作者： health.tt 于 2005/1/9 18:46:00 發(fā)布：
你的M5 |
|
| 11樓： | >>參與討論 |
| 作者： yangfly007 于 2005/1/9 19:16:00 發(fā)布：
還是那個問題 M5襯底電壓是什么，會不會有一個寄生的正向二極管，使得M5的柵壓不能控制溝道的關(guān)斷？ 也有可能是寄生效應(yīng)太大，來不及反應(yīng)。仿真的時候?qū)列的頻率減小看看。 否則M5不能關(guān)斷是沒有道理的。 |
|
| 12樓： | >>參與討論 |
| 作者： asunmad 于 2005/1/9 19:36:00 發(fā)布：
我前面說錯了點 V列為低期間M4管的柵不一定為高阻，V行為低時才是高阻。但是如果圖中的電容不僅僅是寄生電容，還有有意畫的電容的話，M4柵上的電位也會維持一段時間。 |
|
| 13樓： | >>參與討論 |
| 作者： c1e1e1 于 2005/1/9 21:48:00 發(fā)布：
to yangfly007,你指的正向二極管是？寄生效應(yīng)又是指？ 小弟不太明白，小弟用的是ploy-TFT管，做仿真是不需要襯底，我用的是star-hspice,我試著把頻率減小，但是，看來是不行。 你指的來不及反應(yīng)？小弟認(rèn)為可能跟寄生電容等有關(guān)系，還望你給多多指教。 謝謝你。 |
|
| 14樓： | >>參與討論 |
| 作者： c1e1e1 于 2005/1/9 22:07:00 發(fā)布：
to asunmad 途中的電容是設(shè)計加上的，就是為了保持一定的柵壓 電容是必須要的，是為了保持不同的柵壓，以驅(qū)動M4管，使之漏源有不同的電流，當(dāng)V行關(guān)斷時，電容保持電壓不變，當(dāng)V行導(dǎo)通時，電容電壓隨著電流id大小不同而變化。 Id 是由外部產(chǎn)生她的大小變化也是外部決定，和M5無關(guān)。M5只負(fù)責(zé)切斷電流Id，不讓Id在V行導(dǎo)通期間影響電容電壓大小。只允許Id在V列，V行都導(dǎo)通期間改變電容的值。這樣也就控制了二極管的灰度級。 我沒有用脈寬的大小控制灰度級。我僅僅想讓M5控制電流Id的通斷，以備后用。 或者，你給我一些別的電路也好，我愁壞了。 在此多謝多謝了。 |
|
| 15樓： | >>參與討論 |
| 作者： asunmad 于 2005/1/10 20:16:00 發(fā)布：
建議你給V列加一個負(fù)階躍信號，看看M4的柵壓和漏電流波形。 連續(xù)的信號不容易看出問題。 |
|
| 16樓： | >>參與討論 |
| 作者： c1e1e1 于 2005/1/11 8:32:00 發(fā)布：
你是指V列信號為負(fù)的階越信號，還是要在M5的輸入端-漏端加信號 |
|
| 17樓： | >>參與討論 |
| 作者： sheepyang 于 2005/1/11 10:21:00 發(fā)布：
不是很清楚 根據(jù)樓主的描述,工作的原理大致如下: 數(shù)據(jù)流Id在V列高和V行高時能對電容C充電,外部電容相當(dāng)于取樣保持. 當(dāng)V列和V行不同為高時,二極管保持工作狀態(tài)不發(fā)生變化. 樓主的問題是不是M5沒有起到傳輸門關(guān)斷電流的作用!即V列低時還有電流流過M5???? 這好象有點問題.是不是還有別的外圍電路.到底Id是一直有還是時有時無? V列低時Id有沒有流到別的器件去了? 數(shù)據(jù)流到底是電流還型還是電壓型的? 另外我有個問題. 外部電容取樣保持,可能會漏電,電壓會降低,是不是有刷新電路? 當(dāng)?shù)突叶刃盘杹?是不是Id要倒著流? |
|
| 18樓： | >>參與討論 |
| 作者： zaixq 于 2005/1/11 10:23:00 發(fā)布：
我以前看過這個oled驅(qū)動電路 1：樓主所謂的電流源一端的電壓是只那里呢，m5的左邊的那端嗎？還有我覺得是不是沒襯底的TFT和平常所用的mos管的有點不一樣呢。 2：樓主是不是要m5的漏源電流壓，是不是可能時鐘饋通的作用使m4的柵電壓變化呢�。�！ |
|
| 19樓： | >>參與討論 |
| 作者： zaixq 于 2005/1/11 10:30:00 發(fā)布：
還有一點了！�。_^ 我以前都是用的aim－spice仿真tft的，不是用star－spice仿真的，樓主可以用這個試試吧！ |
|
| 20樓： | >>參與討論 |
| 作者： larkzer 于 2005/1/12 21:15:00 發(fā)布：
完全不知道為什么 進(jìn)來學(xué)習(xí)一下 TFT MOS一樣 哪關(guān)不斷就沒有道理呀 |
|
| 21樓： | >>參與討論 |
| 作者： asunmad 于 2005/1/12 21:21:00 發(fā)布：
我的意思是在M5的柵加負(fù)階躍信號 也就是讓M5初始為開，然后永遠(yuǎn)關(guān)上。看看瞬態(tài)響應(yīng)，其后的各信號都怎么變化，是不是慢慢地關(guān)上了。 |
|
| 22樓： | >>參與討論 |
| 作者： c1e1e1 于 2005/1/13 18:49:00 發(fā)布：
to sheepyang Id是電流型的 我的問題就是M5不能關(guān)斷。Id也是一直都有的。電流是不會倒流的，可以走另一個線路，就是M2-M3到地。 沒有別的電路了，有也是這個電路的復(fù)制，因為這是對應(yīng)沒一個像素的。不知道針對你的問題說明白沒有？ 你能跟我說明白問什么M5不能關(guān)斷電流Id嗎？多謝了 |
|
| 23樓： | >>參與討論 |
| 作者： c1e1e1 于 2005/1/13 19:10:00 發(fā)布：
to zaixq 不明白你的意思 我說的電流一端是在M5得左端，電流也就使用做數(shù)據(jù)的電流。 對于你第二個問題，我還不太明白，我的目的就是要讓m5 能夠截斷電流Id,你說的時鐘饋通作用使M4柵壓變化，那有是如何影響 M5關(guān)斷的呢？ 請教了，謝謝 |
|
| 24樓： | >>參與討論 |
| 作者： asunmad 于 2005/1/13 20:58:00 發(fā)布：
忘了一點，你在仿真時Id是怎么給的？ 是用其它偏置電路加的？還是直接用電流源給的？用后者肯定不行。 |
|
| 25樓： | >>參與討論 |
| 作者： sheepyang 于 2005/1/14 10:53:00 發(fā)布：
是仿真的問題 我覺得你是不是用獨立電流源了? 不能用獨立電流源來作仿真.因為獨立電流源能調(diào)整自己的狀態(tài), 是個不確定因素.我用三極管作了仿真,采用獨立電流源.請看 仿真電路圖及其工作狀態(tài)數(shù)據(jù). 本來是基極接地是應(yīng)該關(guān)斷三極管的,但是仍有電流流過三極管. I4設(shè)定的電流是10ΜA * - 本貼最后修改時間：2005-1-14 11:02:11 修改者：sheepyang
|
|
| 26樓： | >>參與討論 |
| 作者： sheepyang 于 2005/1/14 11:18:00 發(fā)布：
鏡象電流 我想Id肯定是電流鏡象. 不知道我畫得對不對.應(yīng)該把這部分考慮進(jìn)去.
|
|
| 27樓： | >>參與討論 |
| 作者： zaixq 于 2005/1/14 14:34:00 發(fā)布：
有電流流過m5大不大 我所說的是m5有電流流過影響m4的柵壓還是其他方面影響m4的柵壓的？m5的電流是不是很小阿，因為不是有那種亞閾值特性的電流存在嗎？是不是這個原因！ |
|
| 28樓： | >>參與討論 |
| 作者： zaixq 于 2005/1/14 14:41:00 發(fā)布：
to c1e1e1！�。� 我覺得上面所說的那個仿真問題看法很好，樓主能不能把仿真的參數(shù)模型發(fā)給我阿，我也想仿真一下，也很想了解這個問題，因為以前我也考慮過！可惜沒模型參數(shù)，無法仿真！謝謝�。�！我的郵箱是zhzhaiq@163.com,能用hpsice直接仿真嗎？ |
|
| 29樓： | >>參與討論 |
| 作者： sheepyang 于 2005/1/14 15:41:00 發(fā)布：
To zaixq 前面已經(jīng)說過電流是從0.幾微安到十幾微安的信號來作為輝度的變化驅(qū)動信號. 仿真的模型應(yīng)該是公司的機(jī)密.不大可能發(fā)給你的. 自己可以找一些現(xiàn)成的MODEL. 最簡單的就是給出Vt,L,W和Tox,遷移率.一般的教科書上會給出些 很老的器件模型,也應(yīng)該可以用用. 我想電路的響應(yīng)時間不是問題. clelel給出的時間周期是3.2微妙. * - 本貼最后修改時間：2005-1-14 15:44:45 修改者：sheepyang |
|
| 30樓： | >>參與討論 |
| 作者： zaixq 于 2005/1/17 9:03:00 發(fā)布：
亞閾值區(qū)的電流能達(dá)0.幾微安阿 to sheepyang 工作在亞閾值的電壓能達(dá)0.幾微安了，樓主是不是這個原因呢，我看了教科書上一般是只給出常用mos管的模型參數(shù)，而小弟不知道tft的模型參數(shù)是不是和常用的mos管一樣。謝謝�。。� |
|
| 31樓： | >>參與討論 |
| 作者： c1e1e1 于 2005/1/19 9:48:00 發(fā)布：
to 大家 小弟這幾天忙著終身大事去了，很是抱歉沒有回復(fù)各位的貼子，非常感謝各位給我的幫助，真誠的感謝 |
|
| 32樓： | >>參與討論 |
| 作者： c1e1e1 于 2005/1/19 9:52:00 發(fā)布：
to sheeoyang 太好了，非常感謝，我用的是獨立電流源 我用的是獨立電流源，關(guān)斷不了，可能是跟你說得很有關(guān)系。謝謝你了。 但是，V行卻能很好的關(guān)斷Id,這也可能是結(jié)構(gòu)上的不同吧？ 謝謝你給得電流鏡那個控制圖，我再做做看看，多謝多謝。 |
|
| 33樓： | >>參與討論 |
| 作者： c1e1e1 于 2005/1/19 10:02:00 發(fā)布：
to zaixq 你以前用的aim-spice 仿真模型就可以用在star-hspice里面，但是，相應(yīng)的level應(yīng)為62，而不是AIM-spice里的16。 TFT 與普通的MOS在仿真上差不多。但是實際結(jié)構(gòu)是不一樣的。 |
|
|
|
| 免費注冊為維庫電子開發(fā)網(wǎng)會員，參與電子工程師社區(qū)討論，點此進(jìn)入 |
Copyright © 1998-2006 www.udpf.com.cn 浙ICP證030469號 |