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SDD100N08 Datasheet

  • SDD100N08

  • Sirectifier Semiconductors [Diode-Diode Modules]

  • SIRECTIFIER

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SDD100
Diode-Diode Modules
Fig. 5 Three phase rectifier bridge:
Power dissipation versus direct
output current and ambient
temperature
3 x SDD100
Fig. 6 Transient thermal impedance
junction to case (per diode)
R
thJC
for various conduction angles d:
d
DC
180
o
C
120
o
C
60
o
C
30
o
C
R
thJC
(K/W)
0.35
0.37
0.39
0.43
0.47
Constants for Z
thJC
calculation:
i
1
2
3
R
thi
(K/W)
0.013
0.072
0.265
t
i
(s)
0.0014
0.062
0.375
Fig. 7 Transient thermal impedance
junction to heatsink (per diode)
R
thJK
for various conduction angles d:
d
DC
180
o
C
120
o
C
60
o
C
30
o
C
R
thJK
(K/W)
0.55
0.57
0.59
0.63
0.67
Constants for Z
thJK
calculation:
i
1
2
3
4
R
thi
(K/W)
0.013
0.072
0.265
0.2
t
i
(s)
0.0014
0.062
0.375
1.32

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