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SDD10N01 Datasheet

  • SDD10N01

  • Sirectifier Semiconductors [Discrete Diodes]

  • SIRECTIFIER

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SDD10
Discrete Diodes
Dimensions TO-220AB
3
Dim.
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
Q
R
1
2
1
2
3
SDD10N01
SDD10N02
SDD10N03
SDD10N04
SDD10N05
SDD10N06
SDD10N07
V
RSM
V
50
100
200
400
600
800
1000
V
RRM
V
50
100
200
400
600
800
1000
Inches
Min.
Max.
0.500 0.550
0.580 0.630
0.390 0.420
0.139 0.161
0.230 0.270
0.100 0.125
0.045 0.065
0.110 0.230
0.025 0.040
0.100
BSC
0.170 0.190
0.045 0.055
0.014 0.022
0.090 0.110
Milimeter
Min.
Max.
12.70 13.97
14.73 16.00
9.91 10.66
3.54
4.08
5.85
6.85
2.54
3.18
1.15
1.65
2.79
5.84
0.64
1.01
2.54
BSC
4.32
4.82
1.14
1.39
0.35
0.56
2.29
2.79
Symbol
I
F(AV)M
T
C
=100
o
C; 180
o
sine
T
VJ
=45
o
C;
I
FSM
T
VJ
=150
o
C;
T
VJ
=45
o
C;
I
2
t
T
VJ
=150 C;
o
Test Conditions
Maximum Ratings
10
Unit
A
t=10ms (50Hz), sine
t=8.3ms (60Hz), sine
t=10ms(50Hz), sine
t=8.3ms(60Hz), sine
t=10ms (50Hz), sine
t=8.3ms (60Hz), sine
t=10ms(50Hz), sine
t=8.3ms(60Hz), sine
100
110
90
100
50
50
41
42
-40...+180
180
-40...+150
A
A
2
s
T
VJ
T
VJM
T
stg
M
d
Weight
Symbol
I
R
V
F
V
TO
r
T
R
thJC
T
VJ
=T
VJM
; V
R
=V
RRM
I
F
=45A; T
VJ
=25
o
C
For power-loss calculations only
T
VJ
=T
VJM
DC current
Test Conditions
Mounting torque
o
C
0.4...0.6
4
Characteristic Values
_
< 0.5
_
< 1.15
0.8
40
3.5
Nm
g
Unit
mA
V
V
m
K/W

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