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SP8M24 Datasheet

  • SP8M24

  • 4V Drive Nch+Pch MOS FET

  • 64.00KB

  • 4頁

  • ROHM

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SP8M24
Transistors
4V Drive Nch+Pch MOS FET
SP8M24
Structure
Silicon N-channel MOS FET /
Silicon P-channel MOS FET
External dimensions
(Unit : mm)
SOP8
5.0
0.4
(8)
(5)
1.75
1pin mark
1.27
0.2
Each lead has same dimensions
Applications
Switching
Packaging specifications
Package
Type
SP8M24
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
TB
2500
Inner circuit
(8)
(7)
(6)
(5)
鈭?
鈭?
(1) Tr1 Source
(2) Tr1 Gate
(3) Tr2 Source
(4) Tr2 Gate
(5) Tr2 Drain
(6) Tr2 Drain
(7) Tr1 Drain
(8) Tr1 Drain
鈭?
鈭?
(1)
(2)
(3)
(4)
鈭?
ESD protection diode
鈭?
Body diode
Absolute maximum ratings
(Ta=25擄C)
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Source current
(Body diode)
Total power dissipation
Channel temperature
Storage temperature
鈭?
Pw鈮?0碌s, Duty cycle鈮?%
鈭?
Mounted on a ceramic board.
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
鈭?
I
S
I
SP
鈭?
P
D
鈭?
Tch
Tstg
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
Limits
Tr1 : N-ch
Tr2 : P-ch
45
鈭?5
20
鈭?0
鹵4.5
鹵3.5
鹵18
鹵14
1.0
鈭?.0
18
鈭?4
2.0
1.4
150
鈭?5
to
+150
Unit
V
V
A
A
A
A
W / TOTAL
W / ELEMENT
擄C
擄C
0.4Min.
Features
1) Low on-resistance.
2) Built-in G-S protection diode.
3) Small surface mount package (SOP8).
(1)
(4)
3.9
6.0
1/3

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