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RN4612 Datasheet

  • RN4612

  • SWITCHING, INVERTER CIRCUIT, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CI...

  • Toshiba

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RN4612
TOSHIBA Transistor
Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN4612
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
And Driver Circuit Applications
l
Includeing two devices in SM6 (super mini type with 6 leads)
l
With built-in bias resistors
l
Simplify circuit design
l
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Unit in mm
Equivalent Circuit and Bias Resister Values
R1: 22k鈩?/div>
(Q1, Q2 Common)
Q1 Maximum Ratings
(Ta = 25擄C)
擄
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Rating
鈭?0
鈭?0
鈭?
鈭?00
Unit
V
V
V
mA
JEDEC
EIAJ
TOSHIBA
Weight: 0.015g
鈥?/div>
SC-74
2-3N1A
Q2 Maximum Ratings
(Ta = 25擄C)
擄
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Rating
50
50
5
100
Unit
V
V
V
mA
1
2001-06-05

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    Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Ci...
    TOSHIBA
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    Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Ci...
    TOSHIBA [T...
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    TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) ...
    TOSHIBA
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    TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP
    ETC
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    Toshiba
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