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IRFR220 Datasheet

  • IRFR220

  • 4.6A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

  • Intersil   Intersil

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IRFR220, IRFU220
Data Sheet
July 1999
File Number
2410.2
4.6A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power
MOSFETs
These are N-Channel enhancement mode silicon gate
power 鏗乪ld effect transistors. They are advanced power
MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a
speci鏗乪d level of energy in the breakdown avalanche mode
of operation. All of these power MOSFETs are designed for
applications such as switching regulators, switching
convertors, motor drivers, relay drivers, and drivers for high
power bipolar switching transistors requiring high speed and
low gate drive power. These types can be operated directly
from integrated circuits.
Formerly developmental type TA9600.
Features
鈥?4.6A, 200V
鈥?r
DS(ON)
= 0.800鈩?/div>
鈥?Single Pulse Avalanche Energy Rated
鈥?SOA is Power Dissipation Limited
鈥?Nanosecond Switching Speeds
鈥?Linear Transfer Characteristics
鈥?High Input Impedance
鈥?Related Literature
- TB334 鈥淕uidelines for Soldering Surface Mount
Components to PC Boards鈥?/div>
Ordering Information
PART NUMBER
IRFR220
IRFU220
PACKAGE
TO-252AA
TO-251AA
BRAND
IFR220
IFU220
Symbol
D
G
NOTE: When ordering, use the entire part number.
S
Packaging
JEDEC TO-251AA
SOURCE
DRAIN
GATE
JEDEC TO-252AA
GATE
DRAIN
(FLANGE)
DRAIN
DRAIN (FLANGE)
SOURCE
4-389
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper ESD Handling Procedures.
http://www.intersil.com or 407-727-9207
|
Copyright
漏
Intersil Corporation 1999

IRFR220 PDF文件相關(guān)型號(hào)

IRFU220

IRFR220 產(chǎn)品屬性

  • Vishay

  • MOSFET

  • N-Channel

  • 200 V

  • +/- 20 V

  • 4.8 A

  • 0.8 Ohms

  • Single

  • + 150 C

  • SMD/SMT

  • DPAK

  • Tube

  • 13 ns

  • - 55 C

  • 2.5 W

  • 22 ns

  • 3000

  • 19 ns

IRFR220相關(guān)型號(hào)PDF文件下載

  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠(chǎng)商
    下載
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.21ohm, Id=9.4A)
    IRF [Internatio...
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    SAMSUNG
  • 英文版
    AVALANCHE AND dv/dt RATED
    IRF
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    AVALANCHE AND dv/dt RATED
    IRF
  • 英文版
    AVALANCHE AND dv/dt RATED
    IRF [Inter...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A)
    IRF
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    SAMSUNG
  • 英文版
    HEXFET? Power MOSFET
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 6.7A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 15A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    HEXFETR Power MOSFET
    IRF
  • 英文版
    HEXFETR Power MOSFET
    IRF [Inter...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 14A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    HEXFET POWER MOSFET
    IRF
  • 英文版
    HEXFET? Power MOSFET
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 14A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 23A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    HEXFET? Power MOSFET
  • 英文版
    HEXFET? Power MOSFETs

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