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IRFP440 Datasheet

  • IRFP440

  • 8.8A, 500V, 0.850 Ohm, N-Channel Power MOSFET

  • 56.68KB

  • Intersil   Intersil

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IRFP440
Data Sheet
July 1999
File Number
2089.3
8.8A, 500V, 0.850 Ohm, N-Channel Power
MOSFET
This N-Channel enhancement mode silicon gate power 鏗乪ld
effect transistor is an advanced power MOSFET designed,
tested, and guaranteed to withstand a speci鏗乪d level of
energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of
these power MOSFETs are designed for applications such
as switching regulators, switching convertors, motor drivers,
relay drivers, and drivers for high power bipolar switching
transistors requiring high speed and low gate drive power.
These types can be operated directly from integrated
circuits.
Formerly developmental type TA17425.
Features
鈥?8.8A, 500V
鈥?r
DS(ON)
= 0.850鈩?/div>
鈥?Single Pulse Avalanche Energy Rated
鈥?SOA is Power Dissipation Limited
鈥?Nanosecond Switching Speeds
鈥?Linear Transfer Characteristics
鈥?High Input Impedance
鈥?Related Literature
- TB334 鈥淕uidelines for Soldering Surface Mount
Components to PC Boards鈥?/div>
Ordering Information
PART NUMBER
IRFP440
PACKAGE
TO-247
BRAND
IRFP440
Symbol
D
NOTE: When ordering, include the entire part number.
G
S
Packaging
JEDEC STYLE TO-247
SOURCE
DRAIN
GATE
DRAIN
(FLANGE)
4-347
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper ESD Handling Procedures.
http://www.intersil.com or 407-727-9207
|
Copyright
漏
Intersil Corporation 1999

IRFP440 產(chǎn)品屬性

  • IRFP440

  • 500

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • -

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標(biāo)準(zhǔn)型

  • 500V

  • 8.8A

  • 850 毫歐 @ 5.3A，10V

  • 4V @ 250µA

  • 63nC @ 10V

  • 1300pF @ 25V

  • 150W

  • 通孔

  • TO-247-3

  • TO-247-3

  • 管件

  • *IRFP440

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  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=57A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=57A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=70A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=70A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.014ohm, Id=70*A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.014ohm, Id=70*A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.009ohm, Id=70*A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.009ohm, Id=70*A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 31A I(D) |...
    ETC

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