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2SD2018 Datasheet

  • 2SD2018

  • 79.03KB

  • panasonic

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

PDF預(yù)覽

Power Transistors
2SD2018
Silicon NPN epitaxial planar type darlington
For low-frequency amplification
8.0
+0.5
鈥?.1
Unit: mm
3.2
鹵0.2
鈻?/div>
Features
鈥?/div>
High forward current transfer ratio h
FE
鈥?/div>
Built-in 60 V Zener diode between base to collector
蠁
3.16
鹵0.1
3.8
鹵0.3
11.0
鹵0.5
1.9
鹵0.1
鈻?/div>
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25擄C
Parameter
Collector-base voltage (Emitter open)
Collector-emitter voltage (Base open)
Emitter-base voltage (Collector open)
Collector current
Peak collector current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
T
j
T
stg
T
C
=
25擄C
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Rating
60
+25
鈭?0
+25
60
鈭?0
Unit
V
V
V
A
A
W
擄C
擄C
B
1
2
3
0.75
鹵0.1
4.6
鹵0.2
5
1
1.5
1.2
5.0
150
鈭?5
to
+150
0.5
鹵0.1
0.5
鹵0.1
2.3
鹵0.2
1.76
鹵0.1
16.0
鹵1.0
1: Emitter
2: Collector
3: Base
TO-126B-A1 Package
Internal Connection
C
Note) *: With a 100 mm
脳
100 mm
脳
2 mm Al heat sick.
R
1
R
2
E
鈻?/div>
Electrical Characteristics
T
a
=
25擄C
鹵
3擄C
Parameter
Collector-base voltage (Emitter open)
Collector-emitter voltage (Base open)
Collector-base cutoff current (Emitter open)
Emitter-base cutoff current (Collector open)
Forward current transfer ratio
*
Collector-emitter saturation voltage
*
Base-emitter saturation voltage
*
Symbol
V
CBO
V
CEO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE(sat)
V
BE(sat)
Conditions
I
C
= 100
碌A(chǔ),
I
E
= 0
I
C
= 1 mA, I
B
= 0
V
CB
=
25 V, I
E
=
0
V
EB
=
4 V, I
C
=
0
V
CE
=
10 V, I
C
=
1.0 A
I
C
=
1.0 A, I
B
=
1.0 mA
I
C
=
1.0 A, I
B
=
1.0 mA
6 500
Min
50
50
Typ
Max
85
85
1
2
40 000
1.8
2.2
Unit
V
V
碌A(chǔ)
mA
錚?/div>
V
V
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2. *: Pulse measurement
3.05
鹵0.1
Publication date: May 2003
SJD00239BED
1

2SD2018 產(chǎn)品屬性

  • 2SD2018 View all Specifications

  • 1,000

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • 晶體管(BJT) - 單路

  • -

  • NPN - 達林頓

  • 1A

  • 60V

  • 1.8V @ 1mA，1A

  • -

  • 6500 @ 1A，10V

  • 5W

  • -

  • 通孔

  • TO-225AA，TO-126-3

  • TO-126B-A1

  • 散裝

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR(COLOR TV HORIZ...
    WINGS
  • 英文版
    Silicon NPN Power Transistors
    ISC [Incha...
  • 英文版
    NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR(COLOR TV HORIZ...
    WINGS [Win...
  • 英文版
    Silicon NPN Power Transistors
    SAVANTIC [Savan...
  • 英文版
    Silicon NPN Power Transistors
    ISC [Incha...
  • 英文版
    NPN SILICON EPITAXIAL MESA TRANSISTOR
    ETC
  • 英文版
    NPN SILICON EPITAXIAL MESA TRANSISTOR
    ETC [ETC]
  • 英文版
    NPN SILICON EPITAXIAL MESA TRANSISTOR
    ETC
  • 英文版
    NPN SILICON EPITAXIAL MESA TRANSISTOR
    ETC [ETC]
  • 英文版
    NPN Transistor
    ETC [ETC]
  • 英文版
    NPN Transistor
    ETC [ETC]
  • 英文版
    NPN Transistor
    ETC [ETC]
  • 英文版
    Medium Power Amplifiers and Switches
    ETC
  • 英文版
    Medium Power Amplifiers and Switches
    ETC [ETC]
  • 英文版
    Silicon NPN Power Transistors
    ISC [Incha...
  • 英文版
    TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,3A I(C),TO-220 
  • 英文版
    NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFI...
    WINGS
  • 英文版
    Silicon NPN Power Transistors
    ISC [Incha...
  • 英文版
    ETC [NPN Transistor]
    ETC
  • 英文版
    NPN Transistor
    ETC [ETC]

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