為什么ReRAM會(huì)成為物聯(lián)網(wǎng)芯片主流內(nèi)存解決方案？
分類(lèi)：物聯(lián)網(wǎng)技術(shù) 時(shí)間：2017-04-05 閱讀：1249 關(guān)鍵詞：為什么ReRAM會(huì)成為物聯(lián)網(wǎng)芯片主流內(nèi)存解決方案？
DRAM與NAND差別這么大，存儲(chǔ)之爭(zhēng)都爭(zhēng)啥
什么是DRAM? DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以...
時(shí)間：2017-03-18 閱讀：8374 關(guān)鍵詞：DRAM,NAND
對(duì)于很多人來(lái)說(shuō)，次接觸能量采集可能是在早期使用太陽(yáng)能便攜式計(jì)算器的時(shí)候，雖然如今這種類(lèi)型的計(jì)算器已不再是主流，但是它所使用的技術(shù)和理念仍然應(yīng)用于我們的日常生活中...
分類(lèi)：其它 時(shí)間：2016-08-04 閱讀：196 關(guān)鍵詞：基于FRAM技術(shù)的MSP430微控制器能量采集
賽普拉斯低引腳數(shù)HyperRAM™存儲(chǔ)器簡(jiǎn)化嵌入式系統(tǒng)的設(shè)計(jì)
美國(guó)加利福尼亞州圣何塞，2016年7月6日 —嵌入式系統(tǒng)解決方案領(lǐng)域的賽普拉斯半導(dǎo)體公司（納斯達(dá)克股票交易代碼：CY）今日宣布其基于低引腳數(shù)HyperBus™接口的全新高速自刷新動(dòng)態(tài)RAM（DRAM）現(xiàn)開(kāi)始提供樣片。該...
分類(lèi)：嵌入式系統(tǒng)/ARM技術(shù) 時(shí)間：2016-07-08 閱讀：1320 關(guān)鍵詞：賽普拉斯低引腳數(shù)HyperRAM™存儲(chǔ)器簡(jiǎn)化嵌入式系統(tǒng)的設(shè)計(jì)
串行和并行接口SRAM對(duì)比，未來(lái)誰(shuí)是主流？
外置SRAM通常配有一個(gè)并行接口?？紤]到大多數(shù)基于SRAM的應(yīng)用的存儲(chǔ)器要求，選擇并行接口并不令人驚訝。對(duì)于已經(jīng)（和仍在）使用SRAM的高性能（主要是緩存）應(yīng)用而言，與串行...
分類(lèi)：通信與網(wǎng)絡(luò) 時(shí)間：2015-11-10 閱讀：32816 關(guān)鍵詞：串行和并行接口SRAM對(duì)比，未來(lái)誰(shuí)是主流？
介紹SDRAM電路設(shè)計(jì)之前先了解下SDRAM的尋址原理。SDRAM內(nèi)部是一個(gè)存儲(chǔ)陣列，可以把它想象成一個(gè)表格，和表格的檢索原理一樣，先指定行，再指定列，就可以準(zhǔn)確找到所需要的...
分類(lèi)：嵌入式系統(tǒng)/ARM技術(shù) 時(shí)間：2015-03-04 閱讀：2132 關(guān)鍵詞：SDRAM電路設(shè)計(jì)詳解SDRAM電路設(shè)計(jì)
介紹SDRAM電路設(shè)計(jì)之前先了解下SDRAM的尋址原理。SDRAM內(nèi)部是一個(gè)存儲(chǔ)陣列，可以把它想象成一個(gè)表格，和表格的檢索原理一樣，先指定行，再指定列，就可以準(zhǔn)確找到所需要的...
分類(lèi)：嵌入式系統(tǒng)/ARM技術(shù) 時(shí)間：2015-02-03 閱讀：1453 關(guān)鍵詞：SDRAM連接電路設(shè)計(jì)詳解SDRAM鏈接電路
在異步SRAM中實(shí)現(xiàn)速度與功耗的完美平衡
異步SRAM產(chǎn)品分為快速與低功耗兩個(gè)極為不同的產(chǎn)品類(lèi)型，每個(gè)系列都具有其自己的一系列特性、應(yīng)用和價(jià)格。快速異步SRAM具有更快的存取速度，但功耗較高；低功耗SRAM功耗低，但存取速度慢。 從技術(shù)角度看，需要進(jìn)行...
時(shí)間：2015-01-26 閱讀：1371 關(guān)鍵詞：在異步SRAM中實(shí)現(xiàn)速度與功耗的完美平衡SRAM功耗
Marvell推出首款DRAM-less NVMe SSD控制器
邁威爾（Marvell）宣布推出首款DRAM-lessNVMeSSD控制器，搭載先進(jìn)的NANDEdge低密度奇偶校驗(yàn)技術(shù)（LDPC），支援TLC（Triple-LevelCell）與3DNAND,適用于大眾市場(chǎng)的行動(dòng)運(yùn)算解決方案。Marvell提供
分類(lèi)：其它 時(shí)間：2014-12-18 閱讀：2870 關(guān)鍵詞：Marvell推出首款DRAM-less NVMe SSD控制器MarvellDRAM-less NVMe SSD控制器
Spansion與ISSI開(kāi)發(fā)基于HyperBus接口的HyperRAM
全球行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場(chǎng)閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion公司與先進(jìn)存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商IntegratedSiliconSolution公司日前共同宣布，雙方將聯(lián)手開(kāi)發(fā)基于SpansionHyperBus接口的HyperRAM產(chǎn)品，該產(chǎn)品可以極
分類(lèi)：其它 時(shí)間：2014-10-16 閱讀：1537 關(guān)鍵詞：Spansion與ISSI開(kāi)發(fā)基于HyperBus接口的HyperRAMISSI HyperBus接口 HyperRAM 接口
賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，其鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（F-RAM）產(chǎn)品系列中的1Mb并行異步接口F-RAM增加44-pinTSOPII封裝方式，其2Mb串行外設(shè)接口（SPI）F-RAM的溫度范圍擴(kuò)展為-40℃至+105℃。新封裝方式可在替代標(biāo)準(zhǔn)的...
分類(lèi)：其它 時(shí)間：2014-10-08 閱讀：1286 關(guān)鍵詞：賽普拉斯F-RAM添加新的封裝方式和溫度選項(xiàng)賽普拉斯 鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 F-RAM
三星完成20納米Mobile DRAM量產(chǎn) 2015年邁向10奈米級(jí)時(shí)代
三星電子（SamsungElectronics）在稍早正式量產(chǎn)20奈米MobileDRAM,將有望幫助三星提高生產(chǎn)力以及成本競(jìng)爭(zhēng)力。尤其在競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手們?nèi)酝Ａ粼?0奈米中段制程的情況下，隨著三星在20奈米時(shí)代下畫(huà)上句點(diǎn)，分析認(rèn)為，三星將有...
分類(lèi)：其它 時(shí)間：2014-09-24 閱讀：1326 關(guān)鍵詞：三星完成20納米Mobile DRAM量產(chǎn) 2015年邁向10奈米級(jí)時(shí)代三星20納米Mobile DRAM10奈米級(jí)
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）市場(chǎng)賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，其具有錯(cuò)誤校正代碼（ECC）的16Mb低功耗異步SRAM已開(kāi)始出樣。全新MoBL （More Battery Life,更久電池續(xù)航） SRAM的片上ECC功能可使之具有水準(zhǔn)的數(shù)據(jù)可靠...
分類(lèi)：其它 時(shí)間：2014-09-12 閱讀：1513 關(guān)鍵詞：賽普拉斯全新低功耗異步SRAM開(kāi)始出樣賽普拉斯 異步SRAM ECC MoBL
DRAM （動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器）對(duì)設(shè)計(jì)人員特別具有吸引力，因?yàn)樗峁┝藦V泛的性能，用于各種計(jì)算機(jī)和嵌入式系統(tǒng)的存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。本文概括闡述了DRAM 的概念，及介紹了SDRA...
分類(lèi)：基礎(chǔ)電子 時(shí)間：2014-08-27 閱讀：7663 關(guān)鍵詞：解述DRAM、SDRAM及DDR SDRAM的概念存儲(chǔ)器 DRAM SDRAM DDR SDRAM
嵌入式視頻系統(tǒng)中SDRAM的時(shí)序控制研究方案
導(dǎo)讀：在高速數(shù)字視頻系統(tǒng)應(yīng)用中，使用大容量存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)緩存是一個(gè)必不可少的環(huán)節(jié)。SDRAM就是經(jīng)常用到的一種存儲(chǔ)器。但是，在主芯片與SDRAM之間產(chǎn)生的時(shí)序抖動(dòng)問(wèn)題阻礙...
分類(lèi)：嵌入式系統(tǒng)/ARM技術(shù) 時(shí)間：2014-06-28 閱讀：113 關(guān)鍵詞：嵌入式SDRAMMPEG-2
IR推出第二代IRAM系統(tǒng)級(jí)封裝節(jié)能智能功率模塊系列
導(dǎo)讀：功率半導(dǎo)體和管理方案供應(yīng)商國(guó)際整流器公司 （International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR） 推出第二代（Gen2） IRAM系統(tǒng)級(jí)封裝 （System-In-Package,簡(jiǎn)稱(chēng)SIP） 節(jié)能智能功率模塊（Intelligent Power Module）系列?！ ?..
分類(lèi)：其它 時(shí)間：2014-05-27 閱讀：1439 關(guān)鍵詞：IR推出第二代IRAM系統(tǒng)級(jí)封裝節(jié)能智能功率模塊系列IR 智能功率模塊 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 Gen2 IRAM模塊溝道絕緣柵雙極晶體管混合信號(hào)芯片
Microchip推出支持DDR4 SDRAM模塊的4 Kb I2C串行存在檢測(cè)EEPROM器件
導(dǎo)讀：的整合單片機(jī)、混合信號(hào)、模擬器件和閃存解決方案的供應(yīng)商--Microchip Technology Inc.（美國(guó)微芯科技公司）宣布推出新一代4 Kb I2C串行存在檢測(cè)（Serial Presence D...
分類(lèi)：其它 時(shí)間：2014-04-23 閱讀：1573 關(guān)鍵詞：Microchip推出支持DDR4 SDRAM模塊的4 Kb I2C串行存在檢測(cè)EEPROM器件 MicrochipDDR4 SDRAM模塊單片機(jī)模擬器件DDR1
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