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IGBT

高頻功率切換損耗低 高速IGBT增強(qiáng)PV變頻器效能

對(duì)需要輸出過(guò)濾器或升壓/降壓抑制的應(yīng)用來(lái)說(shuō),較高的切換頻率可為整個(gè)系統(tǒng)帶來(lái)好處,像太陽(yáng)能變頻器就是同時(shí)兼具兩者的應(yīng)用。太陽(yáng)能變頻器具有的效率及功率密度,同時(shí)也承...

分類:電源技術(shù) 時(shí)間:2015-02-02 閱讀:1942 關(guān)鍵詞:高頻功率切換損耗低 高速IGBT增強(qiáng)PV變頻器效能高頻功率變頻器

透過(guò)IGBT熱計(jì)算來(lái)優(yōu)化電源設(shè)計(jì)

大多數(shù)半導(dǎo)體組件結(jié)溫的計(jì)算過(guò)程很多人都知道。通常情況下,外殼或接腳溫度已知。量測(cè)裸片的功率耗散,并乘以裸片至封裝的熱阻(用theta或θ表示),以計(jì)算外殼至結(jié)點(diǎn)的溫升...

分類:電源技術(shù) 時(shí)間:2015-01-09 閱讀:1996 關(guān)鍵詞:透過(guò)IGBT熱計(jì)算來(lái)優(yōu)化電源設(shè)計(jì)IGBT電源設(shè)計(jì)

IR發(fā)布混合動(dòng)力汽車和電動(dòng)車用600V IGBT

功率半導(dǎo)體和管理方案供應(yīng)商國(guó)際整流器公司(International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR)近日發(fā)布600V車用IGBT產(chǎn)品AUIRGP66524D0和AUIRGF66524D0,針對(duì)混合動(dòng)力汽車和電動(dòng)車中的小型...

分類:其它 時(shí)間:2014-12-17 閱讀:1444 關(guān)鍵詞:IR發(fā)布混合動(dòng)力汽車和電動(dòng)車用600V IGBTIR IGBT AUIRGP66524D0 AUIRGF66524D0

Littelfuse為電機(jī)控制擴(kuò)充IGBT功率模塊

Littelfuse公司是電路保護(hù)領(lǐng)域的企業(yè),已擴(kuò)充其專為電機(jī)控制和逆變器應(yīng)用設(shè)計(jì)的IGBT模塊功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。 IGBT功率模塊提供廣泛的包裝設(shè)計(jì),現(xiàn)包括半橋、六只裝以及S、D、H...

分類:基礎(chǔ)電子 時(shí)間:2014-11-20 閱讀:2337 關(guān)鍵詞:Littelfuse為電機(jī)控制擴(kuò)充IGBT功率模塊Littelfuse IGBT模塊 電機(jī)控制 逆變器

Littelfuse推出高額定值的IGBT模塊功率半導(dǎo)體產(chǎn)品

Littelfuse公司是全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè),已擴(kuò)充其專為電機(jī)控制和逆變器應(yīng)用設(shè)計(jì)的IGBT模塊功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。IGBT功率模塊提供廣泛的包裝設(shè)計(jì),現(xiàn)包括半橋、六只裝以及S、D、H、W和WB封裝的PIM模塊,額定值高達(dá)1...

分類:其它 時(shí)間:2014-11-19 閱讀:1894 關(guān)鍵詞:Littelfuse推出高額定值的IGBT模塊功率半導(dǎo)體產(chǎn)品LittelfuseIGBT功率半導(dǎo)體

IR發(fā)布全新第八代1200V IGBT平臺(tái)

功率半導(dǎo)體和管理方案供應(yīng)商國(guó)際整流器公司(International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出新一代絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 技術(shù)平臺(tái)。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT平臺(tái)適用...

分類:其它 時(shí)間:2014-11-19 閱讀:1483 關(guān)鍵詞:IR發(fā)布全新第八代1200V IGBT平臺(tái)IR IGBT 絕緣柵雙極晶體管 溝道柵極場(chǎng)截止技術(shù)

IR新增完善的IGBT模塊系列

功率半導(dǎo)體和管理方案供應(yīng)商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出完善的IGBT模塊系列,適合電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器、開(kāi)關(guān)模式電源、不間斷電源、太陽(yáng)能逆變器及...

分類:其它 時(shí)間:2014-11-11 閱讀:1709 關(guān)鍵詞:IR新增完善的IGBT模塊系列IR IGBT 電機(jī)驅(qū)動(dòng)

IR推出多款可靠的650V IRGP47xx器件 擴(kuò)充IGBT系列

功率半導(dǎo)體和管理方案供應(yīng)商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出多款堅(jiān)固可靠的650V IRGP47xx器件,藉以擴(kuò)充絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列。新產(chǎn)品旨...

分類:其它 時(shí)間:2014-10-22 閱讀:998 關(guān)鍵詞:IR推出多款可靠的650V IRGP47xx器件 擴(kuò)充IGBT系列IR IGBT IRGP47xx

如何檢測(cè)IGBT好壞簡(jiǎn)便方法介紹

1、判斷極性首先將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1KΩ擋,用萬(wàn)用表測(cè)量時(shí),若某一極與其它兩極阻值為無(wú)窮大,調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無(wú)窮大,則判斷此極為柵極(G)。其余兩極再用萬(wàn)用表測(cè)量,若測(cè)得阻值為無(wú)窮大,調(diào)換...

分類:基礎(chǔ)電子 時(shí)間:2014-09-03 閱讀:37103 關(guān)鍵詞:如何檢測(cè)IGBT好壞簡(jiǎn)便方法介紹IGBT檢測(cè)

深入淺出解析IGBT的工作原理及作用

本文通過(guò)等效電路分析,通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用,并精簡(jiǎn)的指出了IGBT的特點(diǎn)??梢哉f(shuō),IGBT是一個(gè)非通即斷的開(kāi)關(guān),兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2014-09-02 閱讀:5561 關(guān)鍵詞:深入淺出解析IGBT的工作原理及作用IGBT絕緣柵雙極型晶體管工作原理作用

概述新一代場(chǎng)截止陽(yáng)極短路IGBT

隨著功率電子和半導(dǎo)體技術(shù)的快速進(jìn)步,各類電力電子應(yīng)用都開(kāi)始要求用專門、的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件,以實(shí)現(xiàn)成本和性能的共贏。與傳統(tǒng)的非穿通(NPT) IGBT相比,場(chǎng)截止(FS) IGB...

分類:電源技術(shù) 時(shí)間:2014-08-28 閱讀:1052 關(guān)鍵詞:概述新一代場(chǎng)截止陽(yáng)極短路IGBT場(chǎng)截止IGBT 陽(yáng)極短路IGBT 溝道柵極結(jié)構(gòu)

IR全新IGBT系列為焊接應(yīng)用作出優(yōu)化

功率半導(dǎo)體和管理方案供應(yīng)商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出高性能600V超高速溝道場(chǎng)截止絕緣柵雙極晶體管(IGBT) IR66xx系列。堅(jiān)固可靠的新系列...

分類:其它 時(shí)間:2014-08-20 閱讀:1751 關(guān)鍵詞:IR全新IGBT系列為焊接應(yīng)用作出優(yōu)化IR 場(chǎng)截止絕緣柵雙極晶體管 IGBT IR66xx

基于IGBT模塊驅(qū)動(dòng)及保護(hù)技術(shù)

導(dǎo)讀: IGBT是MOSFET與雙極晶體管的復(fù)合器件。它既有MOSFET易驅(qū)動(dòng)的特點(diǎn),又具有功率晶體管電壓、電流容量大等優(yōu)點(diǎn)。其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于...

分類:其它 時(shí)間:2014-07-03 閱讀:357 關(guān)鍵詞:基于IGBT模塊驅(qū)動(dòng)及保護(hù)技術(shù)IGBT集成電路MOSFET晶體管

ST HB系列IGBT有效提升能效、安全性和可靠性

導(dǎo)讀:意法半導(dǎo)體的新HB系列絕緣柵雙極晶體管擁有比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的高頻產(chǎn)品低達(dá)40%的關(guān)機(jī)能耗,同時(shí)可降低達(dá)30%的導(dǎo)通損耗。HB系列利用意法半導(dǎo)體的溝柵式場(chǎng)截止型高速晶體管制造工藝,集電極關(guān)斷尾電流極低,飽和電壓為...

分類:工業(yè)電子 時(shí)間:2014-04-10 閱讀:1932 關(guān)鍵詞:ST HB系列IGBT有效提升能效、安全性和可靠性ST IGBT 二極管

Vishay發(fā)布新款I(lǐng)GBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器

導(dǎo)讀:近日,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能逆變器、新能源和焊接設(shè)備,以及其他高工作電壓應(yīng)用的新款I(lǐng)GBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器VOW3120-X017T,擴(kuò)充其光電子產(chǎn)品組合。VOW3120-X01

分類:其它 時(shí)間:2014-04-02 閱讀:1244 關(guān)鍵詞:Vishay發(fā)布新款I(lǐng)GBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器Vishay IGBT MOSFET驅(qū)動(dòng)器 VOW3120-X017T

基于IGBT器件的大功率DC/DC電源技術(shù)方案

導(dǎo)讀:本文介紹的是主要要求不可避免地需采用電源并聯(lián)技術(shù),即功率管并聯(lián)或電源裝置的并聯(lián)。對(duì)于20kA直流電源,若采用功率管IGBT并聯(lián),每個(gè)橋臂則至少需15只功率管并聯(lián),這...

分類:電源技術(shù) 時(shí)間:2014-03-31 閱讀:1341 關(guān)鍵詞:基于IGBT器件的大功率DC/DC電源技術(shù)方案IGBT DC/DC 電源技術(shù) 變壓器

汽車點(diǎn)火系統(tǒng)中對(duì)智能IGBT技術(shù)的需求探討

摘要:若從安裝在汽車分電器中的機(jī)械觸點(diǎn)技術(shù)算起,點(diǎn)火系統(tǒng)經(jīng)已走過(guò)一段很長(zhǎng)的發(fā)展歷程。的點(diǎn)火IGBT、混合信號(hào)IC及封裝技術(shù),使“線圈上開(kāi)關(guān)”技術(shù)所允許的種種系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)得以實(shí)現(xiàn)。因此,本文分析了汽車點(diǎn)火系統(tǒng),探...

分類:汽車電子/智能駕駛 時(shí)間:2014-03-20 閱讀:1600 關(guān)鍵詞:汽車點(diǎn)火系統(tǒng)中對(duì)智能IGBT技術(shù)的需求探討智能IGBT汽車點(diǎn)火系統(tǒng)線圈上開(kāi)關(guān)

IR新增高可靠性的IGBT IRG7PK35UD1PbF

導(dǎo)讀:日前,國(guó)際整流器公司(簡(jiǎn)稱“IR”)新增一款堅(jiān)固可靠的超高速1400V溝道絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) IRG7PK35UD1PbF.該器件通過(guò)對(duì)電磁爐和微波爐等軟開(kāi)關(guān)組件的優(yōu)化來(lái)...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2014-03-11 閱讀:2670 關(guān)鍵詞:IR新增高可靠性的IGBT IRG7PK35UD1PbFIR整流器絕緣柵雙極晶體管IGBT

淺析大功率IGBT芯片的技術(shù)現(xiàn)狀與特點(diǎn)

導(dǎo)讀:本文分別從IGBT芯片體結(jié)構(gòu)、背面集電極區(qū)結(jié)構(gòu)和正面MOS結(jié)構(gòu)出發(fā),系統(tǒng)分析了大功率IGBT芯片的技術(shù)現(xiàn)狀與特點(diǎn),從芯片焊接與電極互連兩方面全面介紹了IGBT模塊封裝技術(shù),并從新結(jié)構(gòu)、新工藝及新材料技術(shù)三方面...

分類:基礎(chǔ)電子 時(shí)間:2014-03-05 閱讀:3489 關(guān)鍵詞:淺析大功率IGBT芯片的技術(shù)現(xiàn)狀與特點(diǎn)大功率IGBTIGBT技術(shù)絕緣柵雙極晶體管晶體管

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