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IGBT

飛兆推出業(yè)界電流檢測(cè)點(diǎn)火IGBT 降低功耗達(dá)30

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出業(yè)界首顆電流檢測(cè)用點(diǎn)火IGBT器件FGB3040CS,可以在應(yīng)用中省去用于檢測(cè)大電流的檢測(cè)電阻,從而將功耗降低30% 并減少由此帶來(lái)的熱量。 FGB3040CS具有電流檢測(cè)功...

分類:電源技術(shù) 時(shí)間:2007-11-19 閱讀:1642 關(guān)鍵詞:飛兆推出業(yè)界首個(gè)電流檢測(cè)點(diǎn)火IGBT 降低功耗達(dá)30ISL9V2540S3SFGB3040CS

Microsemi發(fā)布新款標(biāo)準(zhǔn)IGBT三相橋式電源模塊

MicrosemiCorporation日前新推出一系列采用SP3緊湊封裝的標(biāo)準(zhǔn)IGBT三相橋式電源模塊。該系列電源模塊設(shè)計(jì)用于電機(jī)控制,采用快速NPTIGBT的3相IGBT橋用于20~50KHz高頻應(yīng)用,采用場(chǎng)溝漕截止IGBT用于5~20KHz的

分類:其它 時(shí)間:2007-11-15 閱讀:1644 關(guān)鍵詞:Microsemi發(fā)布新款標(biāo)準(zhǔn)IGBT三相橋式電源模塊

中頻電阻焊機(jī)電源的IGBT保戶方法

電阻焊是一種重要的焊接工藝,具有生產(chǎn)效率高、成本低、節(jié)省材料和易于自動(dòng)化等特點(diǎn),中頻直流逆變電阻焊接電源作為一種新型的控制電源,以其顯著的高質(zhì)低耗的特點(diǎn)成為電阻焊電源的發(fā)展方向?! GBT是一種用MOS管...

分類:電源技術(shù) 時(shí)間:2007-11-13 閱讀:3097 關(guān)鍵詞:中頻電阻焊機(jī)電源的IGBT保戶方法LM393ANM57962ALTMS320LF2407AEPM7128S

瑞薩科技推出用于移動(dòng)電話相機(jī)電子閃光控制的200A IGBT

瑞薩科技公司(RenesasTechnologyCorp.)日前宣布,推出用于嵌入移動(dòng)電話和數(shù)碼相機(jī)(DSC)的相機(jī)電子閃燈(Strobe*2)控制的RJP4004ANSIGBT*1。RJP4004ANS采用業(yè)界最小的VSON-8(超薄小外形無(wú)鉛8

分類:通信與網(wǎng)絡(luò) 時(shí)間:2007-10-09 閱讀:1705 關(guān)鍵詞:瑞薩科技推出用于移動(dòng)電話相機(jī)電子閃光控制的200A IGBT

飛兆推電流檢測(cè)用點(diǎn)火IGBT器件FGB3040CS

飛兆半導(dǎo)體公司(FairchildSemiconductor)日前推出一顆電流檢測(cè)用點(diǎn)火IGBT器件FGB3040CS,可以在應(yīng)用中省去用于檢測(cè)大電流的檢測(cè)電阻,從而將功耗降低30%并減少由此帶來(lái)的熱量。FGB3040CS具有電流檢測(cè)功能,能以小型...

分類:電源技術(shù) 時(shí)間:2007-10-09 閱讀:1690 關(guān)鍵詞:飛兆推電流檢測(cè)用點(diǎn)火IGBT器件FGB3040CSISL9V2540S3SFGB3040CS

Microsemi發(fā)布標(biāo)準(zhǔn)IGBT三相橋式電源模塊

MicrosemiCorporation日前新推出一系列采用SP3緊湊封裝的標(biāo)準(zhǔn)IGBT三相橋式電源模塊。該系列電源模塊設(shè)計(jì)用于電機(jī)控制,采用快速NPTIGBT的3相IGBT橋用于20~50KHz高頻應(yīng)用,采用場(chǎng)溝漕截止IGBT用于5~20KHz的

分類:電源技術(shù) 時(shí)間:2007-09-29 閱讀:1459 關(guān)鍵詞:Microsemi發(fā)布標(biāo)準(zhǔn)IGBT三相橋式電源模塊

檢測(cè)絕緣柵極雙極型晶體管(IGBT)好壞的簡(jiǎn)易方法

1、判斷極性首先將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1KΩ擋,用萬(wàn)用表測(cè)量時(shí),若某一極與其它兩極阻值為無(wú)窮大,調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無(wú)窮大,則判斷此極為柵極(G)。其余兩極再用萬(wàn)用表測(cè)量,若測(cè)得阻值為無(wú)窮大,調(diào)換...

分類:電子測(cè)量 時(shí)間:2007-09-26 閱讀:4016 關(guān)鍵詞:檢測(cè)絕緣柵極雙極型晶體管(IGBT)好壞的簡(jiǎn)易方法IGBT220V

三相逆變器中IGBT的幾種驅(qū)動(dòng)電路的分析

1 前 言  電 力 電 子 變 換 技 術(shù) 的 發(fā) 展 , 使 得 各 種 各 樣 的 電 力 電 子 器 件 得 到 了 迅 速 的 發(fā) 展 。 20世 紀(jì) 80年 代 , 為 了 給 高 電 壓 應(yīng) 用 環(huán) 境 提 供 一 種 高 輸 入 阻 抗 的 器 件 ,...

分類:其它 時(shí)間:2007-09-25 閱讀:7551 關(guān)鍵詞:三相逆變器中IGBT的幾種驅(qū)動(dòng)電路的分析TLP250PC923PC929EXB841M57962LEXB840TOSHIBAEXB850ELECTRICMOSFETIGBTMITSUBISHIEXB851BOOSTER

高壓IGBT變頻器及應(yīng)用

摘要:介紹了西門(mén)子采用三電平高壓IGBT開(kāi)發(fā)的中壓變頻器SIMOVERTMV、有源前端技術(shù)及應(yīng)用。   關(guān)鍵詞:高壓IGBT   三電平 有源前端 1 前言   電力電子技術(shù)、微電子技術(shù)與控制理論的結(jié)合,有力地促進(jìn)了交流...

分類:通信與網(wǎng)絡(luò) 時(shí)間:2007-09-25 閱讀:2282 關(guān)鍵詞:高壓IGBT變頻器及應(yīng)用600A40003000IGBT1988

IR專攻高頻開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用的大功率150kHz IGBT

際整流器公司(InternationalRectifier,簡(jiǎn)稱IR)推出全新WARP2600V非穿透型(NPT)IGBT,額定電流分50A、35A和20A三種。新器件的關(guān)斷性能經(jīng)特別改良,適用於電信和服務(wù)器系統(tǒng)中的大電流、高頻開(kāi)關(guān)電源電路。全新W

分類:其它 時(shí)間:2007-09-25 閱讀:2344 關(guān)鍵詞:IR專攻高頻開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用的大功率150kHz IGBTTO-220MOSFETIGBTRECTIFIERINTERNATIONALTO-247

用于電子點(diǎn)火的單片智能 IGBT解決方案

市場(chǎng)對(duì)內(nèi)置保護(hù)功能的更復(fù)雜器件的需求,促使半導(dǎo)體公司去開(kāi)發(fā)智能技術(shù):采用與分立器件相同的工藝,增加基本元器件?! ∫夥ò雽?dǎo)體(ST)開(kāi)發(fā)出一項(xiàng)智能絕緣柵雙極晶體管技術(shù):這項(xiàng)技術(shù)包括一個(gè)內(nèi)置NMOS驅(qū)動(dòng)器(以...

分類:其它 時(shí)間:2007-09-25 閱讀:6779 關(guān)鍵詞:用于電子點(diǎn)火的單片智能 IGBT解決方案7631TO-220

IGBT研發(fā)新進(jìn)展

IGBT研發(fā)新進(jìn)展IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為新型電力半導(dǎo)體場(chǎng)控自關(guān)斷器件,集功率MOSFET的高速性能與雙極性器件的低電阻于一體,具有輸入阻抗高,電壓控制功耗低,控制電路簡(jiǎn)單,耐高壓,承受電流大等特性,在各種...

分類:其它 時(shí)間:2007-09-24 閱讀:1654 關(guān)鍵詞:IGBT研發(fā)新進(jìn)展1200100AMOSFETIGBT

中頻電阻焊機(jī)電源的IGBT保護(hù)方法

摘要:本文通過(guò)一個(gè)實(shí)際的中頻電阻焊機(jī)電源,分析了IGBT在應(yīng)用中可能造成其損壞的原因,并利用硬件電路對(duì)電源中的IGBT采取了相應(yīng)措施進(jìn)行保護(hù),以確保其安全可靠地工作。關(guān)鍵詞:電阻焊;電源;IGBT;保護(hù)引言電阻焊...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2007-09-20 閱讀:3308 關(guān)鍵詞:中頻電阻焊機(jī)電源的IGBT保護(hù)方法EPM7128S

智能IGBT在汽車(chē)點(diǎn)火系統(tǒng)中的應(yīng)用

要產(chǎn)生火花,你所需的器件包括電源、電池、變壓器(即點(diǎn)火線圈),以及用于控制變壓器初級(jí)電流的開(kāi)關(guān)。電子學(xué)教科書(shū)告訴我們V=Ldi/dt。因此,如果線圈初級(jí)繞組中的電流發(fā)生瞬間變化(即di/dt值很大),初級(jí)繞組上將產(chǎn)生...

分類:汽車(chē)電子/智能駕駛 時(shí)間:2007-08-02 閱讀:3679 關(guān)鍵詞:智能IGBT在汽車(chē)點(diǎn)火系統(tǒng)中的應(yīng)用TO-220TO-263

帶反并聯(lián)二極管IGBT中的二極管設(shè)計(jì)

引言 反并聯(lián)二極管的正確設(shè)計(jì)需要考慮各種因素。其中一些與自身技術(shù)相關(guān),其它的與應(yīng)用相關(guān)。但是,正向壓降Vf 、反向恢復(fù)電荷Qrr 以及Rth與Zth散熱能力最終將構(gòu)成一種三角關(guān)系。 由于在當(dāng)前的二極管...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2007-06-02 閱讀:2899 關(guān)鍵詞:帶反并聯(lián)二極管IGBT中的二極管設(shè)計(jì)IGP10N60T

用于先進(jìn)分布式點(diǎn)火系統(tǒng)的智能IGBTS

近幾十年引擎和變速控制領(lǐng)域發(fā)展非常迅速,這種發(fā)展是由很多因素驅(qū)動(dòng)的。在高性能引擎中,不僅平穩(wěn)停機(jī)、低噪聲、低震動(dòng)很重要,而且降低燃料消耗和減少排放的要求也要滿足。80年代汽車(chē)領(lǐng)域中機(jī)械系統(tǒng)被電子系統(tǒng)所取...

分類:其它 時(shí)間:2007-05-30 閱讀:2885 關(guān)鍵詞:用于先進(jìn)分布式點(diǎn)火系統(tǒng)的智能IGBTSTO-220TO220TO263TO-263

Renesas手機(jī)相機(jī)用閃光控制IGBT

瑞薩科技公司(RenesasTechnologyCorp.)今天宣布,推出用于手機(jī)相機(jī)的CY25CAH-8F(2.5V驅(qū)動(dòng))和CY25CAJ-8F(4.0V驅(qū)動(dòng))的閃光控制IGBT*1。其尺寸為3.0毫米×4.8毫米,厚度(最大)0.95

分類:光電顯示/LED照明 時(shí)間:2007-04-29 閱讀:1892 關(guān)鍵詞:Renesas手機(jī)相機(jī)用閃光控制IGBT2005150ACY25BAJ-8F100ATSSOP-8CY25BAH-8F

大功率電壓型逆變器新型組合式IGBT過(guò)流保護(hù)方案

摘要:介紹了IGBT失效原因和保護(hù)方法,提出了一種電壓型逆變器逆變橋關(guān)斷同時(shí)將整流橋拉到逆變工作狀態(tài)的保護(hù)方案。10kW樣機(jī)的測(cè)試驗(yàn)證了設(shè)計(jì)方案的有效性?! £P(guān)鍵詞:電壓型逆變器;絕緣柵雙極晶體管;過(guò)流保護(hù) ...

分類:電源技術(shù) 時(shí)間:2007-04-29 閱讀:208 關(guān)鍵詞:大功率電壓型逆變器新型組合式IGBT過(guò)流保護(hù)方案IR2110LM319EXB841

IR2110驅(qū)動(dòng)IGBT模塊中的柵極抗干擾技術(shù)

摘要:介紹了IR2110驅(qū)動(dòng)芯片的特點(diǎn),對(duì)IGBT驅(qū)動(dòng)電路的抗干擾技術(shù)作了具體分析,提出了幾種有效的抗干擾方法,如柵極電平箝位、關(guān)斷時(shí)負(fù)壓等,并在實(shí)際應(yīng)用中驗(yàn)證了它們的有效性?! £P(guān)鍵詞:IR2110;柵極驅(qū)動(dòng);抗干...

分類:其它 時(shí)間:2007-04-29 閱讀:432 關(guān)鍵詞:IR2110驅(qū)動(dòng)IGBT模塊中的柵極抗干擾技術(shù)IR2110EXB84120002110M579571995

HL402B可彌補(bǔ)EXB841及M57962AL缺陷的IGBT驅(qū)動(dòng)器

摘 要:本文分析對(duì)照了IGBT驅(qū)動(dòng)器HL402B與EXB841與M57962AL的參數(shù)、性能,得出結(jié)論HL402B是性能的IGBT驅(qū)動(dòng)器。1 引 言絕緣柵控雙極型晶體管IGBT(Insolate Gate Bipolar Translator)因具有輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)電流小、輸...

分類:其它 時(shí)間:2007-04-29 閱讀:5061 關(guān)鍵詞:HL402B可彌補(bǔ)EXB841及M57962AL缺陷的IGBT驅(qū)動(dòng)器IR2110IR2121IR2130EXB841EXB840M57962AL2001M57959EXB85019921994EXB851M57957SKHI21SKHI22HR065HL4011995

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