PMOS管工作原理及詳解PMOS管(P-channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管)是一種基于空穴導(dǎo)電的場效應(yīng)晶體管,與NMOS管互補(bǔ),共同構(gòu)成CMOS技術(shù)的基礎(chǔ)。以下是其...
PMOS(P-channel Metal-Oxide-Semiconductor)管是一種常見的場效應(yīng)晶體管(FET),其工作原理如下: PMOS管由一個p型的溝道和兩個n型的源極和漏極組成。在溝道和源極之間存在一個絕緣層,稱為氧化層或門絕緣層。...
分類:元器件應(yīng)用 時間:2024-05-20 閱讀:700 關(guān)鍵詞:pmos管