MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）的導通條件取決于其類型（N溝道或P溝道）和工作模式（增強型或耗盡型）。以下是詳細分析：1. 基本導通條件(1) N溝道MOSFET（NMOS）增強型（常閉型）：柵源電壓 VGSVGS > ...
我們知道開關(guān)電源中MOSFET、 IGBT是最也是最容易燒壞的器件。開關(guān)器件長期工作于高電壓大電流狀態(tài)，承受著很大的功耗，一但過壓或過流就會導致功耗大增，晶圓結(jié)溫急劇上升...
分類：元器件應用 時間：2019-02-27 閱讀：1701 關(guān)鍵詞：MOSFET管的安全工作區(qū)MOSFET管
開關(guān)電源之MOSFET管的關(guān)斷緩沖電路的設計詳解
在帶變壓器的開關(guān)電源拓撲中，開關(guān)管關(guān)斷時，電壓和電流的重疊引起的損耗是開關(guān)電源損耗的主要部分，同時，由于電路中存在雜散電感和雜散電容，在功率開關(guān)管關(guān)斷時，電路中...
分類：電源技術(shù) 時間：2017-12-07 閱讀：5478 關(guān)鍵詞：開關(guān)電源,電路
關(guān)于MOSFET管驅(qū)動電路總結(jié)
在使用MOS管設計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，電壓等，電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是的...
時間：2016-10-14 閱讀：17179 關(guān)鍵詞：關(guān)于MOSFET管驅(qū)動電路總結(jié)
H橋功率驅(qū)動電路可應用于步進電機、交流電機及直流電機等的驅(qū)動。永磁步進電機或混合式步進電機的勵磁繞組都必須用雙極性電源供電，也就是說繞組有時需正向電流，有時需反向電流，這樣繞組電源需用H橋驅(qū)動。本文以兩...
分類：元器件應用 時間：2016-06-06 閱讀：3154 關(guān)鍵詞：步進電機的MOSFET管驅(qū)動設計
采用P通道MOSFET功率管作為電源分配開關(guān)，雙電源監(jiān)測電路控制系統(tǒng)的上電和掉電順序。這種方法同上面采用電源分配開關(guān)和雙電源監(jiān)測電路相似，只是采用MOSFET作為電源分配開...
分類：單片機與DSP 時間：2009-01-09 閱讀：7563 關(guān)鍵詞：P通道MOSFET管和和雙電源監(jiān)測電路P通道MOSFET管和雙電源
如果選用沒有穩(wěn)定狀態(tài)輸出（PG）功能的DC/DC，則可以外部增加1個電源監(jiān)測（SVS）器件實現(xiàn)PG的功能，同時使 用P通道MOSFET管作為電源分配開關(guān)實現(xiàn)上電次序的控制，如圖1所示...
分類：單片機與DSP 時間：2009-01-09 閱讀：6988 關(guān)鍵詞：采用P通道MOSFET管和電源監(jiān)測電路P通道MOSFET管電源監(jiān)測
采用P通道MOSFET管和具有穩(wěn)定標識的DC/DC
這種方法相對其他方法具有原理簡單、增加輔助器件少的特點，通過采用P通道MOSFET管和具有穩(wěn)定標識輸出的 DC/DC電源模塊來實現(xiàn)。P通道MOSFET管作為電源分配開關(guān)，DC/DC的電...
分類：單片機與DSP 時間：2009-01-09 閱讀：3488 關(guān)鍵詞：采用P通道MOSFET管和具有穩(wěn)定標識的DC/DCP通道MOSFET管DC/DC
MOSFET管并聯(lián)工作時,需要考慮兩個問題:1)滿載時,并聯(lián)器件完全導通時的靜態(tài)電流分配是否均衡.2)通斷轉(zhuǎn)換過程中它們的動態(tài)電流是否分配均衡.在并聯(lián)工作的情況下,無論是靜態(tài)還是動態(tài)情況,如果一個MOSFET管分擔了相對較...
分類：元器件應用 時間：2008-08-20 閱讀：3553 關(guān)鍵詞：MOSFET管并聯(lián)應用MOSFET管
PAM新推內(nèi)置MOSFET管并輸出30瓦的高功率LED驅(qū)動器PAM2842
PAM(PowerAnalogMicroelectronics)公司,一家研發(fā)創(chuàng)新D類數(shù)字音頻功放和高功率LED顯示驅(qū)動器芯片公司,今天發(fā)布她的第一個具有內(nèi)置MOSFET高壓30瓦的LED驅(qū)動器,這個驅(qū)動器是采用臺積電（TSMC）的雙極型-CMOS
分類：其它 時間：2008-08-16 閱讀：2597 關(guān)鍵詞：PAM新推內(nèi)置MOSFET管并輸出30瓦的高功率LED驅(qū)動器PAM2842PAM2842LED驅(qū)動器PAM2842
PAM公司研發(fā)出內(nèi)置MOSFET管的高功率LED驅(qū)動器
PAM(PowerAnalogMicroelectronics)公司是一家研發(fā)創(chuàng)新D類數(shù)字音頻功放和高功率LED顯示驅(qū)動器芯片公司，日前發(fā)布了該公司第一個具有內(nèi)置MOSFET高壓30瓦的LED驅(qū)動器，這個驅(qū)動器是采用臺積電（TSMC）的雙極型-CM
分類：其它 時間：2008-08-13 閱讀：1797 關(guān)鍵詞：PAM公司研發(fā)出內(nèi)置MOSFET管的高功率LED驅(qū)動器LED驅(qū)動器MOSFET管
