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NMOS

NMOS 與 PMOS 晶體管的原理、差異及應(yīng)用

在電子世界的晶體管家族中,NMOS(N 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)與 PMOS(P 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)宛如一對默契配合的 “電子開關(guān)”,精準(zhǔn)掌...

分類:基礎(chǔ)電子 時間:2025-07-15 閱讀:240 關(guān)鍵詞:NMOS PMOS

深入剖析 LDO 中 NMOS 與 PMOS 的差異特性

在低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)的設(shè)計中,MOS 管扮演著至關(guān)重要的角色,它作為調(diào)整元件,通過改變自身的導(dǎo)通電阻來維持輸出電壓的穩(wěn)定。其工作原理是:當(dāng)輸出電壓發(fā)生變化時,...

分類:元器件應(yīng)用 時間:2025-06-04 閱讀:279 關(guān)鍵詞: LDO

全面剖析 LDO 原理,對比 PMOS LDO 和 NMOS LDO 特性差異

在電子電路設(shè)計中,電壓穩(wěn)定是保障設(shè)備正常運行的關(guān)鍵因素之一。LDO(低壓差線性穩(wěn)壓器)作為一種重要的電源管理元件,在眾多領(lǐng)域發(fā)揮著不可或缺的作用。本文將深入探討 LD...

分類:元器件應(yīng)用 時間:2025-05-13 閱讀:753 關(guān)鍵詞:PMOS LDO NMOS LDO

什么是MOS管?NMOS、PMOS和三極管的區(qū)別

MOS管是一種場效應(yīng)晶體管(Field-Effect Transistor,F(xiàn)ET),其名稱源自金屬氧化物半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)。MOS管包括兩種類型:NMOS(N-Channel MOS)和PMOS(P-Channel MOS)?! MOS(N-Channel M...

分類:元器件應(yīng)用 時間:2024-04-30 閱讀:1781 關(guān)鍵詞:NMOS

PMOS適合作為高端驅(qū)動,NMOS適合作為低端驅(qū)動

低端驅(qū)動:MOS管相對于負(fù)載在電勢的低端,其中D通過負(fù)載接電源,S直接接地。對于NMOS,只有當(dāng)Vgs大于開啟電壓時,MOS管才能導(dǎo)通。所以當(dāng)未導(dǎo)通時,S處于一個不能確定的電位...

分類:元器件應(yīng)用 時間:2022-07-13 閱讀:2309 關(guān)鍵詞:電子

推出最小60V NMOS--DMN6070SFCL

導(dǎo)讀:Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出導(dǎo)通電阻小于100mΩ的最小60V NMOS--DMN6070SFCL.  新器件的占位面積為1.6mm x 1.6mm,高度則是一般的0.5mm,并采用了DFN16...

分類:其它 時間:2014-06-27 閱讀:1223 關(guān)鍵詞:全球推出最小60V NMOS--DMN6070SFCLDiodes 功率MOSFET DMN6070SFCL

基于PD SOI工藝的高壓NMOS器件工藝研究

摘 要:由于PD SOI工藝平臺的特殊性,P阱濃度呈現(xiàn)表面低、靠近埋氧高的梯度摻雜。常規(guī)體硅的高壓N管結(jié)構(gòu)是整個有源區(qū)在P阱里的,需要用高能量和大劑量的P注入工藝將漂移區(qū)...

分類:其它 時間:2013-08-07 閱讀:6533 關(guān)鍵詞:基于PD SOI工藝的高壓NMOS器件工藝研究PD SOI工藝高壓NMOS器件工藝

立迪思新推兩款LDO控制器,用于驅(qū)動NMOS或NPN旁路晶體管

立迪思科技有限公司(LeadisTechnology,Inc.)日前宣布已可供應(yīng)LDS124P及LDS128P新產(chǎn)品的測試樣品。該兩款LDO控制器專為驅(qū)動NMOS或NPN旁路晶體管而設(shè)計。立迪思主要開發(fā)適用于消費類電子設(shè)備產(chǎn)品,包括彩色顯示屏驅(qū)動...

分類:工業(yè)電子 時間:2008-05-29 閱讀:3074 關(guān)鍵詞:立迪思新推兩款LDO控制器,用于驅(qū)動NMOS或NPN旁路晶體管TO-92SOT-23SOT-23-5控制器晶體管

遠(yuǎn)翔推出單組內(nèi)建P+NMOS的DC/DC同步轉(zhuǎn)換IC

遠(yuǎn)翔科技(FeelingTechnology)推出單組內(nèi)建P+NMOS的DC-DC同步轉(zhuǎn)換IC——FP6160,F(xiàn)P6160采用低腳數(shù)TSOT-25封裝,IC本身屬于低壓+2.5V到+5.5V的操作電壓范圍,內(nèi)部PWM工作頻率達(dá)1.5MHz,同時內(nèi)

分類:其它 時間:2007-12-11 閱讀:1867 關(guān)鍵詞:遠(yuǎn)翔推出單組內(nèi)建P+NMOS的DC/DC同步轉(zhuǎn)換ICMSOP-8

TI推出無電容NMOS低壓降線性穩(wěn)壓器TPS731125

TPS731xx系列低壓降(LDO)線性穩(wěn)壓器采用新型拓?fù)洌弘妷狠敵銎髋渲弥邪琋MOS導(dǎo)通元件。該拓?fù)湓谑褂猛獠侩娙萜鞯那闆r下非常穩(wěn)定,且具有低ESR特性,甚至可以在無電容器的情況下工作。該器件還具有較高的反向阻斷電流...

分類:電源技術(shù) 時間:2007-12-03 閱讀:1848 關(guān)鍵詞:TI推出無電容NMOS低壓降線性穩(wěn)壓器TPS731125

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