MMBZ33VALT1G的技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品型號(hào):MMBZ33VALT1G齊納擊穿電壓Vz最小值(V):31.350齊納擊穿電壓Vz典型值(V):33齊納擊穿電壓Vz最大值(V):34.650@Izt(mA):1描述:表面安裝雙齊納二極管,共陽封裝/溫度(℃):3SOT-23/-55~1

分類：其它 時(shí)間：2007-04-18 閱讀：1477 關(guān)鍵詞：MMBZ33VALT1G

MMBZ33VALT1的技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品型號(hào):MMBZ33VALT1齊納擊穿電壓Vz最小值(V):31.350齊納擊穿電壓Vz典型值(V):33齊納擊穿電壓Vz最大值(V):34.650@Izt(mA):1描述:表面安裝雙齊納二極管,共陽封裝/溫度(℃):3SOT-23/-55~15

分類：其它 時(shí)間：2007-04-18 閱讀：1407 關(guān)鍵詞：MMBZ33VALT1

MM5Z33VT1的技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品型號(hào):MM5Z33VT1齊納擊穿電壓Vz最小值(V):31齊納擊穿電壓Vz典型值(V):33齊納擊穿電壓Vz最大值(V):35@Izt(mA):2齊納阻抗Zzt(Ω):300最大功率PMax(W):0.100芯片標(biāo)識(shí):18封裝/溫度(℃):SO

分類：其它 時(shí)間：2007-04-18 閱讀：1498 關(guān)鍵詞：MM5Z33VT1

MM3Z33VT1G的技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品型號(hào):MM3Z33VT1G齊納擊穿電壓Vz最小值(V):31齊納擊穿電壓Vz典型值(V):33齊納擊穿電壓Vz最大值(V):35@Izt(mA):2齊納阻抗Zzt(Ω):80最大功率PMax(W):0.200芯片標(biāo)識(shí):18封裝/溫度(℃):SO

分類：其它 時(shí)間：2007-04-18 閱讀：1459 關(guān)鍵詞：MM3Z33VT1G