推動(dòng)更高效的能源利用、更嚴(yán)格的監(jiān)管要求以及冷卻器操作的技術(shù)優(yōu)勢(shì)都支持了近減少電動(dòng)機(jī)功耗的舉措。雖然硅 MOSFET 等開關(guān)技術(shù)已得到廣泛應(yīng)用，但它們通常無(wú)法滿足關(guān)鍵逆變器應(yīng)用更苛刻的性能和效率目標(biāo)。
　　相反，設(shè)計(jì)人員可以使用氮化鎵 (GaN) 來(lái)實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)，氮化鎵是一種寬帶隙 (WBG) FET 器件技術(shù)，在成本、性能、可靠性和易用性方面都得到了改進(jìn)和進(jìn)步。GaN器件是主流，已成為中檔功率逆變器的。
　　什么是逆變器？
　　逆變器可產(chǎn)生并調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)電機(jī)（通常是無(wú)刷直流(BLDC) 類型）的電壓波形。它控制電機(jī)速度和扭矩，以實(shí)現(xiàn)平穩(wěn)啟動(dòng)和停止、反轉(zhuǎn)和加速率等要求。逆變器必須確保實(shí)現(xiàn)并保持所需的電機(jī)性能，而不管負(fù)載如何變化。
　　具有變頻輸出的電機(jī)逆變器不應(yīng)與交流線路逆變器混淆。后者從汽車電池等電源獲取直流電，以提供固定頻率的 120/240 V 交流波形，該波形近似正弦波，可為線路操作設(shè)備供電。
　　GaN 器件相對(duì)于硅具有吸引人的特性，包括更高的開關(guān)速度、更低的漏源導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 和更好的熱性能。較低的 RDS(ON) 使它們能夠用于更小更輕的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，并減少功率損耗，從而節(jié)省電動(dòng)自行車和無(wú)人機(jī)等應(yīng)用的能源和成本。較低的開關(guān)損耗可實(shí)現(xiàn)更高效的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，延長(zhǎng)輕型電動(dòng)汽車的續(xù)航里程。更快的開關(guān)速度可實(shí)現(xiàn)低延遲電機(jī)響應(yīng)，這對(duì)于需要電機(jī)控制的應(yīng)用（例如機(jī)器人）至關(guān)重要。GaN FET 還可用于開發(fā)更強(qiáng)大、更高效的叉車電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。GaN FET 的更高電流處理能力使它們能夠用于更大、更強(qiáng)大的電機(jī)。
　　終應(yīng)用的底線優(yōu)勢(shì)是減小尺寸和重量、提高功率密度和效率以及更好的熱性能。
　　GaN入門
　　任何電源開關(guān)器件的設(shè)計(jì)，尤其是中檔電流和電壓的器件，都需要關(guān)注器件的細(xì)節(jié)和獨(dú)特特性。GaN 器件有兩種內(nèi)部結(jié)構(gòu)選擇：耗盡型 (d-GaN) 和增強(qiáng)型 (e-GaN)。d-GaN 開關(guān)通常處于“開啟”狀態(tài)，需要負(fù)電源；設(shè)計(jì)成電路更加復(fù)雜。相比之下，e-GaN 開關(guān)通常是“關(guān)閉”晶體管，這導(dǎo)致電路架構(gòu)更簡(jiǎn)單。
　　GaN 器件本質(zhì)上是雙向的，一旦器件上的反向電壓超過(guò)柵極閾值電壓，就會(huì)開始導(dǎo)通。此外，由于它們?cè)谠O(shè)計(jì)上無(wú)法運(yùn)行雪崩模式，因此具有足夠的額定電壓至關(guān)重要。對(duì)于降壓、升壓和橋式直流轉(zhuǎn)換拓?fù)洌偩€電壓高達(dá) 480 V 時(shí)，600 V 的額定值通常就足夠了。
　　盡管 GaN 開關(guān)的基本開/關(guān)電源切換功能很簡(jiǎn)單，但它們是功率器件，因此設(shè)計(jì)人員必須仔細(xì)考慮開啟和關(guān)閉驅(qū)動(dòng)要求、開關(guān)時(shí)序、布局、寄生效應(yīng)的影響、電流控制以及電路板上的電流電阻 (IR) 壓降。
　　對(duì)于許多設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)，評(píng)估套件是了解 GaN 器件功能以及如何使用它們的有效方法。這些套件使用不同配置和功率級(jí)別的單個(gè)和多個(gè) GaN 器件。它們還包括相關(guān)的無(wú)源元件，包括電容器、電感器、電阻器、二極管、溫度傳感器、保護(hù)器件和連接器。
　　EPC2065 是低功耗 GaN FET 的示例。其漏源電壓 (VDS) 為 80 V，漏極電流 (ID) 為 60 安培 (A)，RDS(ON) 值為 3.6 毫歐 (mΩ)。它僅以帶焊條的鈍化芯片形式供應(yīng)，尺寸為 3.5 × 1.95 毫米 (mm)。
　　與其他 GaN 器件一樣，EPC2065 的橫向器件結(jié)構(gòu)和多數(shù)載流子二極管可提供極低的總柵極電荷 (QG) 和零反向恢復(fù)電荷 (QRR)。這些特性使其非常適合非常高的開關(guān)頻率（高達(dá)幾百千赫茲）和低導(dǎo)通時(shí)間有利的情況，以及導(dǎo)通狀態(tài)損耗占主導(dǎo)地位的情況。

　　兩個(gè)類似的評(píng)估套件支持該設(shè)備：用于 20 A/500 W 操作的 EPC9167KIT 和用于 20 A/1 千瓦 (kW) 操作的更高功率 EPC9167HCKIT（圖 2）。兩者都是三相BLDC 電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器板。

　　圖 2.  EPC9167 板的底部（左）和頂部（右）。圖片由Bodo's Power Systems  [PDF] 和 EPC提供
　　基本 EPC9167KIT 配置為每個(gè)開關(guān)位置使用單個(gè) FET，每相可提供高達(dá) 15 ARMS（標(biāo)稱值）和 20 ARMS（峰值）的電流。相比之下，電流較高的 EPC9167HC 配置在每個(gè)開關(guān)位置使用兩個(gè)并聯(lián) FET，可提供高達(dá) 20 ARMS/30 ARMS（標(biāo)稱/峰值）輸出電流的電流，這證明了 GaN FET 的并聯(lián)配置相對(duì)容易更高的輸出電流。圖 3 顯示了基礎(chǔ) EPC9167 板的框圖。

　　圖 3.  BLDC 驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中的基礎(chǔ) EPC9167 板的框圖；功率較高的 EPC9167HC 為每個(gè)開關(guān)并聯(lián)兩個(gè) EPC2065 器件，而功率較低的 EPC9167 每個(gè)開關(guān)只有一個(gè) FET。圖片由Bodo's Power Systems  [PDF] 和 EPC提供
　　EPC9167KIT 包含支持完整電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器的所有關(guān)鍵電路，包括柵極驅(qū)動(dòng)器、用于內(nèi)務(wù)電源的穩(wěn)壓輔助電源軌、電壓檢測(cè)、溫度檢測(cè)、電流檢測(cè)和保護(hù)功能。
　　EPC9167 可與多種兼容控制器配對(duì)，并得到多家制造商的支持。它可以利用現(xiàn)有資源快速配置為電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器，實(shí)現(xiàn)快速開發(fā)。
　　獲得更高的功率
　　功率處理范圍的另一端是 EPC2302，這是一款 GaN FET，具有 100 V/101 A 額定值和 1.8 mΩ RDS(ON) 值。它非常適合 40 至 60V 的高頻 DC-DC 應(yīng)用和 48V BLDC 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。與 EPC2065 使用的帶焊條的鈍化芯片封裝相比，該 GaN FET 采用尺寸為 3 × 5 mm 的低電感 QFN 封裝，并具有裸露頂部，可實(shí)現(xiàn)卓越的熱管理。
　　外殼頂部的熱阻很低，每瓦僅為 0.2°C，從而實(shí)現(xiàn)出色的熱性能并緩解冷卻挑戰(zhàn)。其暴露的頂部增強(qiáng)了頂部熱管理，而側(cè)面可潤(rùn)濕的側(cè)面保證了整個(gè)側(cè)焊盤表面在回流焊接過(guò)程中被焊料潤(rùn)濕。這可以保護(hù)銅并允許在該外部側(cè)面區(qū)域進(jìn)行焊接，以便于光學(xué)檢查。
　　EPC2302 的占位面積不到同類硅 MOSFET 的一半，且 RDS(on) 和額定電壓相似，而其 QG 和 QGD 則明顯較小，且其 QRR 為零。這可降低開關(guān)損耗和柵極驅(qū)動(dòng)器損耗。EPC2302 的死區(qū)時(shí)間很短，僅為數(shù)十納秒 (ns)，可提高效率，而其零值 QRR 可提高可靠性并限度地減少電磁干擾 (EMI)。

　　為了測(cè)試 EPC2302，EPC9186KIT 電機(jī)控制器/驅(qū)動(dòng)器電源管理評(píng)估板支持高達(dá) 5 kW 的電機(jī)，并可提供高達(dá) 150 ARMS 和 212 APEAK 的輸出電流（圖 4）。

　　圖 4.  EPC2302 的 EPC9186KIT 5 kW 評(píng)估板的頂部（左）和底部（右）。圖片由Bodo's Power Systems  [PDF] 和 EPC提供
　　EPC9186KIT 每個(gè)開關(guān)位置使用四個(gè)并聯(lián) GaN FET 來(lái)實(shí)現(xiàn)更高的電流額定值，證明了使用此方法實(shí)現(xiàn)更高電流水平的簡(jiǎn)易性。該板支持電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中高達(dá) 100 kHz 的 PWM 開關(guān)頻率。它包含支持完整電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器的所有關(guān)鍵功能，包括柵極驅(qū)動(dòng)器、穩(wěn)壓輔助內(nèi)務(wù)電源、電壓和溫度感應(yīng)、電流感應(yīng)和保護(hù)功能。
　　電機(jī)逆變器是基本電源和電機(jī)之間的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。設(shè)計(jì)更小、更高效率、更高性能的逆變器是一個(gè)日益重要的目標(biāo)。雖然設(shè)計(jì)人員可以選擇中檔逆變器使用的關(guān)鍵功率開關(guān)器件的工藝技術(shù)，但 GaN 器件是。