EV 和 HEV 充電器中的三相 PFC
出處:維庫電子市場網(wǎng) 發(fā)布于:2023-10-11 16:12:35

級是功率因數(shù)校正電路 (PFC),在本例中連接到三相高壓電源。該前端通常通過使用 Vienna 整流器來實現(xiàn),這是一種基于 PWM 的方法,在需要高效率、低開關(guān)損耗和高 EMI/RFI 抗擾度的所有應(yīng)用中具有多種優(yōu)勢。PFC 后面是一個諧振 LLC DC-DC 初級轉(zhuǎn)換器,耦合到次級 DC-DC 轉(zhuǎn)換器(或整流級),終可以為 HV 電池充電。
電動汽車/混合動力汽車充電
逐步放棄化石燃料并轉(zhuǎn)向電動和混合動力汽車,不可避免地會對充電站產(chǎn)生更大的需求??焖俸统焖俪潆娬灸軌蛱峁└哌_ 250 kW 的直流電,可在車外將交流電轉(zhuǎn)換為直流電,考慮到所涉及的高功率,以及車輛所涉及的重量和成本,這是一個強制性的解決方案。所需的組件。圖 1 中的相同框圖適用于快速和超快速充電站。特別是,在圖 2 中,我們可以觀察通過稱為維也納整流器的經(jīng)典方案實現(xiàn)的 PFC 級。

為了實現(xiàn)高效率,保持較低的開關(guān)損耗,通常采用高功率 MOSFET、IGBT、功率集成模塊 (PIM) 和 SiC 器件,為實現(xiàn)三相 PFC 級提供完整的解決方案。事實證明,Vienna 整流器特別適合實現(xiàn) PFC 前端,其中功率單向流動(從交流到直流)、開關(guān)兩端的功率密度高且電壓應(yīng)力低。Vienna 交流轉(zhuǎn)直流整流器提供非常接近單位值的功率因數(shù) (PF)、正弦電流和較低的總諧波失真 (THD)。
由于相對于傳統(tǒng)硅基器件具有卓越的電氣特性,SiC 功率分立器件為實現(xiàn)高效率 PFC 前端提供了解決方案。安森美半導體提供多種 SiC MOSFET 驅(qū)動器選擇,適用于 PFC、高性能逆變器和大功率電機驅(qū)動器等應(yīng)用。NCP71705 _專為驅(qū)動 SiC MOSFET 晶體管而設(shè)計,可提供允許柵極電壓,以實現(xiàn)盡可能的傳導損耗。通過在開啟和關(guān)閉期間提供高峰值電流,開關(guān)損耗也得以化。為了提高可靠性、dV/dt 抗擾度以及更快的關(guān)斷速度,NCP51705 可以利用其板載電荷泵來生成用戶可選的負電壓軌。對于隔離應(yīng)用,NCP51705 還提供外部可訪問的 5 V 電源軌,為數(shù)字或高速光隔離器的次級側(cè)供電。高功率交流到直流轉(zhuǎn)換器的升壓級受益于高效肖特基二極管的使用,例如英飛凌的CoolSiC肖特基二極管 650 V G6CoolSiC? G6 的第六代碳化硅 (SiC) 肖特基二極管,阻斷電壓為 650 V。CoolSiCG6 旨在提高效率并實現(xiàn)緊湊的電源設(shè)計。CoolSiC? 肖特基二極管 650 V G6 是一款的 SiC 二極管,可提供的正向電壓并獲得的效率。正向電壓降低的好處在較低的傳導損耗中顯而易見。CoolSiC? 肖特基二極管 650 V G6 的正向電壓較低,可降低傳導損耗,從而有助于實現(xiàn)更高的效率和更低的器件結(jié)溫。ROHM Semiconductor提供多種適用于高功率汽車級應(yīng)用的碳化硅器件。SCS220AGHR _例如,肖特基勢壘二極管可提供 650V 的反向(擊穿)電壓,遠遠超過硅 SBD 的上限。該SiC SBD符合AEC-Q101汽車標準,具有高速開關(guān)和超短反向恢復時間。這限度地減少了反向恢復電荷和開關(guān)損耗,有助于終產(chǎn)品的小型化。AEC-Q101 提供 20A 的連續(xù)正向電流、4 至 140 uA 的反向電流以及 130W 的總功耗。該器件采用 TO-220AC 封裝,適用于車載充電器、無線充電器、電動汽車充電器和轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。
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