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智能混合信號無橋圖騰柱PFC控制器解決AC-DC電源能效挑戰(zhàn)

出處:安森美半導(dǎo)體 發(fā)布于:2022-05-06 15:26:26

    世界上消耗的大部分電力都供應(yīng)給某種形式的AC-DC 電源單元(PSU),這意味著它們的能效在運行成本和影響環(huán)境的排放方面很重要。在zui簡單的層面上,能效是從電網(wǎng)汲取的功率與提供給負載的有用功率之比。但是,如果線路電流和電壓異相或具有不同的波形,則所消耗的視在功率可能會顯著增加,大大降低能效。
    同相和異相操作之間的比率稱為功率因數(shù),PSU 設(shè)計人員的一個關(guān)鍵目標是確保該比率盡可能接近1。事實上,這非常重要,以至于現(xiàn)在立法和標準如 IEC 61000-3-2強制要求限制線路諧波中的功率。
    此外,新的能效標準規(guī)定了在更廣泛的工作功率范圍內(nèi)的能效水平。例如,80 PLUS?計劃提倡在20%和100%之間的負載下達到80%的能效,而zuigao級別(被稱為 “80  Titanium標準”)規(guī)定在10%的負載下能效超過90%,在100%的負載下能效超過94%。
        80 PLUS 計劃能效等級ren證
    資料
    通常情況下,功率因數(shù)的校正是通過將輸入主電源提升到高于主電源峰值的直流電平,然后使用脈沖寬度調(diào)制(PWM)等技術(shù)將其整流到輸出水平,這也迫使線路的電流和電壓達到一致。
    雖然這樣做很有效,但PFC級的固有損耗(升壓DC-DC 2%,低壓橋式整流器2%)使得整個AC-DC電源單元達到80  Titanium所要求的96%(230VAC輸入,50%負載)幾乎不可能。


  

  傳統(tǒng)(左)和無橋圖騰柱(右)升壓 PFC 電路
    使用無橋設(shè)計(稱為圖騰柱PFC),輸入電源橋式二極管被一個更高效的同步整流器取代,升壓電感器的位置重新排列,以大大減少損耗。雖然這給出了理論上100%的能效,但非理想的電感和有源開關(guān)的導(dǎo)通和開關(guān)損耗使這在實踐中實現(xiàn)不了。


   

     圖騰柱 PFC 架構(gòu)
    連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 和非連續(xù)導(dǎo)通模式 (DCM) 等方法在高功率和低功率水平上都有局限性,因此臨界導(dǎo)通模式 (CrM) 通常用于高達幾百瓦的功率。在這里,隨著負載電流或電源電壓的波動,不同的開關(guān)頻率迫使在 CCM 和 DCM 之間的邊界上運行,從而提供低導(dǎo)通損耗,同時限制峰值電流以提供可接受的導(dǎo)通和內(nèi)核損耗。
    CrM的可變開關(guān)頻率意味著在輕載時的頻率更高,增加了開關(guān)損耗,降低了能效--這對于滿足計算PSU標準規(guī)定的待機或空載能耗限制是個真正的問題。然而,這可通過鉗位/“返走”開關(guān)頻率來解決,從而強制在輕載下工作在DCM模式。
    TPPFC架構(gòu)允許實現(xiàn)zui終的PFC能效,但設(shè)計可能是個挑戰(zhàn),需要控制四個有源開關(guān)器件,檢測零電流以強制CrM,調(diào)節(jié)輸出并提供過電流和過電壓保護。以前使用需要軟件編碼的數(shù)字控制器來實現(xiàn)拓撲結(jié)構(gòu),這進一步增加了挑戰(zhàn),特別是對于不太熟悉或經(jīng)驗不足的電源設(shè)計人員。
    為了解決這些挑戰(zhàn),安森美(onsemi) 提供NCP1680--業(yè)界首款混合信號CrM圖騰柱控制器。該器件具有新穎的低損耗電流檢測架構(gòu)和成熟的控制算法,是一種高性價比、高性能和快速上市的解決方案。因此,在外部只需要一些簡單的元器件就可以實現(xiàn)全功能的圖騰柱PFC,從而節(jié)省了空間和元器件成本。此外,無需昂貴的霍爾效應(yīng)傳感器就能實現(xiàn)逐周期電流限制。
   

    使用 NCP1680的圖騰柱 PFC的典型應(yīng)用圖
    評估板在265 VAC、395 VDC下提供300瓦??焖僦烽_關(guān)采用GaN HEMT,交流電同步整流器采用Si-MOSFET,在整個電源電壓范圍內(nèi)在低至20%的負載下表現(xiàn)出98%的能效。
    圖騰柱架構(gòu)的采用在很大程度上受到采用碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)器件的推動,因為SiC和GaN在用于圖騰柱的快速支路時具有優(yōu)勢(主要是低反向恢復(fù)電荷)。NCP1680可以適應(yīng)任何開關(guān)類型,無論是基于硅的超級結(jié)硅MOSFET還是SiC或GaN器件。

關(guān)鍵詞:AC-DC電源

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