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晶體二極管的3個(gè)應(yīng)用實(shí)例

出處:維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng) 發(fā)布于:2021-08-06 16:57:18

  晶體二極管具有什么特性
  二極管的  是PN結(jié),PN結(jié)具有單向?qū)щ娦裕@是二極管的主要特性。
  二極管的導(dǎo)電性能,由加在二極管兩端的電壓和流過(guò)二極管的電流決定,這兩者之間的關(guān)系稱為二極管的伏安特性。用于定量描述這兩者關(guān)系的曲線稱為伏安特性曲線,如圖1-6所示。
  由圖1一6可見(jiàn),二極管的導(dǎo)電特性可分為正向特性和反向特性兩部分。


  

    1.正向特性
  指二極管加上正向電壓時(shí)電流和電壓的關(guān)系。
  當(dāng)二極管兩端所加的正向電壓由零逐漸增大時(shí),開(kāi)始時(shí)正向電流很小,幾乎為零,二極管呈現(xiàn)很大的電阻,這個(gè)區(qū)域稱為死區(qū)。硅二極管死區(qū)電壓約為0. 5V;鍺二極管死區(qū)電壓約0. 2V。在實(shí)際使用中,當(dāng)二極管正偏電壓小于死區(qū)電壓時(shí),視為其正向電流為零的狀態(tài)。外加電壓超過(guò)死區(qū)電壓后,正向電流開(kāi)始出現(xiàn),直到等于導(dǎo)通電壓,正向電流迅速增加,這時(shí)二極管處于正向?qū)顟B(tài)。硅管的導(dǎo)通電壓為0.6-0. 7V,鍺管的導(dǎo)通電壓為0.2-0.3V.
  2.反向特性
  指二極管加反向電壓時(shí)電流和電壓的關(guān)系。
  當(dāng)給二極管加反向電壓時(shí),形成的反向電流很小,而且在很大范圍內(nèi)基本不隨反向電壓的變化而變化,故這個(gè)區(qū)域稱為反向截止區(qū)。反向截止時(shí)通過(guò)的電流稱為反向飽和電流,通常硅管有幾微安到幾十微安;鍺管有幾十微安到幾百微安。這個(gè)電流是衡量二極管質(zhì)量?jī)?yōu)劣的重要參數(shù),其值越小,二極管質(zhì)量越好。一般情況下可以忽略反向飽和電流,認(rèn)為二極管反向不導(dǎo)通。
  如果反向電壓不斷增大到一定值時(shí),反向電流會(huì)突然增大,這種現(xiàn)象稱為反向擊穿,這時(shí)二極管兩端所加的電壓稱為反向擊穿電壓。普通二極管正常使用時(shí),是不允許出現(xiàn)這種現(xiàn)象的。
  綜上所述,二極管具有加一定的正向電壓導(dǎo)通。加反向電壓截止的特性。這種特性稱為單向?qū)щ娦浴?br/>  晶體二極管及其基本應(yīng)用
  應(yīng)用實(shí)例1:半導(dǎo)體變流技術(shù)
  變流技術(shù)是一種電力變換的技術(shù)。通常所說(shuō)的“變流”是指“交流電變直流電,直流電變交流電”。例如,常見(jiàn)的充電器,就使用了交流電變直流電的變流技術(shù)。
  晶體二極管的特性及基本應(yīng)用
  圖5-3所示是三相半波不可控整流電路,任何時(shí)刻只有瞬時(shí)陽(yáng)極電壓的一相管導(dǎo)通,按電源的相序,每管輪流導(dǎo)通120°。
  應(yīng)用實(shí)例2:開(kāi)關(guān)電源
  開(kāi)關(guān)電源中的應(yīng)用電路如圖5-4所示,VT1和開(kāi)關(guān)變壓器組成間歇振蕩器,充電器加電后,220V市電經(jīng)VD1半波整流后在VT1的C極上形成一個(gè)300V左右的直流電壓,經(jīng)過(guò)變壓器初級(jí)加到VT1的C極,同時(shí)該電壓還經(jīng)啟動(dòng)電阻R2為VT1的B極提供一個(gè)偏置電壓。由于正反饋?zhàn)饔茫琕T1的Ic迅速上升而飽和,在VT,進(jìn)入飽和期間,開(kāi)關(guān)變壓器次級(jí)繞組產(chǎn)生的感應(yīng)電壓使VD2導(dǎo)通,向負(fù)載輸出一個(gè)約9V左右的直流電壓。開(kāi)關(guān)變壓器的反饋繞組產(chǎn)生的感應(yīng)脈沖經(jīng)VD3整流、C2濾波后產(chǎn)生一個(gè)與振蕩脈沖個(gè)數(shù)呈正比的直流電壓。此電壓若超過(guò)穩(wěn)壓管VD2的穩(wěn)壓值,VD2便導(dǎo)通,此負(fù)極性整流電壓便加在VT1的B極,使其迅速截止。VT1的截止時(shí)間與其輸出電壓呈反比。VD2的導(dǎo)通/截止直接受電網(wǎng)電壓和負(fù)載的影響,電網(wǎng)電壓越低或負(fù)載電流越大,VD2的導(dǎo)通時(shí)間越短,VT1的導(dǎo)通時(shí)間越長(zhǎng);反之,電網(wǎng)電壓越高或負(fù)載電流越小,VD3的整流電壓越高,VT1的導(dǎo)通時(shí)間越長(zhǎng),VT1的導(dǎo)通時(shí)間越短。


  

  應(yīng)用實(shí)例3:雙向電力電子開(kāi)關(guān)
  雙向電力電子開(kāi)關(guān)應(yīng)用電路如圖5-5所示,在斬控式交流調(diào)壓電路中電力電子開(kāi)關(guān)必須滿足:開(kāi)關(guān)是全控的,可以控制導(dǎo)通也可以控制關(guān)斷,所以必須采用全控型器件。電力電子開(kāi)關(guān)必須是雙向?qū)щ姷模虼藛蝹€(gè)器件是無(wú)法滿足要求的,必須用多個(gè)器件組合而成。開(kāi)關(guān)頻率較高,一般都在90kHz以上。
  晶體二極管的特性及基本應(yīng)用
  只用了一個(gè)可控元件,同時(shí)由4個(gè)二極管組成橋式連接,使得無(wú)論外電路電流方向如何 總是流入晶體管的集電極。

關(guān)鍵詞:晶體二極管的3個(gè)應(yīng)用實(shí)例晶體二極管

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