1、可編程邏輯門陣列，由單元LE組成。
　　2、可編程輸入輸出單元IOE。
　　3、嵌入式RAM塊，為M4K塊，每個的存儲量為4K，掉電丟失。
　　4、布線網(wǎng)絡。
　　5、PLL鎖相環(huán)，EP4CE6E22C8N的倍頻至250MHz，這也是該芯片的工作頻率。
　

　　1、基于SRAM結構的FPGA
　　目前的兩個FPGA廠商Altera公司和Xilinx公司的FPGA產(chǎn)品都是基于SRAM工藝來實現(xiàn)的。這種工藝的優(yōu)點是可以用較低的成本來實現(xiàn)較高的密度和較高的性能;缺點是掉電后SRAM會失去所有配置，導致每次上電都需要重新加載。
　　重新加載需要外部的器件來實現(xiàn)，不僅增加了整個系統(tǒng)的成本，而且引入了不穩(wěn)定因素。加載過程容易受外界干擾而導致加載失敗，也容易受“監(jiān)聽”而破解加載文件的比特流。
　　雖然基于SRAM結構的FPGA存在這些缺點，但是由于其實現(xiàn)成本低，被廣泛應用在各個領域，尤其是民用產(chǎn)品方面。
　　2、基于反熔絲結構的FPGA
　　目前FPGA廠商Actel公司的FPGA產(chǎn)品都是基于反熔絲結構的工藝來實現(xiàn)的，這種結構的FPGA只能編程，編程后和ASIC一樣成為了固定邏輯器件。QuickLogic公司也有類似的FPGA器件，主要面向軍品級應用市場。
　　這樣的FPGA失去了反復可編程的靈活性，但是大大提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性，這種結構的FPGA比較適合應用在環(huán)境苛刻的場合，如高振動、強電磁輻射等航空航天領域。同時，系統(tǒng)的保密性也得到了提高。這類FPGA因為上電后不需要從外部加載配置，所以上電后可以很快進入工作狀態(tài)，即“瞬間上電”技術，這個特性可以滿足一些對上電時間要求苛刻的系統(tǒng)。由于是固定邏輯，這種器件的功耗和體積也要低于SRAM結構的FPGA。
　　3、基于Flash結構的FPGA
　　Flash具備了反復擦寫和掉電后內容非易失特性，因而基于Flash結構的FPGA同時具備了SRAM結構的靈活性和反融絲結構的可靠性。這種技術是近幾年發(fā)展起來的新型FPGA實現(xiàn)工藝，目前實現(xiàn)的成本還偏高，沒有得到大規(guī)模的應用。
　　從系統(tǒng)安全的角度來看，基于Flash結構的FPGA具有更高的安全性，硬件出錯的幾率更小，并能夠通過公共網(wǎng)絡實現(xiàn)安全性遠程升級，經(jīng)過現(xiàn)場處理即可實現(xiàn)產(chǎn)品的升級換代，該性能減少了現(xiàn)場解決問題所需的昂貴開銷。
　　基于Flash結構的FPGA在加電時沒有像基于SRAM結構的FPGA那樣大的瞬間高峰電流，并且基于SRAM結構的FPGA通常具有較高的靜態(tài)功耗和動態(tài)功耗。因此，基于SRAM結構的FPGA功耗問題往往迫使系統(tǒng)設計者不得不增大系統(tǒng)供電電流，并使得整個設計變得更加復雜。