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STD9HN65M2

更新時間:2025-05-21 18:18:15

供應商
產品型號
服務標識
數量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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澤芯微售出每顆芯片只能是原裝83227865

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公司現(xiàn)貨原裝超低價支持實單

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-

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原裝現(xiàn)貨,精專配套,正品BOM表報價

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STMicroelectronics(意法半導體)
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助力國營二十余載，一站式BOM配單

中揚電子（深圳）有限公司
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深圳市世紀成達電子科技有限公
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回收此型號STD9HN65M2

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深圳市英德州科技有限公司
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STD9HN65M2 概述

HN65M2是意法半導體生產的一款N溝道功率MOSFET，適用于高頻開關應用。該器件采用先進的MDmesh M2技術，具有低柵極電荷和低反向傳輸電容特性，有助于提高開關速度并降低開關損耗。其最大漏源電壓為650V，適合在高壓應用中使用，如交流-直流適配器、太陽能逆變器和不間斷電源（UPS）等。此外，STD9HN65M2具備出色的體二極管恢復性能，在硬開關電路中表現(xiàn)出色。其優(yōu)化的開關特性和高效率使其成為PFC（功率因數校正）電路的理想選擇。該MOSFET封裝形式為TO-220AB，便于散熱設計與安裝。在實際應用中，應確保驅動電路能夠提供足夠的柵極驅動能力，并注意PCB布局以減少寄生電感的影響。

STD9HN65M2 規(guī)格參數

現(xiàn)有數量
0現(xiàn)貨
系列
MDmesh? M2
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
5.5A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
820 毫歐 @ 2.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
11.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
325 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
60W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
DPAK
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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廣東微爾科技有限公司

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