HN65M2是意法半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET，適用于高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。該器件采用先進(jìn)的MDmesh M2技術(shù)，具有低柵極電荷和低反向傳輸電容特性，有助于提高開(kāi)關(guān)速度并降低開(kāi)關(guān)損耗。其最大漏源電壓為650V，適合在高壓應(yīng)用中使用，如交流-直流適配器、太陽(yáng)能逆變器和不間斷電源（UPS）等。 此外，STD9HN65M2具備出色的體二極管恢復(fù)性能，在硬開(kāi)關(guān)電路中表現(xiàn)出色。其優(yōu)化的開(kāi)關(guān)特性和高效率使其成為PFC（功率因數(shù)校正）電路的理想選擇。該MOSFET封裝形式為T(mén)O-220AB，便于散熱設(shè)計(jì)與安裝。在實(shí)際應(yīng)用中，應(yīng)確保驅(qū)動(dòng)電路能夠提供足夠的柵極驅(qū)動(dòng)能力，并注意PCB布局以減少寄生電感的影響。