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STD70NH02LT4

更新時間:2025-06-14 02:23:08

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封裝/批號
說明
詢價

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深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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STD70NH02LT4外觀圖

STD70NH02LT4

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 24V 60A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

STD70NH02LT4 概述

STD70NH02LT4是意法半導體生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于多種電源管理應用。其典型應用包括直流-直流轉換器、電源開關以及電機驅動等需要高效電能轉換的場合。在實際應用中，此MOSFET適合于高頻率操作，可有效降低開關損耗并提高系統(tǒng)效率。設計電路時，需確保柵極驅動電壓足夠以保證MOSFET完全開啟，同時注意散熱設計，避免因過熱導致性能下降或損壞。對于低壓側開關應用，可以考慮使用簡單的自舉電路來提供柵極驅動電壓，從而簡化整體電路設計。在電機驅動電路中，應加入適當?shù)谋Ｗo措施如過流保護和過溫保護，以增強系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

STD70NH02LT4 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
24V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
60A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
8 毫歐 @ 30A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1.8V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
22nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2050pF @ 25V
功率 - 最大
70W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
497-3165-2

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