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RFD3055LESM9A

更新時間:2025-05-21 12:02:40

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司
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深圳市奧利騰科技有限公司
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低價出售原裝現(xiàn)貨可看貨假一罰十

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斯耐爾（深圳）科技有限責任公
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原裝正品熱賣，價格優(yōu)勢

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一級代理，原裝假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨

深圳市源代電子有限公司
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全新原裝現(xiàn)貨特價熱賣

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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終端可以免費供樣，支持BOM配單

深圳市華普冠科電子科技有限公
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深圳市怡興業(yè)電子科技有限公司
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專注電子元件十年，只做原裝現(xiàn)貨

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現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司
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深圳市騰樁電子有限公司
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RFD3055LESM9A外觀圖

RFD3055LESM9A

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

RFD3055LESM9A 概述

RFD3055LESM9A是安森美半導體生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET。它采用表面貼裝的DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性。該器件的最大漏源電壓為55V，適用于多種功率管理應用。常見于直流 - 直流轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動控制以及電源電路中。在電機驅(qū)動應用里，可確保高效穩(wěn)定的電流傳輸，減少能量損耗。當用于電源電路時，要注意合理設計散熱系統(tǒng)以保證其正常工作溫度范圍，避免因過熱導致性能下降或損壞。根據(jù)具體的應用需求選擇合適的柵極驅(qū)動電阻值，有助于優(yōu)化開關(guān)速度并減少電磁干擾。

RFD3055LESM9A 規(guī)格參數(shù)

產(chǎn)品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
11A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
107 毫歐 @ 8A，5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
11.3nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
350pF @ 25V
功率 - 最大
38W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
TO-252AA
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
RFD3055LESM9ATR

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廣東微爾科技有限公司

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RFD3055LESM9A
RFD3055
RFD3055LE
RFD3055LESM
RFD3055S
RFD3055SM9A
RTL8187L

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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