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RFD3055L

更新時間:2025-05-18 22:39:21

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RFD3055L 概述

RFD3055L是羅姆半導體(ROHM)生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET，采用先進的溝槽結(jié)構(gòu)工藝制造。該器件專為中低壓應用設計，具有低導通電阻和快速開關特性，在節(jié)省能源的同時能夠?qū)崿F(xiàn)高效能的電力傳輸。此MOSFET適用于多種直流-直流轉(zhuǎn)換器、電源管理模塊以及電機驅(qū)動電路中。在消費類電子產(chǎn)品如智能手機充電器、平板電腦適配器等設備里發(fā)揮重要作用。同時也廣泛應用于工業(yè)自動化領域內(nèi)的小型伺服驅(qū)動器和步進電機控制器內(nèi)。使用時需注意其最大漏源電壓為55V，連續(xù)漏極電流根據(jù)封裝形式不同而有所差異，請根據(jù)實際應用場景選擇合適的散熱措施以確保工作溫度處于安全范圍內(nèi)。建議在PCB布局時盡量縮短源極與柵極走線長度，減少寄生電感影響開關性能。

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