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NTLJS3113PT1G

更新時間:2025-05-16 17:45:17

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NTLJS3113PT1G外觀圖

NTLJS3113PT1G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WFDN

封裝:6-WDFN 裸露焊盤

NTLJS3113PT1G 概述

NTLJS3113PT1G是一款由安森美半導體生產的P溝道增強型MOSFET。該器件采用小巧的SOT-23封裝，適合空間受限的應用場景。其最大漏源電壓（VDS）為-20V，在室溫下連續(xù)漏極電流（ID）可達-2.4A。該MOSFET具有低導通電阻（RDS(on)），這有助于減少導通損耗，提高效率。此款MOSFET適用于電池供電設備、負載開關和電源管理等應用場景。例如在便攜式電子產品中，可用于控制電源通斷或者作為低功耗電路中的開關元件。由于其快速的開關特性，也適合用于DC - DC轉換器等需要高效能量轉換的場合。使用時應注意合理選擇柵極驅動電壓以確?？煽块_啟和關閉MOSFET，并且要關注散熱設計以避免過熱損壞。

NTLJS3113PT1G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
µCool™
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
3.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
40 毫歐 @ 3A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
15.7nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1329pF @ 16V
功率 - 最大
700mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-WDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝
6-WDFN（2x2）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NTLJS3113PT1G-NDNTLJS3113PT1GOSTR

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